Preparation and characterization of silicon thin films
Silisyum ince filmlerinin hazırlanması ve karakterizasyonu
- Tez No: 28624
- Danışmanlar: PROF. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Işıyan Boşalım (Plazma Biriktirme), e-demeti ile Biriktirme, Çığlama (Sputtering), Silisyum ince Film (amorf, polikristal), Schottky Diyod, Admittans, Isıl Uyarılma Özdirenç, Kızıl-ötesi Sogrulma, x-ışın Analizi, Isıl (Termal) Sığa, Foto Sığa, Kimyasal buhar çöktürme, Silisyum, İnce filmler, Glow Discharge (Plasma Deposition), e-gun Deposition, Sputtering, Silicon Thin Film (amorphous, polycrystalline), Schottky Diode, Admittance, Thermal Activation of Resistivity, Infra-red Absorbtion, x-ray Analysis, Thermal Capacitance, Photo Capacitance. Science Coder 404.05.01 IV, Chemical vapor deposition, Silicon, Thin films
- Yıl: 1993
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Düşük basınçlı kimyasal buhar biriktirme (LPCVD) düzeneği, gaz, sıcaklık ve basınç denetim birimleriyle birlikte yerel olanaklarla gerçekleştirildi. Poli-kristal silisyum filmler bu düzenekte büyütülerek poli-silisyum geçitli MOS yapılara uyarlandı. Hem yerelleşmiş oksit yükleri hem de ara yüz durum yoğunlukları sığa ve iletkenlik yöntemleriyle karşılaştırmalı olarak çıkarıldı. Işıyan boşalım sistemi, gerekli bütün yan çevre birimleriyle birlikte kuruldu; ayarlanıp, fosfor katkılı hidrojenlenmiş amorf silisyum (n tipi a-Si:H) ince film büyütülmesi için kalibre edildi. Bu doğrultuda, elektron demeti ve iyon çığlama (sputtering) düzenekleri kuruldu ve krom (Cr), paladyum (Pd) gibi parlak metallerin buharlaştırılabilmesi için ayarlandı. Yukarıda sözü edilen düzenekler kullanılarak fosfor katkılanmış a-Si:H filmler üzerine Pd ve Cr Schottky engelleri üretildi. Schottky engelinin uzay yükü bölgesi admitansına dayanan çeşitli karakterizasyon teknikleri uygulanıp geliştirilerek üretilmiş olan katkılı a-Si:H filmlerin yasak enerji aralığındakiderin yerel elektronik durumların dağılımını incelemek için kullanıldı.
Özet (Çeviri)
A low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) system with gas handling, temperature and pressure control units was built by local facilities. Polycrystalline silicon films were grown and optimized for polysilicon gate MOS structure in this system. Both oxide local charge and interface state densities of the produced MOS structure were evaluated comparatively by steady state high-low frequency capacitance and conductance techniques. A glow discharge system with all necessary peripheral units has been installed, adjusted and calibrated for growing phosphorus doped hydrogenated amorphous silicon (n-type a-Si:H) thin films. Parallelly, an electron gun and a sputtering units have been installed and calibrated for refractory metal evaporation, such as chromium (Cr) and palladium (Pd). Pd and Cr Schottky barrier structures of doped a-Si:H films were fabricated by using the above mentioned systems. Different characterizing techniques based on the admittance associated with the Schottky barrier space charge region (such as steady state capacitance vs. voltage, capacitance (or conductance) vs. temperature for various mfrequencies, deep level transient spectroscopy, double beam photocapacitance spectroscopy) were developed, and used for investigating deep localized electronic states distributed within the pseudo-gap of doped a-Si:H films at hand.
Benzer Tezler
- Growth and characterization of thermol SİO2 thin films
Başlık çevirisi yok
MERAL ÇELİK
Yüksek Lisans
İngilizce
1987
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiDOÇ. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU
- Amorf silisyumda staebler wronski etkisinin fotoiletkenlik parametresi üzerindeki rolü
The Role of staebler-wronski effect on the prameter of photocondictivity in amorphus silicon
SEVİLAY UĞUR
- Nadir element katkılı seramik malzemenin sol-jel daldırma yöntemiyle cam üzerine kaplanmasının incelenmesi
Başlık çevirisi yok
V.HİLMİ AKINCI
- Beton çeliklerin oksidasyonu ve oksit tabakasının karakterizasyonu
Başlık çevirisi yok
S.SEMİH OCAKSÖNMEZ
- Al-butoksit'in sol-jel yöntemi ile modifikasyonu ve oluşan ürünün kaplamada kullanılması
Modification of Al-butoxide by the sol-gel process and using the product as coating material
GAMZE GÜL AVCI
