Geri Dön

Photoionization and polarization of electrons in bulk and low-dimensional semiconductors

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 12868
  2. Yazar: KHALED FAİSAL ILAİWİ
  3. Danışmanlar: PROF.DR. MEHMET TOMAK
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: düşük- boyutlu yarı iletkenler, Sığ yabancı atomlar, foto- iyonlaşma, kutuplanma, Fotoiyonlaşma, Kutuplaşma, Yarı iletkenler, low- dimensional semiconductors, shallow impurity, photoionization, polariz- ability, Polarization, Semiconductors
  7. Yıl: 1991
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

YARIİLETKEN VE DÜŞÜK-BOYUTLU YARIİLETKENLERDEKİ ELEKTRONLARIN FOTO-İYONLAŞMASI VE POLARİZASYONU ILAIWI, Khaled Faisal Fen ve Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, Doktora Tezi Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Mehmet Tomak 84 sayfa, Şubat 1991 ÖZET Foto- iyonlaşma tesir kesitinin foton enerjisine bağımlılığı yarıiletkenlerdeki yabancı atomlar için değişik potansiyel modelleri kullanılarak hesaplanmıştır. Anizotropi etkileri dikkate alınmış ve spektrumu önemli bir şekilde etkilediği gösterilmiştir. Sonlu GaAs/Ga1-sAl2As kuantum kuyularındaki sığ verici yabancı atomların kutuplanabilirliği Hasse varyasyonel yöntemle etkin kütle yaklaşımında hesaplanmıştır. Kutuplanabilirliğin magnetik alana bağımlılığı incelenmiştir. Elektrik alan altındaki bir boyutlu potansiyel kuyusunda bulunan altbant elektronun kutuplanması nümerik olarak hesaplanmıştır. Literatürde rapor edilen negatif kutuplan manın, sonsuz kuantum kuyusu ile elektrik alanın sadece kuyu içinde etkili olduğu sonlu kuyulardaki geçerliliği gösterilmiştir. Sonlu ve serbest elektrik alan durumu için bütün alan değerlerinde pozitif kutuplanma bulunmuştur.

Özet (Çeviri)

PHOTOIONIZATION AND POLARIZATION OF ELECTRONS IN BULK AND LOW-DIMENSIONAL SEMICONDUCTORS DLAIWI, Khaled Faisal Faculty of Arta and Sciences Department of Physics, Ph. D. Thesis Supervisor: Prof. Dr. Mehmet Tomak 84 pages, February 1991 ABSTRACT The dependence of photoionization cross- section on photon energy is calculated for bulk impurities using different impurity potentials. The effect of anisotropy is taken into account and is shown to affect the spectral dependence drastically. The polarizabilities of shallow donors in finite- barrier GaAa/Gal-aAlMAs quantum wells are calculated using the Hasse variational method within the effective- mass approx imation. The magnetic field dependence of polarizabilities is also studied. The polarization of a subband electron confined in a one- dimensional potential well in the presence of a uniform electric field is calculated numerically. It is shown that the anomolous negative polarization reported in the literature results for the case of an infinite and a finite- barrier Quantum Well with electric field confined to the well region. We find positive polarization for all values of the applied field for this seconed case.

Benzer Tezler

  1. Electronik properties of semiconductor heterojunctions

    Yarıiletken heteroyapılarının elektronik özellikleri

    MARWAN İZZAT EL KAWİNİ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    1992

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    PROF. DR. MEHMET TOMAK

  2. Properties of shallow impurities in quantum wells and wires

    Başlık çevirisi yok

    MOHAMMAD KHALİL EL-SAİD

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    1990

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET TOMAK

  3. Titanyum atomunun toplam ve kısmi fotoiyonlaşma tesir kesiti hesapları

    The Partial and total photoionisation cross-sections of atomic titanium

    MUSTAFA ALEVLİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2001

    Fizik ve Fizik MühendisliğiMarmara Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ZİKRİ ALTUN