Geri Dön

Metal-oksit-yarıiletken (MOS) kapasitörlerde dielektrik sabitinin frekans, sıcaklık ve kalınlığa bağlı incelenmesi

The investigation of dielectric constant depending on frequency, temperature and thicknss in metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors

  1. Tez No: 85896
  2. Yazar: ADEM TATAROĞLU
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Metal-oksit-yaniletken, dielektrik sabiti, dielektrik kayıp, dielektrik tanjant, Dielektrikler, Metal oksitler, Yarı iletkenler, Metal-oxide-semiconductor, dielectric constant, dielectric loss, dielectric tangent Page Number : 61 Adviser : Assist Prof. Şemsettin ALTINDAL, Dielectrics, Metal oxides, Semiconductors
  7. Yıl: 1999
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

METAL-OKSİT- YARIİLETKEN (MOS) KAPASITÖRLERDE Dİ ELEKTRİK SABİTİNİN FREKANS, SICAKLIK VE KALINLIĞA BAĞLI İNCELENMESİ (Yüksek Lisans Tezi) Adem TATAROĞLU GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ ARALIK 1999 ÖZET Elektriksel empedans ölçümleri HP 4 192 A LF Empedans Analizmetre (5Hz- 13MHz) ile gerçekleştirildi. MOS yapılardaki yalıtkan SİO2 tabakası termal olarak -300Â-3500Â olarak büyültüldü. Al/Si02/p-Si Metal-Oksit- Yarıiletken (MOS) kapasitörlerin sıcaklığa ve frekansa bağlı dielektrik sabitle'), dielektrik kayıp(e“) ve dielektrik tanjant(tanS) değerleri 20 °C-80 °C sıcaklık aralığında ve lOkHz-lOMHz frekans aralığında incelendi. Bu MOS yapıların dielektrik sabiti, dielektrik kayıp ve dielektrik tanjant değerlerinin frekans, sıcaklık ve yalıtkan oksit tabakasının kalınlığına kuvvetlice bağlı olduğu görüldü. Özellikle 100 kHz altındaki frekans değerlerinde hem e' hem de e”azalan frekansla hemen hemen lineer olarak arttığı gözlendi ve e" ~1 MHz civarında bir pikten geçmektedir. Bilim kodu :404.05.01

Özet (Çeviri)

THE INVESTIGATION OF DIELECTRIC CONSTANT DEPENDING ON FREQUENCY, TEMPERATURE AND THICKNESS IN METAL- OXIDE-SEMICONDUCTOR (MOS) CAPACITORS (M.Sc. Thesis) Adem TATARO?LU GAZI UNIVERSITY INSTITUDE OF SCDZNCE AND TECHNOLOGY DECEMBER 1999 ABSTRACT Electrical impedance measurements have been made with HP 4 192 A LF impedance analyzer (5Hz-13MHz). The samples having thermally grown oxide of -300Â-3500Â are investigated. The temperature and frequency dependence of dielectric constant (e*), dielectric loss (e“) and dielectric tangent (tan5) are studied in the metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors samples in the temperature 2Q°C-80°C and frequency lOkHz-lOMHz range respectively. The values of the dielectric constant (e'), dielectric loss (e”) and dielectric tangent (tan8) of MOS capacitors samples are strongly dependent on the frequency, temperature and thickness. Especially below 100 kHz both e' and e“ increasing with descreasing log frequency and there is a loss peak (s”) about ~1 MHz. Science code : 404.05.01

Benzer Tezler

  1. Tez No

    57937

    Mos yapılarda gama radyasyonunun etkileri

    Gama radiation effect on mos structure

    TİMUR CANEL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1996

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKocaeli Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. YÜKSEL BEKTÖRE

  2. Tez No

    34125

    Design and fabrication of mos solar cells

    Mos güneş pillerinin tasarım ve yapımı

    HAYRİYE TÜTÜNCÜLER

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1994

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SADETTİN ÖZYAZICI

  3. Tez No

    39524

    P-galyum arsenür (GaAs)/anodik izolasyon filmlerin arayüzey özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of interface properties in p-gallium arsenide (GaAs)/anodic insulator films

    HAYRETTİN YÜZER

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1994

    Kimya Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. A. HİKMET ÜÇIŞIK

  4. Tez No

    65956

    Determination of trap levels of MOS structure semiconductor devices at cryogenic temperatures

    MOS yapılı yarı iletken devre elemanlarının tuzak seviyelerinin düşük sıcaklıklarda tespiti

    NURAN DOĞRU

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1997

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiGaziantep Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SADETTİN ÖZYAZICI

  5. Tez No

    15115

    Analog CMOS implementation of cellular neural networks

    Başlık çevirisi yok

    İZZET ADİL BAKTIR

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1991

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    DOÇ.DR. MEHMET ALİ TAN

Geri Dön