Geri Dön

InSe ve InSe:Bi yarıiletkenlerinin büyütülmesi ve elektriksel karakterizasyonu

Growth and electrical characterization of InSe and InSe:Bi semiconductors

  1. Tez No: 105262
  2. Yazar: UĞUR MUSTAFA AYDEMİR
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. BAHATTİN ABAY
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Elektriksel özellikler, Kristal büyütme, Yarı iletkenler, Electrical properties, Crystal growth, Semiconductors
  7. Yıl: 2001
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

ÖZET InSe ve InSe:Bi (%0.05 ve 0.5) yarıiletken bileşikleri. Stockbarger tekniğine dayah Yönlendirilmiş Katılaştırma Metodu ile büyütüldü. Büyütülen kristallerin elektriksel özellikleri, sıcaklığa bağlı Hail ve özdirenç ölçümleri ile araştırıldı. Katkılı numunelerde incelenen sıcaklık aralığında özdirencin arttığı, taşıyıcı konsantrasyonu ve mobilitenin azaldığı gözlendi. Katkısız ve katkılı numunelerdeki aktif merkezlerin iyonizasyon enerjileri sırasıyla ikili donor ve tek donor-tek akseptör modelleri kullanılarak tayin edildi. Yüksek ve alçak sıcaklıklarda taşıyıcı hareketliliğini etkileyen saçılma mekanizmalarının sırasıyla homopolar optik fonon saçılması ve iyonize olmuş kirlilik saçılması olduğu belirlendi.

Özet (Çeviri)

SUMMARY InSe and InSe:Bi (0.05 and 0.5 wt.%) semiconducting compounds were grown using Directional Freezing method which modified form of Stockbarger technique. Electrical properties of grown crystals were determined as a function of temperature by using Hall effect and resistivity measurements. It was observed that the resistivity increases and the carrier concentration and the mobility decreases for the doped samples in the whole investigated temperature region. Ionization energies of active centers in the undoped and doped samples were determined using double donor and single donor-single acceptor models, respectively. Scattering mechanisms affecting the carrier mobility at the high and low temperature regions were determined to be homopolar optical scattering and ionized impurity scattering, respectively.

Benzer Tezler

  1. Yükseköğretim kanunu sorgulamasının bilgisayara uyarlama çalışması

    Başlık çevirisi yok

    ERTUĞRUL GÖKHAN KAÇAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1988

    Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve KontrolEge Üniversitesi

    Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. OĞUZ MANAS

  2. Seçilmiş bazı illerdeki ortaöğretim kurumlarında beden eğitimi öğretiminin yapısı ve sorunları

    The structure and problems of physical education instruction in secondary schools in selected some cities

    BURHAN ÇUMRALIGİL

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1995

    SporGazi Üniversitesi

    Y.DOÇ.DR. AZMİ YETİM

  3. Adıyaman-Çemberlitaş-Bölükyayla dolaylarında Mardin grubunun petrol imkanları

    Oil possibilities of the Mardin groub in the Adıyaman-Çemberlitaş-Bölükyayla area, SE Turkey

    BÜLENT COŞKUN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1992

    Jeoloji MühendisliğiAnkara Üniversitesi

    Jeoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. EROL AKYOL

  4. Structural, electrical and photo-hall characterization of InSe: Cd and InSe thin films

    InSe: Cd InSe ince filmlerin yapısal, elektriksel ve foto-hall karakterizasyonu

    ATEF QASRAWİ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2000

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. İBRAHİM GÜNAL

    PROF. DR. ÇİĞDEM ERÇELEBİ