GaAs-Alo 3Gao 7As kuantum çukurları sistemlerinde düzlemsel fotoiletkenlik
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 10107
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ALİ GÜNGÖR
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Fotoiletkenlik, Kuantum kuyusu, Photoconductivity, Quantum well
- Yıl: 1991
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Uludağ Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET Bu çalışmada iki ayrı GaAs-Al Ga As kuantum çukurları sistemleri f otoiletkenlik tekniği ile incelenmiştir. Elektrik alan, kuantum çukurlarının büyütülme eksenine dik doğrultuda uygulanmıştır. Monokromatik ışık altında elde edilen spektrumlarda gözlenen eksitonik geçişler, yapılan hesaplamalarla anlaşılmaya çalışılmış ve bandlaşma etkisi Kronig-Penney modeliyle incelenmiştir. Alçak sıcaklıklarda (T<100 K) yapılan deneylerde kalıcı fotoiletkenlik her iki kuantum çukurları sistemlerinde gözlenmiştir. Son olarak örneklerden biri için fon (background) ışığı ile fotoiletkenlik deneyleri tekrarlanmış ve gözlenen“defekt”seviyesinden ortaya çıkan fotoiletkenlik maksimumu anlaşılmaya çalışılmıştır.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT In this study, two different GaAs-Al 0.3 Ga 0.7 quantum well struktures have been investigated by in-plane photoconductivity tecniquo. Different electric fields and light Intensities arc used to understand the electronic behavior of the structures. The low temperature (T<100 K) experiments show that that persistent photoconductivity is dominant. For photon energie slightly below the band gap of GaAs we find a sharp defect state at the same experimental condition. Electron and hole quantum states are calculated by using Bastard's k.p solution for single quantum well and Kronig-Penney model is used to understand subband effects for higher band to band exel tonic transitions. Light hole and electron nonparobolicities are included in both models.Dependence on background illumination intensities of whole photoconductivity spectrum show that, defect states are acceptor states. 1 1
Benzer Tezler
- Oscillatory magnetoresistance in two dimensional aemiconductor structures
İki boyutlu yarı iletken yapılarda magneto-direnç salınımı
BERRİN USLU
- GaAs MESFET karıştırıcılarda AF geribeslemenin gürültü sayısı üzerine etkisi
The Effect of if feedback on MESFET mixers noise figure
RIZA SEZER
Yüksek Lisans
Türkçe
1991
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. OSMAN PALAMUTÇUOĞULLARI
- GaAs-Ga1-xAlxAs kuantum çukurlarında yük taşıyıcıları ve eksitonların alan altındaki davranışları
Başlık çevirisi yok
HÜSEYİN SARI
- Fabrication, characterization and parameter extraction of GaAs mesfets
GaAs mesfet üretimi, karakterizasyonu ve parametrelerinin eldesi
ERHAN POLATKAN ATA
Yüksek Lisans
İngilizce
1994
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. RECAİ ELLİALTIOĞLU
- GaAs/Ga1x-AlxAs çoklu kuantum kuyularında kuantum hall olayı ve shubnikov-De haas osilasyonları
Başlık çevirisi yok
AYDIN BAYRAKLI