Fabrication, characterization and parameter extraction of GaAs mesfets
GaAs mesfet üretimi, karakterizasyonu ve parametrelerinin eldesi
- Tez No: 33733
- Danışmanlar: DOÇ. DR. RECAİ ELLİALTIOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: MESFET, GaAs, Schottky eklemi, ohmik eklem, aktif tabaka, analitik model, küçük sinyal modeli. ıı, Mikrodalgalar, MESFET, GaAs, Schottky Contact, Ohmic Contact, active channel, analytical model, small-signal model, Microwaves
- Yıl: 1994
- Dil: İngilizce
- Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
- Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Özet GaAs MESFET ÜRETİMİ, KARAKTERIZASYONU VE PARAMETRELERİNİN ELDESİ Erhan Polatkan Ata Fizik Yüksek Lisans Tez Yöneticisi: Doç. Dr. Recai Ellialtıoğlu 28 Ocak 1994 Metal Yarıiletken Alan Etkili Transistor (MESFET), günümüz mikro- dalga endüstrisinin en yaygın kullanılan elemanıdır. MESFET teknolojisinin gelişmesinden sonra mikrodalga endüstrisi, özellikle iletişim alanında, önemli ivme kazanmıştır. Bu çabşmada, değişik boyut ve geometrilerde GaAs MESFETler üretilmiştir. Bu cihazların karakterizasyonu ve parametrelerinin eldesi alçak ve yüksek frekans bölgelerinde yapılan ölçümlerle gerçekleştirilmiştir. Üretilen MESFETlerin düşük kesim frekansları, optimize edilmemiş kapı (gate) oyuğu aşındırmasına bağlanmıştır.
Özet (Çeviri)
Abstract FABRICATION, CHARACTERIZATION, AND PARAMETER EXTRACTION OF GaAs MESFETS Erhan Polatkan Ata M. S. in Physics Supervisor: Assoc. Prof. Recai Ellialtıoğlu 28 January 1994 Metal Semiconductor Field Effect Transistor (MESFET) is the most widely used active element of today's microwave industry. After development of the MESFET technology, the microwave industry gained a high acceleration, especially in the telecommunication field. In this study, GaAs MESFETs with various dimesions and geometries were fabricated. Characterization and parameter extraction of these devices were performed, by means of low and high frequency measurements. The low cut off frequency of the MESFETs produced were attributed to the non-optimized gate recess etch.
Benzer Tezler
- 3um N-kuyu CMOS teknolojisi ile test kırmığı tasarımı ve tranzistor eşik gerilimi ayarı
Test chip design for 3 um N-well CMOS fabrication technology and threshold voltage adjustment
ZEYNEP D. TOROS
Yüksek Lisans
Türkçe
1991
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. DURAN LEBLEBİCİ
- Yüksek sıcaklık süperiletken malzemelerin üretimi ve fiziksel özelliklerinin tayini
Preparation and physical characterization of high temperature superconductors
AHMET KILIÇ
Yüksek Lisans
Türkçe
2000
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ALİ GENCER
- HISC superconducting edge-transition infrared detectoa; Principle, fabrication and characterization
HISC süperiletken ayrıt geçişli kızılötesi seziciler: İlkeler, üretim ve karakterizasyon
RIZMAN AKRAM
Yüksek Lisans
İngilizce
2000
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. MEHDİ FADMANESH
- Uçucu kül içeren alüminyum matrisli kompozit üretimi, özellikleri ve mikroyapı karakterizasyonu
Fabrication and microstructure characterization of fly ash containing aluminyum matrix composites
SEDAT KOLUKISA
Doktora
Türkçe
1999
Metalurji MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiMetalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF.DR. AHMET TOPUZ
- Sr katkılı kurşun zirkonat titanat tipi piezoseramiklerin x ışınları difraksiyonu ve taramalı elektron mikroskobu ile karakterizasyonu
Başlık çevirisi yok
KORAY KARAKAYA
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ADNAN TEKİN