Yarıiletken heteroyapılarda sıcaklığın ve basıncın yüklü parçacıklara etkisinin bilgisayar analizi
Computer analysis of temperature and pressure effects on the charged particles in semiconductor heterostructures
- Tez No: 101011
- Danışmanlar: DOÇ.DR. HİLMİ ÜNLÜ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Basınç, Bilgisayar destekli analiz, Sıcaklık, Yarı iletkenler, Pressure, Computer aided analysis, Temperature, Semiconductors
- Yıl: 2000
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
YARIİLETKEN HETEROYAPILARDA SICAKLIĞIN VE BASINCIN ELEKTRİK YÜKLÜ PARÇACIKLARA ETKİSİNİN BİLGİSYAR ANALİZİ ÖZET Günümüzde önemli rol oynayan bilgi işlem ve haberleşme teknolojilerinin yapıtaşlanm oluşturan elektronik cihazların üretiminde Ge, Si, GaAs ve InP gibi yarıiletken kristaller büyük önem taşımaktadır. GaAs, InP gibi III-V ikili ve AlGaAs ve InGaAs gibi alaşım yarıiletkenlerden yapılan heteroyapılar ekonomik olarak teknolojide geniş ölçüde uygulanmaktadır. Elektronik ve optiksel özelliklerinden yararlanılarak önemli kristaller yapılmaktadır. III-V ikili ve üçlü (alaşım) bileşiklerinden oluşan heteroyapılarda, serbest yüklü taşıyıcıların hareket yeteneğinin ve sürüklenme hızının yüksek olmasından dolayı mikrodalga ve haberleşme optiksel cihazlarda kullanılmaktadır. Bu yarıiletkenler Si ve Ge tabanlı cihazlardan çok daha yüksek elektron ve boşluk mobilitesine (hareket yeteneği) sahiptir. ikili (binary) ve üçlü (ternary) yarıiletken heteroyapılardan yapılan yüksek hızlı ve düşük fiziksel gürültülü elektronik ve optoelektronik cihazların kullanımında, ortam sıcaklığının ve basıncın neden olduğu bazı ölçüm belirsizlikleri vardır. Bu tezin kapsamı içinde, sayısal modelleme ile fiziksel gürültüsü düşük, yüksek hızla çalışan GaAs ve mikrodalga VLSI devre tasarımı için önemli olan, GaAs/Ge heteroyapıda sıcaklığın ve basıncın enerji band seviyelerine ve serbest yüklü parçacık (elektron ve boşluk) hareketlerine etkileri incelenmiştir. Özellikle, NGaAs/pGe/nGe (EgN>Egp) heteroyapısının (HBT) enerji band aralığı ve yüklü parçacık hareketi sıcaklığın ve basıncın fonksiyonu olarak incelendi. Bu çalışmanın sonunda, elektron-fonon etkileşmesinin ve hacimsel genleşmenin heteroyapı bipolar transistörlerin veriminde önemli rol oynadığı tespit edilmiştir. xı
Özet (Çeviri)
COMPUTER ANALYSIS OF TEMPERATURE AND PRESSURE EFFECTS ON ELECTRICALLY CHARGED PARTICLES IN SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES SUMMARY Semiconductor crystals such as Ge, Si, GaAs and InP are very important for the fabrication of electronic and optoelectronic devices, which form the corner stones of data processing and communication technologies in our daily life. Heterostructures made from binary and ternary semiconductors such as GaAs, InP, AlGaAs and InGaAs, are important in computer technology on vast scale. Important crystals are made by benefiting from their electronic and optoelectronic properties. They are important because of the fact that the mobility therefore speed of free carriers are much higher than bulk Si and Ge crystals. There are uncertainties in measurement of the performance of the devices caused by environment temperature and pressure. The effects of temperature and pressure on the energy levels and the mobility of free carriers (electrons and holes) in GaAs/Ge heterostructures and the current gain of Npn GaAs/Ge heterojunction bipolar transistors (HBT) are studied using numerical analysis. It is concluded that the electronic band structure of bulk semiconductors and GaAs/Ge heterostructures show alterations upon increasing temperature. Furthermore, the dc current gain of Npn GaAs/Ge heterojunction bipolar transistors (HBTs) decreases with increasing temperature. Xll
Benzer Tezler
- AlxGa1-x As / GaAs Graded ındex separate confinement heterostructure single quantum well lasers
AlxGa1-x As / Ga As değişken kırılma indisli ayrık hapisli heteroyapı tek kuvantum kuyulu lazerler
MÜMTAZ KORAY BOZKURT
Yüksek Lisans
İngilizce
1994
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ATİLLA AYDINLI
- The Electronic structure and optical absorbtion in modülation doped semiconductor heterostructures
Modülasyon katkılı yarıiletken heteroyapılarda elektronik yapı ve optik soğurma
RAFİG ABDALLA AL-KHADER
Doktora
İngilizce
1994
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET TOMAK
- Electronik properties of semiconductor heterojunctions
Yarıiletken heteroyapılarının elektronik özellikleri
MARWAN İZZAT EL KAWİNİ
- Düşük boyutlu yarı iletken heteroyapılarda elektronik ve optik özelliklerin alan altındaki değişimi
The Field dependence of the electronic and optical properties in the low dimensional semiconductor heterostructure
ESİN KASAPOĞLU
Doktora
Türkçe
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İSMAİL SÖKMEN
- Modülasyon katkılı hetero-eklemlerin elektronik özellikleri
Electronic properties of modulation doped heterojunctions
A. TÜRKER TÜZEMEN
Yüksek Lisans
Türkçe
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. METİN ÖZDEMİR