GaAs-Ga1-xAlxAs kuantum çukurlarında yük taşıyıcıları ve eksitonların alan altındaki davranışları
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 28644
- Danışmanlar: Belirtilmemiş.
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Eksiton, Elektrik alanları, Heteroyapılar, Kuantum kuyusu, Yarı iletkenler, Exciton, Electric fields, Heterostructures, Quantum well, Semiconductors
- Yıl: 1993
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET Bu çalışmada ilk olarak düşük boyutlu sistemlerin temel özellikleri ve elektronik yapıları konusunda etkin kütle çerçevesinde daha önce yapılan çalışmaların bir özeti verilmiştir. Bir sonraki aşamada, sonsuz potansiyel çukuru modelinde elektrik alanının ara durumlar ve eksitonlar üzerindeki etkilerini hesapladık. Aynı zamanda, GaAs-Ga,,xAlxAs kuantum çukurunda sabit elektrik alanının eksiton taban durumu, özenerjiler ve özfonksiyonlar üzerindeki etkilerini bağlı durumun kuantum çukurundan dışarıya sızma sürecini ve yan-bağlılık koşulunu incelememize olanak sağlayan yeni çözüm tekniklerini kullanarak hesapladık. Son olarak graded GaAs - Ga,.xAlxAs kuantum çukurunda enerji durumlarının elektrik alanı altındaki değişimlerini tam çözüm tekniği ile hesapladık. Hesaplamalarımız graded kuantum çukurunda ara durumlardaki enerji değişiminin elektrik alanı doğrultusuna bağlılğını ortaya koymaktadır.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT In this study, first of all a summary of the previous researches on the basic properties and the construction of the electronic structure of the low dimensional systems within the framework of the effective mass approximation has been given. Secondly, the effects of an electric field on the subbands and excitons in a quantum well are discussed with the use of an infinite-potential barrier model. Also we have calculated the effects of a constant electric field on the exciton ground state, eigenenergies and eigenfunctions of states in a GaAs-Ga,.xAlxAs quantum well by using new techniques which allow one to follow the development of the quantum well eigenstate outside the well and to determine the validity of the quasi-bound state approximation. Finally, we have calculated the energy shifts in an electric field in a GaAs-Ga^A^As graded gap quantum well by using an exact solution. Our calculations have revealed the dependence of energy shifts of subbands on the field direction in the graded gap quantum well. n
Benzer Tezler
- Düşük boyutlu yarı iletken heteroyapılarda elektronik ve optik özelliklerin alan altındaki değişimi
The Field dependence of the electronic and optical properties in the low dimensional semiconductor heterostructure
ESİN KASAPOĞLU
Doktora
Türkçe
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İSMAİL SÖKMEN
- Photoionization and polarization of electrons in bulk and low-dimensional semiconductors
Başlık çevirisi yok
KHALED FAİSAL ILAİWİ
- Ridge waveguide ga As / Alx ga1-x as multiple quantom well laser diodes
Sırt dalga kılavuzu Ga As / Alx Ga1-x As çoklu kuantum kuyu lazer diyodlar
ABDULLAH KAMURAN TÜRKOĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
1994
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ATİLLA AYDINLI
- GaAs-Alo 3Gao 7As kuantum çukurları sistemlerinde düzlemsel fotoiletkenlik
Başlık çevirisi yok
YÜKSEL ERGÜN
Doktora
Türkçe
1991
Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ALİ GÜNGÖR
- GaAs MESFET karıştırıcılarda AF geribeslemenin gürültü sayısı üzerine etkisi
The Effect of if feedback on MESFET mixers noise figure
RIZA SEZER
Yüksek Lisans
Türkçe
1991
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. OSMAN PALAMUTÇUOĞULLARI