Farklı katkılanmış yarı iletken malzemelerin arayüzey potansiyel profillerinin belirlenmesi
The determination of interface potential profiles of differently doped semiconductor materials
- Tez No: 34308
- Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. YÜKSEL ERGÜN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Arayüz özellikleri, Kuantum kuyusu, Yarı iletkenler, Two-dimensional electron gas (2DEG). Si - S dope, Ga4s layer, interface potential profile, quantum well, subband, band bending, band- energy, Interface properties, Semiconductors
- Yıl: 1994
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET Yüksek Lisans Tezi FARKLI «ATKILANMIŞ YARIİLETKEN MALZEMELERİN ARAYÜZEY POTANSİYEL PROFİLLERİNİN BELİRLENMESİ Emine OZTURK Cumhuriyet Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Deli Danışman: Yrd.. Doç. Dr. Yüksel Ergün Bu çalışmada ilk olarak düşük boyutlu sistemlerin temel özellikleri belirtildikten sonra, bulk Si ve GaAs yarıiletkenlerin özellikleri ve bu konuda yapılan çatışmalar özetlenmiştir. Son olarak, self-consistent (kendi-içinde tutarlı) hesap kuralları verilmiş ve iki GaAs tabakası arasında Si tabakası oluşturularak büyütülen £-katkılanmış GaAs yapısında arayüzey potansiyel profili, self-consistent' olarak hesaplanmıştır. ANAHTAR KELİMELER İki-boyutlu elektron gazı, S\-S katkılama GaAs katmanı, arayüzey potansiyel profili, kuantum kuyusu, altband, band eğilmesi, band enerjisi.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT M. Sc. Thesis THE DETERMINATION OF INTERFACE POTENTIAL PROFILES OF DIFFERENTLY DOPED SEMICONDUCTOR MATERIALS Emine ÖZTÜRK Cumhuriyet. University Graduate School of Natural and Applied Science; Department of Physics Supervisor : Dr. Yüksel ERGUN In this study, firstly, the main features of low dimensional systems were reported. Then, general informations about the modulation-doped and £-doped structures were given and the studies about this subject were summarized. Finaffy, seff-consistent calculation rules were expfanied for this aim, interface potential profile in 6-daped GeAs structure grown by forming SHeyer between the two GaAs layers is calculated self-consistently.
Benzer Tezler
- Arayüz oksit tabakası ve seri dirence sahip ruln-Si schottky diyod parametrelerinin doğru beslem I-V ve C-V karakteristiklerinden hesaplanması
Başlık çevirisi yok
ÖZKAN VURAL
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Poli (etilen glikol)'e gama ışınlarının etkisinin kristalinite ve morfolojiye bağlılığı
Başlık çevirisi yok
EMİN ARCA
Doktora
Türkçe
1987
Kimya MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. OLGUN GÜVEN
- Gerçek zamanlı sistemlerde iş sıralama
Scheduling in real-time systems
VAHİDE UNUTMAZ
Yüksek Lisans
Türkçe
1993
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiDOÇ.DR. BÜLENT ÖRENCİK
- Katkılanmış yüksek sıcaklık üstüniletkenlerinde yük taşıyıcıların incelenmesi
Investigation on the charge carriers in the doped high-Tc superconductors
OSMAN KAYMAK
Yüksek Lisans
Türkçe
1994
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TEZER FIRAT
- Katkılanmış poliasitilende e-e etkileşmelerinin yasak enerji aralığı ve düzen parametresine olan etkisi
The Effect of e-e interactions on the banned energy gap and order parameter in doped polyacetylene
SALİH DEĞİRMENCİ
Yüksek Lisans
Türkçe
1997
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziosmanpaşa ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. NACİ SÜNEL