Al-GaAs(001) schottky diodlarında engel yüksekliğinin raryüzeydeki silisyum tabakasıyla değiştirilmesi
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 56133
- Danışmanlar: PROF.DR. YAN ISKARLATOS
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Schottky diyodları, Silisyum, Schottky diodes, Silicon
- Yıl: 1996
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
in ÖZ“Al-GaAs(OOl) Schottky Diodlarında Engel Yüksekliğinin, Arayüzeydeki Silisyum Tabakasıyla Değiştirilmesi”Bu çalışmada moleküler huzme yöntemiyle epitaksiyel olarak büyütülen ÂÎ/Si/GaÂs(001) diod yapılarında Schottky engel yüksekliği, X-ışınları fotoelektron spektroskopisi ve akım- voltaj, kapasitans- voltaj ölçümleri vasıtasıyla belirlendi. Yeterince yüksek bir Âs veya Âl akısının 1-14 atomik Si arayüzey tabakasının büyütülmesi sırasında kullanılması koşuluyla engel yüksekliğinin 0.2eV minumum bir değerden l.ieV maksimum bir değere kadar değişebileceğini gösterdik. Ayrıca 100°C ve 450°C arasında büyütme bölümü içinde tavlanmış numunelerin engel yüksekliğini X-isinlan fotoelektron spektroskopisi, akım-voltaj, kapasitans-voltaj yöntemleriyle inceledik. Oda sıcaklığında 0.2eV'dan 450°C'de 0.6eV değerine Schottky engel yüksekliğinde bir artmayı Âs katkılı Si arayüzey tabakası için gözledik. Bu sonuçlar Si/GaÂs arayüzeyinde GaÂs Fermi seviyesinin 5-14 atomik tabaka Si arayüzey kalınlıkları için ayarianabileceğini gösterir. GaÂs ve Si arasındaki enerji band aralığı ilişkisini kabul eden bir model S- 14 atomik tabaka kalınlığında Si arayüzey tabakasının engel yüksekliğinde bir azaima veya bir artmayı açıklayabilir. 1-5 atom kalınlığındaki Si arayüzey tabakaları için engel yüksekliğinin indüklenmiş Si yerel arayüzey dipolü vasıtasıyla değiştiği varsayılır.
Özet (Çeviri)
ÎV ABSTRACT“Modification of the Barrier Height of Ai-GaAs(OOl) Schottky Diodes by means of a Silicon Interface Layer”In this work, the Schottky barrier height in AÎ/Si/n-GaAs(001) diode structures grown by molecular beam epitaxy was determined by means of x-ray photoemission spectroscopy, current-voltage and capacitance-voltage measurements. We have demonstrated that the barrier height can be changed from a minimum value of 0.2eV to a maximum of l.leV provided that a sufficiently high As or Al flux is employed during the growth of the 1-14 monolayer range Si interface layer. Furthermore, the barrier height of samples annealed in their growth chamber between 100 and 450°C was investigated by means of x-ray fotoemission spectroscopy, current-voitage and capacitance- voltage measurements. An increase of Schottky barrier heights from 0.2eV at room temperature to 0.6eV at 450°C was observed in As doped Si interface layers. These results indicate that the GaAs surface Fermi level at the Si/GaAs interface for 5-14 monolayer Si interface layers can be manipulated. A model ?which assumes an energy band gap relationship between the GaAs and Si interface layers can explain an increase or a decrease in the barrier height due to the presence of a 5-14 monolayer range Si interface layer. We assume that the barrier height for 1-5 monolayer Si interface layers is changed by means of Si induced local interface dipoles.
Benzer Tezler
- Si ve GaAs alt yapılı yarı iletken materyallerin mikroyapılarının ve bazı özelliklerinin incelenmesi
The investigation of micro structures and some properties of semiconductors having Si or GaAs substraties
SÜLEYMAN AYDIN
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Eğitim ve ÖğretimAtatürk ÜniversitesiFizik Eğitimi Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. YUSUF ATICI
- Ridge waveguide ga As / Alx ga1-x as multiple quantom well laser diodes
Sırt dalga kılavuzu Ga As / Alx Ga1-x As çoklu kuantum kuyu lazer diyodlar
ABDULLAH KAMURAN TÜRKOĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
1994
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ATİLLA AYDINLI
- GaAs-Alo 3Gao 7As kuantum çukurları sistemlerinde düzlemsel fotoiletkenlik
Başlık çevirisi yok
YÜKSEL ERGÜN
Doktora
Türkçe
1991
Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ALİ GÜNGÖR
- P-galyum arsenür (GaAs)/anodik izolasyon filmlerin arayüzey özelliklerinin incelenmesi
Investigation of interface properties in p-gallium arsenide (GaAs)/anodic insulator films
HAYRETTİN YÜZER
- AlxGa1-x As / GaAs Graded ındex separate confinement heterostructure single quantum well lasers
AlxGa1-x As / Ga As değişken kırılma indisli ayrık hapisli heteroyapı tek kuvantum kuyulu lazerler
MÜMTAZ KORAY BOZKURT
Yüksek Lisans
İngilizce
1994
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ATİLLA AYDINLI