Indium antimonide p-in photodedectors grown on galium arsenide cooted silicon substroties by molecular beam epitaxy
Moleküler ışın epitoksisi ile galyum arsenik kaplı silikon taban üzerine büyütülmüş indiyum antimen kızılötesi p-in fotodedektörler
- Tez No: 82777
- Danışmanlar: DOÇ. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: fotodedektör, InSb, odak düzlem matrisi VI, Fotodedektörler, Galyum arsenik, İndiyum, photodetector, InSb, focal plane array IV, Photodetectors, Gallium arsenic, Indium
- Yıl: 1999
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
oz... MOLEKULER IŞIN EPITAKSISI İLE GALYUM ARSENİK KAPLI SİLİKON TABAN ÜZERİNE BÜYÜTÜLMÜŞ İNDİYUM ANTİMON KIZILÖTESİ p-i-n FOTODEDEKTÖRLER TEVKE, Ahmet Yüksek Lisans, Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü Tez Yöneticisi: Doç. Dr. Cengiz Beşikçi ı Ocak 1999, 102 sayfa Bu çalışmada, moleküler ışın epitaksisi ile GaAs kaplı Si üzerine büyütülmüş 3-5 um kızılötesi InSb fotodedektörlerin karakteristikleri, kaçak akım analizleri ve 8x8 'lik bir prototip dizin için gerekli okuma devresi tasarımı bildirilmiştir. InSb ve GaAs/Si arasındaki yüksek örgü uyumsuzluğuna rağmen, mükemmel InSb kalitesi ve iyi sayılabilecek dedektör performansı elde edilmiştir. Yeterince düşük akımın yanında, 400x80 um2 dedektörler 77 K sıcaklıkta 1x1 04Q sıfır gerilim direncine, ve 4. 5 um dalga boyunda, 1.2x1 04 V/W gerilim responsivitesine ulaşmıştır. Bu sonuçlar Si taban üzerine büyütülmüş InSb fotodedektörler için bilinen en iyi sonuçlardır ve Si taban üzerine monolitik entegre edilmiş geniş alanlı InSb odak düzlem matrisler için ümit vericidir. 77 K sıcaklıkta karanlık akımın ana bileşenlerinin, paralel akım ve tünelleme akım olduğu tespit edilmiştir. Dahayüksek sıcaklıklarda (125 K), sıfır gerilim direnci-alan çarpımını (RoA), sınırlayan akım bilşenlerinin, fakirleşmiş alandaki (depletion region) çoğalma ve birleşme (generation-recombination) akımı ile yüzey difüzyonu (surface diffusion) akımı olduğu gözlemlenmiştir. 8x8 'lik bir dizinin okuma devresi olarak ticari bir çoğullayıcı kullanılmış ve gerekli destekleyici devrelerin devre şemaları tasarlanmıştır.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT INDIUM ANTIMONIDE INFRARED p-i-n PHOTODETECTORS GROWN ON GALIUM ARSENIDE COATED SILICON SUBSTRATES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY TEVKE, Ahmet M.Sc, Department of Electrical and Electronics Engineering Supervisor: Assoc. Prof. Dr. Cengiz, Beşikçi January 1999, 102 pages In this study, the characteristics and dark current analysis of InSb 3-5 um infrared pin photodetectors grown on GaAs coated Si substrates by molecular beam epitaxy, and the design of a readout circuit for the display of a prototype 8x8 array are reported. Excellent InSb quality and reasonably good detector performance have been obtained in spite of the large lattice mismatch between InSb and GaAs/Si. Besides favorably low leakage current, 400x80 um2 detectors yielded a voltage responsivity of 1.2xl04 V/W at 77 K and around 4.5um with a zero bias differential resistance of nearly lxl 04Q. These are the best known results reported for InSb photodetectors on Si substrates and they are encouraging for the development of monolithic large area InSb focal plane arrays on Si substrates. At 77 K, the major components of the dark current were found mto be shunt and tunneling currents. At higher temperatures (125 K), generation-recombination in the depletion region and surface diffusion become the dominant limiting mechanisms for the zero bias resistance area product (RoA). A commercial multiplexer was used for the readout circuit of an 8x8 array, and the circuit schematics of necessary supplementary circuits were designed.
Benzer Tezler
- Spray pyrolyis metodu ile elde edilen Cd1-xInxS filmlerinin bazı fiziksel özelliklerinin incelenmesi
Başlık çevirisi yok
FERHUNDE İZCİ
Yüksek Lisans
Türkçe
1996
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
SALİH KÖSE
- Al-Zn-In harcanan anotların elektrokimyasal özelliklerine çinko ve indiyumun etkisi
Başlık çevirisi yok
AYHAN UMAY
- Thermally stimulated current in layered semiconductor thallium indium sulphide
Tabakalı yarı iletken talyum indiyum sülfürde ısıl uyarılmış akım
ERSİN CİVAN
Yüksek Lisans
İngilizce
1996
Eğitim ve ÖğretimOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFen Bilimleri Eğitimi Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SELAHATTİN ÖZDEMİR
- Effect of metallurgical factors on efficiency of aluminum-zing-indium sacrificial anodes
Metallurjik faktörlerinin aluminyum-çinko-indiyum galvonik anodların verimliliği üzerine etkisi
SHAHROKH SAFAEI
Yüksek Lisans
İngilizce
1993
Metalurji MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMetalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA DORUK
- Photoconductivity and thermally stimulated conductivity in thallium sulphide crystal
Talyum indiyum sülfit kristalinde fotoiletkenlik ve ısı ile uyarılmış iletkenlik
MAHMUT BUCURGAT
Yüksek Lisans
İngilizce
1998
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SELAHATTİN ÖZDEMİR