Doğrultucu yapıların sığa özellikleri, DLTS tekniği ve yapısal kusurların araştırılması
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 28564
- Danışmanlar: PROF. DR. NECATİ YALÇIN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: DLTS tekniği, Doğrultucular, Sığa özellikleri, Yapısal kusurlar, Yarı iletkenler, DLTS technique, Rectifiers, Capacity properties, Structural defects, Semiconductors
- Yıl: 1993
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Erciyes Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET Bu tezde DLTS ( Deep Level Transient Spectroscopy ) tekniğinin tanıtılması derin tuzak seviyelerinin araştırılmasında kullanılması ve diğer kapasite teknikleri ile DLTS'nin mukayesesi yapılarak incelenmesi amaçlanmıştır. Çalışmada ilk olarak metal - yarıiletken kontak yapıları hakkında genel bilgiler verildi. Metal - yarıiletken kontağın potansiyel dağılımı ve yük yoğunluğu arasındaki“Poisson denklemi”sınır şartları altında çözülerek.kontak bölgesindeki E(x) Elektrik alanı, 0(x) potansiyel fonk siyonları bulundu. C~2-V grafiğinden VD difüzyon potansiyeli ve No donor yoğunluğunu veren ifadeler çıkarıldı. Yarıiletkenlerdeki kusurların araştırılmasında metal - yarıiletken Schottky diyotlarda arayüzey tabakasının etkilerine işaret edildi. Bu kusurların yarıiletkenin yasak enerji aralığı içinde elektronik enerji seviyelerine yol açtığı ifade edildi. Sığ ve derin seviyeler hakkında açıklamalar yapıldı. Ayrıca kusur tiplerini oluşturan katkılar, arayer atomları, boşluklar ve dislokasyonlar üzerinde durularak bunların kristal örgü İçinde oluşturduğu yapısal değişiklikler hakkında bilgi verildi. Arayer kusurları ve boşlukların meydana gelmesinde parçacık ışımaları yada ağır parçacıklar > elektronlar, nötronlar ve Z-ışınlarının etkisi üzerinde duruldu. mumu MauiDerin seviye merkezlerinin özelliklerini belirlemede rol oynayan geçici kapasite metotlarıyla hangi parametrelerin bulunabileceği ifade edildi. Daha sonra DLTS tekniği tanıtılarak, kapasite metotlarıyla bulunan özellikleri DLTS ile daha kolay tespit etmenin önemi üzerinde duruldu. DLTS metotunun çalışması anlatılarak, tuzakların karakteristik kapasite geçiciliğine sebeb olmasından dolayı ışıma ve işgal edilme yöntemleri şematik olarak gösterildi. Tuzakların spektroskopik olarak gözlenmesini veren çeşitli grafikler üzerinde duruldu ve en son olarak DLTS tekniği ile diğer kapasite tekniklerin karşılaştırılması yapılarak bu metodun üstünlükleri anlatıldı. VI
Özet (Çeviri)
SUMMARY In this thesis, it has been aimed at the introduction of the DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy),the use of it at the research of the deep trap levels and the comparison with the other capacitance techniques. Firstly, the general information has been given about structures of the metal - semiconductor contacts. The electric field E(x) and potential function <p{x) in the contact have found by solving the poisson equation between the charge density and the distribution of potantial function at the contact. The expression of the diffusion potantial Vd and donor (or acceptor) density Nd (or Na) have been obtained from C-2 - V plots. At the investigation of defects in the semiconductors,the effects of interfacial layer at the Schottky diodes pointed out. It has expressed that these defects led to the electronic energy levels in the forbidden gap of the semiconductor. Some explanations have been made about the shallow and deep levels. In addition, some information about changes in the crystal lattice caused by the impurities, interstitial atoms, vacancies and dislocations which are bringing out the defects were given. The effects of the radiation of particles, or heavy particles, electrons, notrons and x-rays were explained, which result in the interstitial defects and vacancies. VIIThe kind of parameters which can be found by means of the transient capacitance methods that play role in the determination of deep level centers are explained. Then by introducing DLTS technique,the importance of finding the properties by means of DLTS which is an easier way than the other capacitance methods is mentioned. In working the DLTS tecnique, the ways of radiation and the occupation of the traps has been shown shematically.The various graphics giving the traps in the spectroscopic way are dwelt on, and lastly a comparision between the DLTS and the other capacitance tecniques has been made and the superiorities of DLTS have been pointed out. VIII
Benzer Tezler
- Investigation of SiO2 / P-Si structure by DLTS and various admittance techniques
SiO2 / P-Si yapısının DLTS ve çeşitli admıttans teknikleri ile belirlenmesi
SERHAT ÖZDER
Yüksek Lisans
İngilizce
1994
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU
- Nötronlarla ışınlanmış P-tipi silisyumun bazı elektronik özellikleri
Başlık çevirisi yok
ABDÜLMECİT TÜRÜT
Doktora
Türkçe
1987
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. NECATİ YALÇIN
- Metal/yalıtkan/yarıiletken/metal yapılarında yüzey durumlarının tayini
Determination of surface states in metal/insulator/semiconductor/metal structures
BAYRAM ÜNAL
- Preparation and characterization of silicon thin films
Silisyum ince filmlerinin hazırlanması ve karakterizasyonu
İSMAİL ATILGAN
Doktora
İngilizce
1993
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU
- Metal/ yarıiletken MIS yapıların karakteristik parametrelerinin belirlenmesi
Determining the characteristic parameters of metal/ semiconductor MIS structure
NESİM BUĞUR