Thermally stimulated current in layered semiconductor thallium indium sulphide
Tabakalı yarı iletken talyum indiyum sülfürde ısıl uyarılmış akım
- Tez No: 56766
- Danışmanlar: PROF. DR. SELAHATTİN ÖZDEMİR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Eğitim ve Öğretim, Kimya, Education and Training, Chemistry
- Anahtar Kelimeler: Isıl uyarılmış iletkenlik, tabakalı yan iletken, yakalama tesir kesiti, kaçış frekansı, tuzak derinliği, yük tuzağı, düzensiz yapılı sistemler, yük tuzaklarının karşılıklı etkileşimi. tv, Tabakalı yarı iletkenler, Termal iletkenlik, Thermally stimulated conductivity, layered semiconductor, capture cross section, attempt to escape frequency, trap depth, trap, disorder-like systems, mutual effects of traps. iii, Layered semiconductors, Thermal conductivity
- Yıl: 1996
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fen Bilimleri Eğitimi Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Isıl uyarılmış akım (IUA), yan iletkenlerde veya yalıtkanlarda band aralığı içindeki yük tuzaklarının özelliklerini çalışmak için kullanılan hassas bir deneysel yöntemdir. Bu tezde, değişik tepecik analiz yöntemleri yardımı ile tabakalı kristal TIL1S2 yük tuzaklarının özellikleri incelenmiştir. Hepsi ferroelektrik faz içerisinde olan iç içe geçmiş altı IUA tepecikleri elde edilmiştir. 1 87 K' deki IUA tepeciğinin birbirine çok yakın IUA tepeciklerinden oluştuğu bulunmuştur. Ayrıca, oldukça küçük yakalama tesir kesiti ve kaçış frekansı değerleri alaşımların ve düzensiz yapılı sistemlerin özelliği olduğundan, TlInS2 kristalinin 90-238 K sıcaklık aralığında düzensiz yapılı sistem gibi ele alınabileceği bulunmuştur. Böylesine küçük yakalama tesir kesiti ve kaçış frekansı değerleri, birbirine çok yakın yük tuzaklarının karşılıklı etkisi olarak açıklanmıştır.
Özet (Çeviri)
Thermally stimulated conductivity (TSC) is a sensitive experimental method used to study deep levels within a semiconductor's or insulator's band gap. In this thesis, the properties of traps in layered semiconductor TUnS2 were examined by the help of different methods of analyzing TSC peaks. Six overlapping TSC peaks all of which are within the commensurate phase were obtained. The TSC peak at 187 K was found to be composed of closely spaced TSC peaks. Moreover, extremely small values of capture cross section and attempt to escape frequency were noticed. Since small values of capture cross section and the attempt to escape frequency are characteristic property for alloys and disordered systems, TIL1S2 crystal was found to be disorder-like system within the temperature interval of 90-238 K. The reason for such small values of these parameters was explained as the mutual effect of closely spaced traps to each other.
Benzer Tezler
- Photoconductivity and thermally stimulated conductivity in thallium sulphide crystal
Talyum indiyum sülfit kristalinde fotoiletkenlik ve ısı ile uyarılmış iletkenlik
MAHMUT BUCURGAT
Yüksek Lisans
İngilizce
1998
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SELAHATTİN ÖZDEMİR
- a-Si;H filimlerinde ısıl uyarlamalı akım (Thermally smilated current) ve fotoiletkenlik ölçümleri
Başlık çevirisi yok
ERONSOY TOPÇU
- Türkiye'de bulunan bazı yarıiletken minerallerin yapısal ve fotoelektriksel özelliklerinin incelenmesi
Başlık çevirisi yok
FATİH DUMLUDAĞ
- Bazı ferro elektrik kristallerin optik ve fotorelektrik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of optical and photoelectret properties of some ferroelectrics
SÜLEYMAN ÇABUK
