Arayüz oksit tabakası ve seri dirence sahip ruln-Si schottky diyod parametrelerinin doğru beslem I-V ve C-V karakteristiklerinden hesaplanması
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 76277
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Arayüzler, Schottky diyodları, Seri direnç, Interfaces, Schottky diodes, Series resistance
- Yıl: 1998
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ARA YÜZEY OKSİT TABAKASI VE SERİ DİRENCE SAHİP Au/n-Si SCHOTTKY DİYOT PARAMETRELERİNİN DOĞRU BESLEM I-V VE C-V KARAKTERİSTİKLERİNDEN HESAPLANMASI (Yüksek Lisans Tezi) Özkan VURAL GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ TEMMUZ 1998 ÖZET Bu çalışmada LPE (Liquid-Phase-Epitaxy) tekniği ile büyütülmüş [100] yönelimine sahip 0,01 fi.cm özdirençli fosfor(P) katkılanmış n+ taban malzemesi üzerine 15 jım kalınlığında 2 Q.cm özdirençli, antimon(Sb) katkılanmış n-tipi silisyum(Si) kristali kullanıldı. Ultrasonik banyoda kimyasal olarak temizlenen ve yüksek vakum ortamında hazırlanan Au/n-Si Schottky engel diyodlarmın I-V karakteristiklerinden temel diyod parametreleri olan idealite faktörü(n), doyum akımı (I0), potansiyel engel yüksekliği(OBn) ve seri direnç (Rs) farklı metotlarla hesaplanılarak karşılaştırıldı. Ayrıca hemen hemen tüm elektriksel karakteristikleri etkileyen arayüzey durum yoğunluklan(Nss), I-V karakteristiklerinden yasak enerji aralığının fonksiyonu olarak hesaplandı. Oda sıcaklığındaki doğru beslem I-V grafiğinin orta beslem bölgesindeki lineer kısmının eğiminden idealite faktörü(n) ve bu lineer kısmın sıfır beslemde akım eksenini kestiği nokta olan 6,3.1 0'9 A doyum akım değerinden de potansiyel engel yüksekliği(OBn) sırasıyla 1,22 ve 0,78 eV bulundu. Bu deneysel I-V eğrisine, teorik I-V eğrisinin fit edilmesiyle diyod seridirenci(Rs), idealite faktörü(n) sırasıyla 26 Q ve 1,2 olarak bulundu. Elde edilen sonuçlardan daha emin olabilmek için H. Norde tarafından sunulan ve önce K. Sato ile Yasamura ve sonra da K.E. Bohlin tarafından geliştirilen F(V) fonksiyonu-V grafiğinden de n, Rs ve ®en sırasıyla n=l,25, Rs =25 Q ve ^Bn =0,78 eV bulundu. Buna ilaveten N.W. Cheung ile S. K. Cheung tarafından sunulan H(V)fonksiyonu-I grafiğinin eğiminden n ve Rs sırasıyla 1,27 ve 25,5 Q bulundu. Elde edilen bu sonuçlardan, hazırlanan Au/n-Si Schottky diyodunun hem arayüzey oksit tabakasma hem de bir seri dirence sahip olduğu sonucuna varıldı. Ayrıca idealite faktörü (n) ve potansiyel engel yüksekliği(OBn)'nin voltaja bağlı olduğu düşüncesinden hareket ederek, metal ile yarıiletken arasında yasak enerji aralığına dağılmış arayüzey durum yoğunluklarının profili enerjinin fonksiyonu olarak elde edildi. Bu arayüzey durumları 0.4-0.8 eV yasak enerji aralığına hemen hemen U biçiminde dağılmıştır ve yaklaşık 5. 1012 cm^eV"1 mertebesindedir. Bilim kodu Anahtar kelimeler Sayfa adedi Tez yöneticisi 404.05.01 Arayüzey durumları, seri direnç, ilave kapasitans 59 Yard.Doç.Dr. Şemsettin ALTINDAL
Özet (Çeviri)
m THE CALCULATION OF FORWARD BIAS I-V AND C-V CHARACTERISTICS OF A Au/n-Si SCHOTTKY DIODE PARAMETERS, POSSESSING SERIAL RESISTANCE AND INTERFACIAL OXIDE LAYERS (M.Sc. Thesis) Özkan VURAL GAZİ UNIVERSITY INSTITUDE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY JULY 1998 ABSTRACT In this study antimony (Sb) doped with n-type silicon (Si) crystal, which has 15 pjn thickness and 2 Q cm resistivity, has been used over n+ substrate material phosphor (P) doped with 0,01 Q. cm resistivity which has [100] the direction grown by LPE (Liquid- Phase- Epitaxy) technique. Ideality factor (n), saturation current (I0), potential barrier height (<t>Bn) and serial resistance (Rs) of basic diode parameters from I-V characteristics of Au/n-Si Schottky barrier diodes which were cleaned in ultrasonic bath and prepared under high vacuum medium have been calculated and compared with different methods. Besides interfacial state densities (Nss) which influences almost all of the electrical characteristics have been calculated as the function of banned energy intervals of I-V characteristics. Ideality factor from the slope of linear part in the middle bias are of I-V graphics forward bias under the conditions of room temperature and potential barrier height (O&i) 6.3. 10“9 A saturation current value which is the point that intersects the axis of zero bias current of this linear part have been found 1,22 and 0,78 eV, respectively.IV Diode serial resistance (Rs), ideality factor (n) have been found 26 Q and 1.2, respectively, through fitting of theoretical I-V slope to that experimental I-V slope. In order to be sure about the obtained results n, Rs and <£>Bn have been found n=l,25, Rs =25 Q and Ob”=0,78 eV respectively through F(V) function- V graphics which was presented by H. Norde and developed by K. Sato and Yasamura and K. E. Bohlin. It is found out from these results that prepared Au/n-Si Schottky diode has both interfacial oxide layer and a serial resistance. Besides, profile energy function of interfacial state densities scattered through banned energy intervals between metal and semiconductor, has been obtained by the idea that ideality factor (n) and potential barrier height (Oa,) are bound to voltage. These interfacial positions are scattered like U-type through 0,4 - 0,8 eV banned energy intervals and the result is aboutS.lO^cm^eV"1. Science code Key Words Page Number Adviser 404.05.01 Interfacial state, serial resistance, added capacity 59 Assist. Prof. Şemsettin ALTINDAL
Benzer Tezler
- P-galyum arsenür (GaAs)/anodik izolasyon filmlerin arayüzey özelliklerinin incelenmesi
Investigation of interface properties in p-gallium arsenide (GaAs)/anodic insulator films
HAYRETTİN YÜZER
- Growth and characterization of thermol SİO2 thin films
Başlık çevirisi yok
MERAL ÇELİK
Yüksek Lisans
İngilizce
1987
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiDOÇ. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU
- Etilen oksit gaz sterilizatörü tasarımı ve imaları
Design and construction of ethylene oxyde sterilizer
RIFAT TANSU KILIÇÇÖTE
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
BiyomühendislikHacettepe ÜniversitesiBiyomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ERHAN PİŞKİN
- Metal-porselen sistemlerinde arayüz bölgesinin üç nokta testi ve tarama elektron mikroskobu (ESM) ile incelenmesi
Başlık çevirisi yok
NES'EM MOL
- Production and electrical characterization of metal and polysilicon gate MOS structures
Polisilikon ve metal elektrodlu MOS yapının üretimi ve elektriksel özelliklerinin belirlenmesi
BÜLENT MUTLUGİL
Doktora
İngilizce
1992
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiPROF. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU