Si ve GaAs alt yapılı yarı iletken materyallerin mikroyapılarının ve bazı özelliklerinin incelenmesi
The investigation of micro structures and some properties of semiconductors having Si or GaAs substraties
- Tez No: 76977
- Danışmanlar: DOÇ. DR. YUSUF ATICI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Eğitim ve Öğretim, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Education and Training, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Fizik eğitimi, Mikroyapı, İnce filmler, Physics education, Microstructure, Thin films
- Yıl: 1998
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Eğitimi Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET Arhenius eğrileri kullanılarak süperlatislerin ve filmlerin aktivasyon enerjileri hesaplandı. Si ve Zn katkılı AlGaAs/GaAs(001) süperlatislerin aktivasyon enerjileri sırasıyla düşük sıcaklıklarda 0.18 ve 0.27 eV ve oda sıcaklığında da 0.43 ve 0.53 eV olarak bulundu. 1-3 um GaAs/Si(001) farklı yapıların aktivasyon enerjileri düşük sıcaklıklarda 0.33 ve 0.39 eV ve oda sıcaklığında da 0.41 ve 0.50 eV olarak bulundu. Elektriksel iletkenlik ölçümleri iki probe metodu kullanılarak alındı. Si ve Zn katkılı AlGaAs/GaAs(001) süperlatislerin iletkenlik değerlerinin 1.9xl0“7 ve 2.07xl0”5 (n-cm)“1 ve 1-3 um GaAs/Si(001) filmlerin iletkenlikleri de 5.57xl0”7 ve 3.56xl0“7 (D-cm)”1 bulundu. 1-3 um GaAs/Si(001) ince filmlerin ve AlGaAs/GaAs(001) süperlatislerin mikroyapıları TEM ile incelendi. Bu çalışmaya kesit-alan TEM numuneleri konu edildi. 1-3 um GaAs/Si(001) filmlerin arayüzeyine uyumsuzluk ve tırmanıcı dislokasyonların eşlik ettikleri görüldü. 1-3 um GaAs/Si(001) kesit-alan numunelerinde 1/2<1 10>{ 1 1 1 } kayma sistemine sahip 60° tipi uyumsuzluk dislokasyonları gözlendi. Bir düzgün ve bir pürüzsüz arayüzey gözlendi. Difraksiyon kontrast denemeleri GaAs tabakalarında zorlanma kaldığını gösterdi. Si ve Zn katkılı AlGaAs/GaAs(001) süperlatislerde düzgün ve kusursuz arayüzeyler de TEM ile gözlendi. Katkı zararlarını detekte etmek için süperlatislere TEM görüntü teknikleri uygulandı ve sonuç olarak hasarsız arayüzeyler gözlendi.
Özet (Çeviri)
II SUMMARY The activation energies of the films and superlattices were calculated by using Arhenius curves. It was found that the activation energies are 0.18 and 0.27 eV for Si and Zn implanted AlGaAs/GaAs(001) superlattices at low temperatures and 0.43 and 0.53 eV at room temperature respectively. The activation energies of 1-3 urn GaAs/Si(001) heterostructures were found to be 0.33 and 0.39 eV at low temperatures and 0.41 and 0.50 eV at room temperature. The electrical conductivity measurements were taken by using two-probe method. It was obtained that the conductivity values are 1.9xl0“7 and 2.07xl0”5 (Q-cm)“1 for Si and Zn implanted AlGaAs/GaAs(001) superlattices and 5.57xl0'7 and 3.56xl0”7 (D-cm)"' for 1-3 urn GaAsSi(OOl) films respectively. The microstructure of 1-3 um GaAs/Si(001) thin films and AlGaAs/GaAs(001) superlattices were examined by TEM. Cross-sectional TEM specimens were subjected to this study. It was seen that the interface of 1-3 um GaAs/Si(001) films associate with misfit and threading dislokations. 60°-type misfit dislokations with a 1/2<1 10>{ 1 1 1 } were observed in the cross-sectional samples of 1-3 um GaAs/Si(001). A smooth and a regular interface were observed. Difraction contrast experiments showed strain left in the GaAs epilayers. Regular and defects- free interfaces were also seen in Si and Zn implanted AlGaAs/Si(001) superlattices by TEM. TEM image techniques were applied to the superlattices to detect the implantation damages and consequently damage- free interfaces were observed.
Benzer Tezler
- Farklı katkılanmış yarı iletken malzemelerin arayüzey potansiyel profillerinin belirlenmesi
The determination of interface potential profiles of differently doped semiconductor materials
EMİNE ÖZTÜRK
Yüksek Lisans
Türkçe
1994
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. YÜKSEL ERGÜN
- Yarıiletken heteroyapılarda sıcaklığın ve basıncın yüklü parçacıklara etkisinin bilgisayar analizi
Computer analysis of temperature and pressure effects on the charged particles in semiconductor heterostructures
DERYA ÖZÜBERK
- Indium antimonide p-in photodedectors grown on galium arsenide cooted silicon substroties by molecular beam epitaxy
Moleküler ışın epitoksisi ile galyum arsenik kaplı silikon taban üzerine büyütülmüş indiyum antimen kızılötesi p-in fotodedektörler
AHMET TEVKE
Yüksek Lisans
İngilizce
1999
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ
- Al-GaAs(001) schottky diodlarında engel yüksekliğinin raryüzeydeki silisyum tabakasıyla değiştirilmesi
Başlık çevirisi yok
SAFFETTİN YILDIRIM
Doktora
Türkçe
1996
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. YAN ISKARLATOS
- Properties of shallow impurities in quantum wells and wires
Başlık çevirisi yok
MOHAMMAD KHALİL EL-SAİD
Doktora
İngilizce
1990
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET TOMAK