Investigation of SiO2 / P-Si structure by DLTS and various admittance techniques
SiO2 / P-Si yapısının DLTS ve çeşitli admıttans teknikleri ile belirlenmesi
- Tez No: 35728
- Danışmanlar: PROF. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: MOS, Ara Yüz Durumu, Etkin Kesit, DLTS, Admittans, Statik Sığa, iletkenlik, Civa Probu, Azot, Hidrojen, Isıl işlem, Silisyum, MOS, Interface Traps, Capture Cross Section, DLTS, Admittance, Static Capacitance, Conductance, Mercury Probe, Nitrogen, Hydrogen, Heat treatment, Silicon
- Yıl: 1994
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
oz SİO /p-Sİ YAPISININ DLTS VE ÇEŞİTLİ ADMITTANS TEKNİKLERİ İLE BELİRLENMESİ ÖZDER, Serhat Doktora Tezi, Fizik Anabilim Dalı Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Bayram KATIRCIO?LU Şubat, 1994, 294 sayfa. SİO /Si yapısının elektriksel özelliklerini, azot ve hidrojen altında yapılan ısıl işlemler dizisiyle, iyileştiren koşullar araştırıldı. Bu işlemlerin etkisi, DLTS ve çeşitli admittans teknikleriyle belirlendi. Geri dönüşlü civa geçitli MOS yapılar, ölçüm aygıtı olarak düzenli biçimde kullanıldı ve alüminyum geçitli aygıtlarla karşılaştırılarak kullanılabilirlik sınırları belirlendi. Voltaj ve frekans taramalı a.c. iletkenlik ve kararlı sığa gibi eldeki tekniklerin bilgisayarlı veri işleme düzeneğine bağlanması ve bu doğrultuda özel programların geliştirilmesi bu tezin ilk katkısını oluşturmak tadır.Eldeki DLTS düzeneğini, sabit voltaj, sabit sığa, sıcaklık taramalı, frekans taramalı, voltaj taramalı gibi çeşitli kullanım türlerine dönüştürebilen teknik ve biri kim yönünde katkı sağlanmıştır. Bu arada voltaj ve frekans tarama türlerinin karışımını içeren daha yalın ve kullanışlı yeni bir DLTS kullanım türü geliştirilmiştir. SiO /p-Si yapının arayüz durumu D ve taşıyıcı yakalama etkin kesiti a dağılımları, yukarıda belirlenen tekniklerle ölçülmüştür. Bu çalışmanın başlıca katkıları olarak, önce arayüz potansiyel dalgalanmalarının ve eksik dolmanın, D ve er üzerine nicel etkisinin hesaplanması ve arkasından p da, etkin kesitin, örgünün yerel titreşiminin sonucu olarak, sıcaklıkla üstel uyarılabilen türde olmasının belirlenmesi sayılabilir.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT INVESTIGATION OF Sİ02/p-Sİ STRUCTURE BY DLTS AND VARIOUS ADMITTANCE TECHNIQUES ÖZDER, Serhat Ph.D. in Physics Supervisor: Prof. Dr. Bayram KATIRCIO?LU February, 1994, 294 pages. The optimization of SiO /Si electrical properties was investigated by a series of nitrogen and hydrogen annealing processes. The effects of these processes were determined by DLTS and various admittance techniques. Non-destructive mercury gate Metal Oxide Silicon (MOS) structure has been systematically used and its limitations have been determined in light of the comparison with eva porated aluminum gate MOS structure. Important contributions have been made to the improvement of the existing conventional admittance tech niques such as steady-state capacitance, frequency scan a.c. conductance, voltage scan a.c. conductance in their computerization and in the development of special programs for data analysis. IllThe DLTS system at hand has been improved for adapting it to different versions such as constant vol tage, constant capacitance, temperature scan, voltage scan, frequency scan. A new version of DLTS, based on the combination of voltage and frequency scan has been deve loped. Distributions of interface trap density D and capture cross section a of SiO /p-Si system were deter- p 2 mined by the above mentioned techniques. The main contributions of this work can be cited as follows. We have shown that the surface potential fluc tuations and incomplete filling of the traps have impor tant effect on the Djx and cr distributions. Our experi- lt p mental observations and the related analysis indicate that the capture cross section strongly depends on temperature, which may be interpreted as due to multiphonon emission process.
Benzer Tezler
- Değişik sabit akım uygulayarak oluşturulan p-Si/SiO2/Al yapılarının arayüzey durum yoğunluklarının araştırılması çalışmaları
Investigation of the interface state densities of p-Si/SiO2/Al structures prepared by the application of various constant currents
GÜLSEN GÜLER
- Nadir element katkılı seramik malzemenin sol-jel daldırma yöntemiyle cam üzerine kaplanmasının incelenmesi
Başlık çevirisi yok
V.HİLMİ AKINCI
- Metal-oksit-yarıiletken (MOS) kapasitörlerde dielektrik sabitinin frekans, sıcaklık ve kalınlığa bağlı incelenmesi
The investigation of dielectric constant depending on frequency, temperature and thicknss in metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors
ADEM TATAROĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Alümina ilavesinin Li2O-ZnOSi2 cam ve cam seramiklerinin kristalizasyon davranışı, mekaniksel ve kimyasal özellikleri üzerine etkisi
Başlık çevirisi yok
ELVAN BİLGE ÇUKUR