Düşük boyutlu yarı iletken heteroyapılarda elektronik ve optik özelliklerin alan altındaki değişimi
The Field dependence of the electronic and optical properties in the low dimensional semiconductor heterostructure
- Tez No: 83755
- Danışmanlar: PROF. DR. İSMAİL SÖKMEN
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Eksiton Bağlanma, asimetrik kuantum kuyusu, mağnetik alan, optik soğurma, Kuantum kuyusu, Optik özellikler, Yarı iletkenler, Exciton binding, asymmetric quantum well, magnetic field» optical absorbtion, Quantum well, Optical properties, Semiconductors
- Yıl: 1999
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET Doktora Tezi DÜŞÜK BOYUTLU YARIİLETKEN HETERO YAPILARDA ELEKTRONİK VE OPTİK ÖZELLİKLERİN ALAN ALTINDAKİ DEĞİŞİMİ Esin KASAPOĞLU DOKTORA TEZİ FİZİK ANABİLİM DALI Haziran- 1999 Danışman Prof. Dr. İsmail SÖKMEN Bu çalışmanın ilk aşamasında simetrik-asimetrik GaAs/Ga1-_xAlxAs tek ve çift kuantum kuyularındaki eksiton bağlanma enerjisi, etkin kütle yaklaşımında varyasyonel olarak potansiyel simetrisi, kuyu genişliği ve büyütme doğrultusuna paralel olarak uygulanan mağnetik alanın fonksiyonu olarak hesaplandı. Daha sonra tek ve çift kuantum kuyularında elektrik alan altındaki bantiçi geçişlerin yapı simetrisine ve elektrik alana bağlılığı incelendi. Son olarak, eğik mağnetik alan altında tek kuantum kuyusundaki taban durum eksiton bağlanma enerjisi eğim açısına, mağnetik alana ve kuyu genişliğine bağlı olarak hesaplandı.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT PhD The Field Dependence of The Electronic and Optical Properties in The Low Dimensional Semiconductor Heterostructure Esin KASAPO?LU Cumhuriyet University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics June- 1999 Supervisor: Prof. Dr. Ismail SÖKMEN In this study, the binding energy of excitons in symmetric-asymmetric GaAs/Ga1_xAlxAs single and double quantum wells is calculated variationaliy within the effective mass approximation as a function of the potential symmetry, quantum well widths and magnetic field. Intersubband transitions in the single and double quantum wells under the electric field are analyzed as a function of the potential symmetry and electric field. Ground state of exciton binding energy in the single quantum well in a tilted magnetic field is calculated as a function of the tilted parameter- 0, magnetic field and well width.
Benzer Tezler
- Electronik properties of semiconductor heterojunctions
Yarıiletken heteroyapılarının elektronik özellikleri
MARWAN İZZAT EL KAWİNİ
- Farklı katkılanmış yarı iletken malzemelerin arayüzey potansiyel profillerinin belirlenmesi
The determination of interface potential profiles of differently doped semiconductor materials
EMİNE ÖZTÜRK
Yüksek Lisans
Türkçe
1994
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. YÜKSEL ERGÜN
- A Bound polaron under a magnetic field in two-dimensionality confined semiconductor systems
Başlık çevirisi yok
BASSAM SAQQA
Yüksek Lisans
İngilizce
1987
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiDOÇ. DR. ATİLLA ERÇELEBİ
- Advanced monte carlo modeling of III-V field-effect transistors
III-V alan etkili transistörlerin monte carlo modellemesi
AYDIN TURABİ BAKIR
Yüksek Lisans
İngilizce
1999
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ
- Küçükçekmece-Büyükçekmece gölleri arasındaki alanın yamaç stabilitesi
Başlık çevirisi yok
İBRAHİM HALİL ZARİF