Metal/ yarıiletken MIS yapıların karakteristik parametrelerinin belirlenmesi
Determining the characteristic parameters of metal/ semiconductor MIS structure
- Tez No: 105263
- Danışmanlar: DOÇ. DR. MUSTAFA SAĞLAM
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Schottky diyodları, Temas, Yarı iletkenler, Schottky diodes, Contact, Semiconductors
- Yıl: 2001
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET ı Ag//?-GaAs Schottky diyodları, rc-GaAs (100) yarıiletkeninin bir yüzüne omik kontak için Au-Ge, diğer yüzüne doğrultucu kontak için Ag (%99.9) buharlaştırılarak elde edildiler. Referans numune ile MİS Schottky diyod için doğru beslem altında I-V karakteristikleri çizilerek idealite faktörü ve etkin engel yüksekliği hesaplandı. Referans numune için idealite faktörü «=1.16, etkin engel yüksekliği de 0.83 eV bulundu. MİS Schottky diyod için ise idealite faktörü n= 1.81 bulunurken, etkin engel yüksekliği de yaklaşık 0.92 eV olarak hesaplandı. Ayrıca bu iki diyod için imaj kuvvetinden ve tünellemeden dolayı engel yüksekliklerinde meydana gelen düşmeler ile idealite faktörlerindeki değişmeler de belirlendi. Yine bu numuneler için doğru ve ters beslem altında C-V ile C -V karakteristikleri çizildi. Bu karakteristiklerden yararlanılarak iki numune için de difüzyon potansiyeli (Vd), Fermi enerji seviyesi (Vn), donor konsantrasyonu (Nd) ve engel yükseklikleri (Ob") hesaplandı. Ancak arayüzey hallerinin, oksit tabakasının ve seri direncin elde edilen parametrelerin idealliğine büyük ölçüde etki ettiği görüldü. Bunlardan başka, referans numunenin idealite faktörü ve engel yüksekliği arasında, engel inhomojenliğine atfedilen, bir lineer korelasyon gözlendi. MİS diyotlarda, arayüzey tabakasının varlığından dolayı, böyle bir ilişki gözlenmedi.
Özet (Çeviri)
SUMMARY The Ag/w-GaAs Schottky diodes were prepared using mirror cleaned and polished n- GaAs (as received from the manufacturer) with (100) orientation and 2-5x10 cm“ earner concentration. Au-Ge (%88, % 12) for ohmic contacts was evaporated on the back of the wafer in a vacuum-coating unit of 1 0”5 Torr. The Schottky contacts were formed by evaporating Ag as dots with diameter of about 1.35 mm onto all of the n- GaAs surfaces. Metal/isulating/semiconductor (MIS) diodes wer also fabricated by anodic oxide method. The ideality factor and barrier height values for the reference and MIS diodes were calculated drawing their current- voltage (I-V) curves. The values of 1.16 and 0.83 for the ideality factor and barrier height of one of the reference diode were obtained, respectively, and the values of 1.81 and 0.92 for one of the MIS diode. Furthermore, tunnelling effect through the top of Schottky barrier and image forge lowering effect for the I-V barrier and ideality factor of both diodes were also taken into account. Again, the diffusion potential, Fermi Level, carrier concentration and barrier height values for both diodes were computed from the reverse bias C'-V characteristics. It was seen that the interfacial layer and interface states affected the ideality of the devices considerably. Moreover, it was concluded for the reference sample that there was a linear relationship between experimental effective barrier heights and ideality factors of Schottky contacts that has been explained by inhomogeneities of the barrier heights in real Schottky diodes. The extrapolation of the barrier heights versus ideality factors plot to the ideality factor given a homogeneous barrier height of approximately 0.94 eV for the reference sample. There was no any correlation between experimental effective barrier heights and ideality factors of MIS contacts, therefore, the barrier inhomogeneity was not expected to be the dominant effect in MIS contact.
Benzer Tezler
- Au/-Cu/n-GaAs kontaklarında anodik oksidasyon işleminin karakteristik diyot parametreleri üzerindeki etkileri
The effects of anodic oxidation treatment on characteristic diod parameters of Au-Cu/n-CaAs schottky contact
MEHMET BİBER
Yüksek Lisans
Türkçe
2000
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. ABDÜLMECİT TÜRÜT
- Metal yarıiletken (ms) ve anodik oksit ve sülfür ince izolasyon tabakalı metal-ince izolasyon tabakası-yarıiletken (mıs) diyotların elektriksel özellikleri
Başlık çevirisi yok
FEVZULLAH TEMURTAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
1995
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiDumlupınar ÜniversitesiY.DOÇ.DR. M. ALİ EBEOĞLU
- Metal/yalıtkan/yarıiletken/metal yapılarında yüzey durumlarının tayini
Determination of surface states in metal/insulator/semiconductor/metal structures
BAYRAM ÜNAL
- P-galyum arsenür (GaAs)/anodik izolasyon filmlerin arayüzey özelliklerinin incelenmesi
Investigation of interface properties in p-gallium arsenide (GaAs)/anodic insulator films
HAYRETTİN YÜZER
- 3um N-kuyu CMOS teknolojisi ile test kırmığı tasarımı ve tranzistor eşik gerilimi ayarı
Test chip design for 3 um N-well CMOS fabrication technology and threshold voltage adjustment
ZEYNEP D. TOROS
Yüksek Lisans
Türkçe
1991
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. DURAN LEBLEBİCİ