Geri Dön

Yarı iletkenlerin optik özellikleri

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 50953
  2. Yazar: SÜLEYMAN YILMAZ
  3. Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. FETHİ BALDEMİR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Yarıiletken, optik özellikler, emme katsayısı, magnetik alan, elektrik alan, Manyetik alanlar, Yarı iletkenler, Semiconductor, Optical properties, absorption coefficient, magnetic field, electric field, Magnetic fields, Semiconductors
  7. Yıl: 1996
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Fırat Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

ÖZET Yüksek Lisans Tezi YARIİLETKENLERİN OPTİK ÖZELLİKLERİ Süleyman YILMAZ Fırat Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabiliın L>ak 1996, Savla: 46 Bu çalınmada, bazı yarıiletkenlerin optik özellikleri teorik olarak incelendi. Uygulanan elektrik ve magnetik alanın band yapısına etkisi gözlendi. Uygulanan 10 Tesla'lık magnetik alanda, yarıiletkenin emme band aralığının arttığı görüldü. Uygulanan 30 kV'cm'lik elektrik alanda, emme band andığının küçüldüğü görüldü. Sonuç olarak, uygulanan magnetik alanda optik emilme için, dalıa fazla toton enerjisine ihtiyaç olduğu, uygulanan elektrik alanda optik emilme için, daha az foton enerjisinin yeterli okluğu görüldü..

Özet (Çeviri)

SUMMARY Masters Thesis OPTICAL PROPERTIES OF SEMICONDUCTORS Süleyman YILMAZ Fırat University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics 1996, Pages: 46 In tliis study, the optical property's investigation of some semiconductors is observed at applied magnetic and electric fields. It known that, the semiconductors band structure cltange under magitetic and electric fields. Absorption band edge is increased at 10 Tesla magnetic field, but the absorption band edge is decreased at 30 kV/cm electric field. Finally, at applied magnetic field, more photon energy to be necessary is observed for optical absorption. At applied electric field, less photon energy to be sufficiency is observed for optical absorption.

Benzer Tezler

  1. Yarı iletkenlerin optik özellikleri

    Başlık çevirisi yok

    TÜLAY HURMA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1989

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUHSİN ZOR

  2. Tabakalı Gate yarı iletken bileşiğinin optik özelliklerini fotoluminesans tekniği ile incelenmesi

    The investigation of optical properties of layered ga te semiconducter using photo luninescu technique

    MURAT GÜLNAHAR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2000

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. HASAN EFEOĞLU

  3. Düşük boyutlu yarı iletken heteroyapılarda elektronik ve optik özelliklerin alan altındaki değişimi

    The Field dependence of the electronic and optical properties in the low dimensional semiconductor heterostructure

    ESİN KASAPOĞLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1999

    Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. İSMAİL SÖKMEN

  4. Düşük boyutlu yarıiletken yapılarda optik dalgalar

    Başlık çevirisi yok

    AYŞE EROL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1997

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. M. ÇETİN ARIKAN