The Electronic structure and optical absorbtion in modülation doped semiconductor heterostructures
Modülasyon katkılı yarıiletken heteroyapılarda elektronik yapı ve optik soğurma
- Tez No: 35608
- Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET TOMAK
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Heteroyapılar, Modülasyon yöntemleri, Soğurma, Yarı iletkenler, Heterostructure, Optical absorption, Self consistent, Heterostructures, Modulation methods, Absorption, Semiconductors
- Yıl: 1994
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
oz MODÜLASYON KATKILI YARIİLETKEN HETEROYAPILARDA ELEKTRONİK YAPI VE OPTİK SO?URMA AL-KHADER, Rafiq Abdalla Doktora Tezi, Fizik Anabilim Dalı Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Mehmet TOMAK Haziran 1994, 70 sayfa. Modülasyon katkılı Zno.53Gao.4r As/n - Iuo^AIoasAs heteroyapılarda alt bantlar kendisiyle- uyumlu varyasyonel yöntemle hesaplanmaktadır. Aynı hesap 6- katkılı GaAs/n ~ Ga,ı-xAlxAs heteroyapılarda tekrar lanmıştır. Bu durumda, daha yüksek yük taşıyıcı yoğunluğu bulunmuştur. Uç alt bantın dolu olduğu modülasyon katkılı Ino.53Gao.47As/» - Ino.s2Alo.4sAs heteroyapılarda bantlararası optik soğurma katsayısı hesaplanmak tadır. Hesaplanan çizgi formları modülasyon katkılı kuantum kuyularındaHne benzemektedir. Daha ileri kıyaslama için deneyesel veriler gerekmektedir. Anahtar kelimeleri : Heteroyapı, Optik soğurma, kendisiyle uyumlu Büim Dalı Sayısal Kodu : 404.05.01 iv
Özet (Çeviri)
ABSTRACT THE ELECTRONIC STRUCTURE AND OPTICAL ABSORPTION IN MODULATION DOPED SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES AL-KHADER, Rafiq Abdalla Ph. D. in Physics Supervisor: Prof. Dr. Mehmet TOMAK June 1994, 70 pages. The energy subband structure of modulation- doped 7no.53Gao.47As/n- Iuo.mAIa&As heterostructures is calculated in a variational self- consistent man ner. The dependence on various device parameters are examined. The many- body exchange- correlation effects are taken into account. Same calculation is also done for a 8- doped GaAs/n - Gax~xAlxAs heterostructure. In this case, a higher carrier concentration is obtained. The intersubband optical absorption coefficient has been calculated for the modulation doped Jno.53Gao.47 As /n- Iuq^AIa^As heterostructure, where the three calculated lowest subbands are occupied. The calculated lineshapes are similar to those in modulation doped quantum wells. The experimental results are needed for further comparison.
Benzer Tezler
- La3Lu2Ga3O12: Cı3+: Nd3+ lazer kristallerinde sıcaklığın Cr3+-Nd3+ enerji transferine etkisi
Başlık çevirisi yok
GÜLEFŞAN YILDIRIM
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. GÖNÜL ÖZEN
- Harici optik geribeslemenin laser diyod karakteristikleri üzerine etkisi
The Effects of optical feed back on laser diode characteristics
ORHAN KAMİL GÜREL
Yüksek Lisans
Türkçe
1995
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiDOÇ.DR. KENAN DANIŞMAN
- Amorf silisyumda staebler wronski etkisinin fotoiletkenlik parametresi üzerindeki rolü
The Role of staebler-wronski effect on the prameter of photocondictivity in amorphus silicon
SEVİLAY UĞUR
- Yeni sübstitüe ftalosiyaninlerin sentezi ve özelliklerinin incelenmesi
Başlık çevirisi yok
ŞEBNUR MEREY
Doktora
Türkçe
1998
Kimyaİstanbul Teknik ÜniversitesiAnorganik Kimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÖZER BEKAROĞLU
- Pirol'ün akrilik asit ile kopolimerizasyonu
Oxidative polymerization of pyrrole with acrylic acid
HALE AYŞE ERDEM
Yüksek Lisans
Türkçe
1997
Kimyaİstanbul Teknik ÜniversitesiFizikokimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEZAİ SARAÇ