Metal/yalıtkan/yarıiletken/metal yapılarında yüzey durumlarının tayini
Determination of surface states in metal/insulator/semiconductor/metal structures
- Tez No: 13042
- Danışmanlar: PROF.DR. NECMİ SERİN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: MİS, silisyum, Fenni seviyesi, omik kontak, doğrultucu kontak, yüzey durumları, oksit, donor, akseptör /, Metaller, MIS, silicon, Fermi level, ohmic contact, rectifying con tact, surface states, oxide, donor, acceptor, Metals, State conditions
- Yıl: 1990
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Ankara Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET Yüksek Lisans Tezi METAL/YALITKAN/YAMİLETKEN/METAL YAPILARINDA YÜZEY DURUMLARININ TAYİNİ Bayram ÜNAL^ Ankara Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Mühendisliği Anabilim Dalı Danışman : Prof. Dr. Necini SERİN 1990, Sayfa :98 Jüri : Prof. Dr. Necmi SERİN Prof. Dr. Arsm AYDINURAZ Prof. Dr. Necati YALÇIN Bu çalışmada, 1.20 - cm özdirençli < 111 > yönünde kesilmiş p-tipi silisyum tek kristali kullanılarak metal/yalıtkan/yarıiletken/metal yapıları oluşturulmuş ve yüzey durumlarının etkisi araştırılmıştır. Silisyum tek kristal parçaları üzerinde ayrı ayrı SİO2, GuOjCn^O ve SnO tabakaları büyütülmüş, oksit yüzeyler üzerine 10~6 torr'luk vakumda alüminyum (Al), kristalin diğer yüzeyine bakır (Cu) metali buharlaştırılarak Al/SiOtfSi/Cu, Al/CuO/C^O/Si/Cu ve Al/SnOfSi/Cu yapıları oluşturulmuştur. Yapıların akım-gerilim (I-V) ölçmeleri oda sıcaklığında, karanlık ortamda, 0-1.5 Volt aralığında ters ve düz beslemlerde alınmıştır. Sığa-gerilim ölçmeleri 0-2 Volt aralığında 120 Hz, 1 kHz ve 10 kHz frekanslarında ölçülmüştür. Bu verilerden (Sığa-gerilim eğrilerini kullanarak) yüzey durum yoğunlukları tayin edilmiştir,
Özet (Çeviri)
II ABSTRACT Masters Thesis determination of surface states inmetal/wsulatorVsemiconductor/metal structures Bayram ÜNAL Ankara University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics Engineering Supervisor: Prof. Dr. Nee mi SERİN 1990, Page:58 jury: Prof. Dr. Necmi SERİN Prof. Dr. Arsın AYDINURAZ Prof.Dr. Necati YALÇIN In this work, using p-tipi silicon single crystal with the resistivity of 1.20-cm cut in the < 111 > direction we obtained the metal/insulator/semicon ductor/metal structures, and investigated their effects of surface states. SiC^,- CUO/CU2O and SnO layers have been grown on the fragments of the single silikon crystal. Also ataminium (Al) has been evaporated on the oxide layer at 10~6 ton* while the other surface of the crystal has also been evaporated by copper (Cu) metaL Thus Al/Si02/Si/Cu, Al/GuO/Gu20/Si/Cu and Al/SnO/Si/Cu structires have been occured. Current- Voltage {I- V) measurements of the sample at room temperature and dark medium have been taken for the range of 0-1.5 Volts of forward and reverse bias. Furthermore, the capacitance versus voltage measurements have been done between 0-2 Volt range and for the frequencies of 120 Hz, 1 kHz and 10 kHz. The densities of surface state have been found from this data (using capacitance-voltage characteristics)
Benzer Tezler
- Mos yapılarda gama radyasyonunun etkileri
Gama radiation effect on mos structure
TİMUR CANEL
Yüksek Lisans
Türkçe
1996
Fizik ve Fizik MühendisliğiKocaeli ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. YÜKSEL BEKTÖRE
- P-galyum arsenür (GaAs)/anodik izolasyon filmlerin arayüzey özelliklerinin incelenmesi
Investigation of interface properties in p-gallium arsenide (GaAs)/anodic insulator films
HAYRETTİN YÜZER
- Metal-oksit-yarıiletken (MOS) kapasitörlerde dielektrik sabitinin frekans, sıcaklık ve kalınlığa bağlı incelenmesi
The investigation of dielectric constant depending on frequency, temperature and thicknss in metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors
ADEM TATAROĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Katılarda enerji-bant yapılarının hesaplanması
Başlık çevirisi yok
ABDULLAH ALĞIN
Yüksek Lisans
Türkçe
1997
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ÖMER ÖZBAŞ
- AI-SiO2-pSİ (MYY) güneş pillerinin sıcaklığa bağlı elektriksel karakteristikleri
Başlık çevirisi yok
CANAN TEMEL
Yüksek Lisans
Türkçe
1997
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL