Growth and characterization of Ge thin films
Ge ince filmlerinin büyütülmesi ve karakterize edilmesi
- Tez No: 68602
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. İBRAHİM GÜRAL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Ge ince Filmi, Büyütme, Tasiyici Sicakliği, Hail Etkisi, İletkenlik, Isı Yükünsel Salınım, Hoplama, İnce filmler, Ge thin films, Growth, Substrate Temperature, Hall Effect, Conduction, Thermionic Emission, Tunneling, Hopping IV, Conductivity, Thin films
- Yıl: 1997
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
öz Ge İNCE FİLMLERİNİN BÜYÜTÜLMESİ VE KARAKTERİZE EDİLMESİ Qasrawi, Atef Fayez Yüksek Lisans, Fizik Bölümü Tez Yöneticisi: Assoc. Prof. Dr. İbrahim Günal Ocak 1997, 86 sayfa Ge ince filmleri cam taşıyıcılar üzerine, vakum altında ısısal buharlaştırma ile 25°C-400 °C arasında değişen taşıyıcı sıcaklıklarında büyütülmüş ve bu filmlerin yapısal ve elektriksel özellikleri incelenmiştir. Düşük taşıyıcı sıcaklıklarında amorf filmler elde edilmiş olup, yüksek taşıyıcı sıcaklıkları daha iyi düzenlenmiş ve daha büyük kristalcikler oluşturarak çok örütlü bir yapıya neden olmaktadır. Elektriksel öz direncin oda sıcaklığındaki değeri, taşıyıcı sıcaklığının 25 °C den 400 °C ye artması ile 12 Om den 10-4 fim' ye düşmektedir. 30-320 K arasında, iletkenliğin sıcaklık bağımlılığının incelenmesinden, iletkenliğin sıcaklıkla arttığı bulunmuştur. oT1/2' nin T1/4 bağımlılığı ve hesaplanan Mott parametrelerinin kabul edilebilir değerlere sahip olmasına dayanarak, 120 K' nin altındaki sıcaklıklardaki iletkenliğin değişken erimli hoplama şeklinde olduğu söylenebilir.Daha yüksek sıcaklıklarda elektriksel iletkenliğin ısın yükünsel salınım modeli ile başarılı bir şekilde açıklanabileceği bulunmuştur. Filmler p-tipi iletkenlik göstermektedirler. Düşük taşıyıcı sıcaklıklarında büyütülen amorf filmlerdeki deşik yoğunluğu az olup 10 m* civarındadır, yüksek taşıyıcı sıcaklığında büyütülen filmler ise 10 m" yüksek deşik yoğunluğuna sahiptir.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT GROWTH AND CHARACTERIZATION of GERMANIUM THIN FILMS Qasrawi, Atef Fayez M. S., Department of Physics Supervisor: Assoc. Prof. Dr. Ibrahim Gûnal January 1997, 86 pages Ge thin films on glass substrates were grown by thermal evaporation in vacuum, at various substrate temperatures in between 25°C to 400°C, structural and electrical properties of the films were investigated. At low substrate temperatures, amorphous films were obtained. The growth at elevated temperatures results in better oriented larger crystallites yielding a polycrystalline structure. The electrical resistivity at room temperature was found to decrease from 12 to 10“4 Q.m as the substrate temperature increases from 25 to 400°C. From the analysis of the temperature dependence of conductivity in the range 30-420 K, it was found that the conductivity increases with temperature. From the Tm dependence of &TV2 obtained and the reasonable values of the calculated Mott parameters, conduction below 120 K is attributed to variable-range hopping for most of the samples. At higher temperatures thermionic emission model was found to describe satisfactorily the electrical conduction. The films were found to exhibit p-type conductivity. Amorphous thin films at low substrate temperatures have low hole concentration of about 1020 m”3, while polycrystalline films grown at high substrate temperatures have hole concentration in the order of 1025 m"3. m
Benzer Tezler
- Çevresel etki değerlendirme bilgi sistemi tasarımı ve gerçekleştirilmesi pilot projesi (ÇEDBİS)
Başlık çevirisi yok
OZAN ARSLAN
- Yeni vic-dioksimlerin sentezi ve reaksiyonları
Synthesis and characterisation of three new vic-dioximes and their metal complexes
ZEHRA ALTUNTAŞ BAYIR
- Growth and characterization of thermol SİO2 thin films
Başlık çevirisi yok
MERAL ÇELİK
Yüksek Lisans
İngilizce
1987
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiDOÇ. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU
- Fabrication and characterization of GaInP/InGuAs/GuAs modulation doped field effect transistors
GaInP/InGuits/GuAs modüle katkılı alan etkili transistörlerin fabrikasyonu ve karakterizasyonu
TOLGA YALÇIN
Yüksek Lisans
İngilizce
2000
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ
- GaTe, GaTe:Er ve GaTe:Cu yarıiletkenlerinin büyütülmesi, elektriksel ve optik karakterizasyonu
Growth electrical and optical characterisation of GaTe, GaTe: Er and GaTe: Cu semiconductors
HÜSNÜ SALİH GÜDER
Doktora
Türkçe
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YAHYA KEMAL YOĞURTÇU