Tabakalı Gate yarı iletken bileşiğinin optik özelliklerini fotoluminesans tekniği ile incelenmesi
The investigation of optical properties of layered ga te semiconducter using photo luninescu technique
- Tez No: 96393
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. HASAN EFEOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Fotolüminesans, Tabakalı yarı iletkenler, Photoluminescence, Layered semiconductors
- Yıl: 2000
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET Yarıiletken elektronik devre elemanları ve optoelektronik cihazları her geçen gün önemi artan bir teknoloji haline gelmiştir. Bu devre elemanlarında, taban malzeme olarak kullanılan yarıiletkenin diğer özelliklerinin yanında optik özelliklerininde bilinmesi gereklidir. Cihazların tasarımı, geliştirilmesi ve üretiminde gerekli olan temel bilgi, malzemenin temel niteliklerinin elde edilmesiyle sağlanır. GaTe kristalinin optik özellikleri, fotolüminesans tekniği ile araştırıldı. GaTe yarıiletkeni yakın kızılötesi bölgede teknolojik uygulama potansiyeline sahip olan bir bileşiktir. GaTe'nin bu özelliğinden dolayı, bu çalışma teknolojik uygulamalarda optik özellikler yönünden gerekli olan bilgiyi sağlamak amaçlandı ve yönlendirilmiş doğrudan katılaşma tekniği ile büyütülmüş GaTe kristalinin optik özellikleri fotolüminesans tekniği ile araştırıldı. Fotolüminesans ölçümleri sıcaklığa ve lazer gücüne bağlı olarak yapıldı ve bu ölçümlerden ışımalı geçiş mekanizmaları tanımlandı. Sıcaklığa, ısıl işleme ve uyarma şiddetine bağlı ölçümlerden ısıl işlemin yarıiletkenin optik özellikleri üzerindeki etkisi incelendi.
Özet (Çeviri)
u SUMMARY The electronic circuit elements based on semiconductors optoelectronic devices have become more and more important in technology. It is necassary to be known that semiconductors using for substrate device not only other properties but also optical properties. Basic information that needed at device design, improvement and manufacturing is provided to known of basic physics properties of materials. GaTe semiconductor is a compound having potential technologicial application in near infrared region. Because of this properties of GaTe, this study have done to provide the information. In this study the optical properties of the as grown and annealed GaTe cyrstals were studied using photoluminescence (PL) technique. In explanation of radiative transition mechanism, temperature and laser power dependent PL measurements were used. Annealing effect on GaTe also investigated using low temperature and temperature dependent PL measurements. <&£. ^taffiÖ&MTİBfl HSmSM
Benzer Tezler
- Ga Te tabakalı kristalinin büyütülmesi ve omik kontak optimizasyonu
The growth of Ga Te layered crystal and ohmic contact optimization
CEVDET COŞKUN
Doktora
Türkçe
2000
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HASAN EFEOĞLU
- Tokat Merkez İlçe'de kaynak kullanımı destekleme fonundan yararlanan sığır besiciliği işletmelerinin ekonometrik analizi
Başlık çevirisi yok
MUSTAFA KILIÇ
Yüksek Lisans
Türkçe
1994
ZiraatGaziosmanpaşa ÜniversitesiTarım Ekonomisi Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ADNAN ÇİÇEK
- Şanlıurfa (Akçakale) tarımsal üretim planlaması
Agricultural production planning in Akçakale district of Şanlıurfa
HÜSEYİN AVNİ CİNEMRE
- Kahramanmaraş, Hartlap Orman İşletme Şefliği Sedir (Cedrus libani A. Rich) meşcerelerinde kuruluş özellikleri ve gerekli silvikültürel işlemler
Başlık çevirisi yok
DERYA AVŞAR
Yüksek Lisans
Türkçe
1993
Ormancılık ve Orman Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiOrman Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TOLGAY ODABAŞI
- Modified rock mass rating (M-RMR) system and roof behavior model
Düzeltilmiş RMR sınıflama sistemi (M-RMR) ve tavan tabakası davranış modeli
İHSAN ÖZKAN
Doktora
İngilizce
1995
Maden Mühendisliği ve MadencilikOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. ERDAL ÜNAL