Growth and characterization of thermol SİO2 thin films
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 1267
- Danışmanlar: DOÇ. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1987
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET TERMAL St02 İNCE FİLMLERİN ÎN BÜYÜMESİ VE KARAKTER I ZASYONU ÇELİK, Meral Yüksek Lisans Tezi, Fizik Bölümü Tez Yönet ic is i: Doç. Dr. Bayram KATIRCIO?LÜ Eylül 1987, 113 sayfa. Termal oksitlemenin çeşitli yönleri gözden geçiril mekte ve irdelenmektedir. Son kırk yıl içinde bu alanda ol dukça çalışma yapıldığı halde, arayüz veya bünye (bulk) oksit in yapısal ayrıntıları ve aygıtın elektriksel özellikleri üze rindeki etkileri, bugünlerde yoğun tartışma konusudur. Oksitin ve oksit-silikon arayüz özelliklerinin kont rolü oksit-silikon tabanlı aygıtların (device) kararlığında ve veriminde oldukça önemlidir; özellikle oksitin veya arayüzün içinde çok ince yöresel yük zerrelerinin bulunması aygıtın karakterini etkileyebilir. Admittans ölçümleri, böy le yük zerreciklerinin saptanmasında güçlü bir tekniktir. MOS yapı, imal etmesi ve admittans ölçümleri yorumu çok basit bir aygıt olduğundan aygıt imal etme işlemlerinde test aleti olarak kullanılabilmektedir (temizlik, oksit -v-büyütme, fotolitografi, metalizasyon...). özdirenç (resistivity), etkin yük yoğunluğu, etkin hareketli iyon yoğunluğu, düzband (flatband) voltajında yüzey durum yoğunluğu deği.jik oksit büyütme ve aygıt hazırlama koşullarının ince lenmesinde yardımcı olmaktadır. -vı-
Özet (Çeviri)
ABSTRACT GROWTH AND CHARACTERIZATION OF THERMAL SÎ02 THİN FILMS ÇEE.ÎK, Meral M.S. in Physics Supervisor: Doç. Dr. Bayram KATIRCIO?LU September 1987, 113 pages. Different aspects of the thermal oxidation have been reviewed and discussed. Although a considerable amount of work has been done in this field during the last forty years, some details of the bulk oxide or interface and their effects on device electrical properties are intensively debated nowadays. The control of the oxide and oxide-silicon interface properties are crucial for the performance and stability of the oxide-silicon based devices; especially the presence of minute traces of local charges within the oxide or at the interface can influence the characteristics of devices. The admittance measurement is a powerful technique for detesting trace amount of such charges. MOS capacitor, which is a very simple device both with respect to the fabrication point of view and the interpretation of the -111-measured admittance, has been used as a testing tool of the device fabrication processes (Cleanliness, oxidation growth, photol ithography, metali isation...), The resistivity, the effective charge density, the effective mobile ion density, and the surface state density of flatband voltage have been evaluated for various conditions of oxide growth and device preparation. -IV-
Benzer Tezler
- Li2O - ZnO - Al2O3 camlarının kontrollü kristalizasyonu ve cam seramiklerin karakterizasyonu
The Controlled crystallization of Li2O - ZnO - Al2O3 - SiO2 glasses and the characterization of glass ceramics
ENGİN MAYTALMAN
Yüksek Lisans
Türkçe
1999
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ERDEM DEMİRKESEN
- Alümina fiber takviyeli Al-si metal matriksli kompozitlerin üretimi ve mikroyapı-özellik ilişkilerinin incelenmesi
production of alumina fiber reinforced Al-si metal matrix composites and the investigation of their microstructure-propetry relation ships
HATEM AKBULUT
- Growth and characterization of Ge thin films
Ge ince filmlerinin büyütülmesi ve karakterize edilmesi
ATEF QASRAWİ
Yüksek Lisans
İngilizce
1997
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. İBRAHİM GÜRAL
- Preparation and characterization of alumina powders and suspensions
Alümina tozları ve süspansiyonlarının hazırlanması ve karakterizasyonu
AYLİN MÜYESSER ŞAKAR
Yüksek Lisans
İngilizce
2000
Metalurji Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüPROF.DR. MUHSİN ÇİFTÇİOĞLU
Y.DOÇ.DR. HÜRRİYET POLAT
- Dikarboksilik asit dop edilmiş polianilin sentezi ve karakterizasyonu
Synthesis and characterization of dicarboxylic acids-doped polyaniline
EMİNE ERDEM