Geri Dön

Ga Te tabakalı kristalinin büyütülmesi ve omik kontak optimizasyonu

The growth of Ga Te layered crystal and ohmic contact optimization

  1. Tez No: 96383
  2. Yazar: CEVDET COŞKUN
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. HASAN EFEOĞLU
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Kristaller, Omik kontak direnci, Tabakalı kristaller, Crystals, Omic contact resistance, Laminated crystalls
  7. Yıl: 2000
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bridgman-Stockbarger metoduna dayalı, programlanabilir doğrudan katılaştırma {Programmable Directional Freezing) tekniğiyle büyütülen GaTe tabakalı kristali üzerinde bir dizi omik kontak çalışması yapıldı. Transmission Line Method (TLM) {Ladder Network) tekniği kullanılarak yapılan spesifik omik kontak direnci ölçümlerinde kontak malzemeleri olarak in, Au, Al, Ag elementleri ve Au-In alaşımı kullanıldı. Basamaklı (ladder) yapı, gölge maske (shadow mask) kullanılarak kristal üzerine transfer edildi. En düşük omik kontak direnci, in elementi için 200 °C ve 2.5 dk tavlama şartlarıyla 2.5+1.4xl0"5 Qcm2 olarak belirlendi. Bu yapı üzerinde altı aya kadar yapılan yaşlanma ölçümlerinde yapının kararlılığının korunduğu görüldü. Bu çalışmada kullanılan diğer kontak malzemelerinin, 175-400 °C sıcaklık aralığında 5 dk süreyle yapılan ısıl işlem sonucunda doğrultucu davranış gösterdiği anlaşıldı ve yüksek kontak dirençleri sebebiyle bu yapılar üzerinde omik kontak ölçümü yapılamadı. XRD {X-Ray Diffraction) tekniğiyle yapılan yapısal karakterizasyon çalışmasında, metal yarıiletken arayüzeyde oluşan InGaTe2 alaşımına ait en düşük pik değerinin, optimum proses şartları olarak belirlenen 200 °C de 2.5 dk süreyle tavlanmış yapıda elde edildiği gözlendi.

Özet (Çeviri)

A systematic study on ohmic contact formation to GaTe layered crystal grown by directional freezing method based on Bridgman-Stockbarger technique has been introduced. In this study the Ladder Network {Transmission Line Method, TIM) technique was used for the measurement of specific contact resistance of ohmic contacts to GaTe. In, Au, Al, Ag metals and Au-In eutectic alloy were used as contact element. Ladder pattern formed directly on GaTe surface by evaporation of metals through a pre- patterned shadow mask. With a controllable thermal treatment process, the lowest ohmic contact with 2.5±1.4xl0"5 Hem2 was formed by In after annealing at 200 °C for 2.5 min. Ohmic contacts with that process remained very stable up to six months. Because the other elements used in this study showed rectification behaviour after annealing at 175-400 °C temperature range for 5 min, these samples didn't allow for measuring of ohmic contact resistance because of the high contact resistance. X-ray diffraction measurements showed that InGaTe2 formation at GaTe:In has the lowest value for the sample annealed with optimum process.

Benzer Tezler

  1. Tabakalı Gate yarı iletken bileşiğinin optik özelliklerini fotoluminesans tekniği ile incelenmesi

    The investigation of optical properties of layered ga te semiconducter using photo luninescu technique

    MURAT GÜLNAHAR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2000

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. HASAN EFEOĞLU

  2. Tokat Merkez İlçe'de kaynak kullanımı destekleme fonundan yararlanan sığır besiciliği işletmelerinin ekonometrik analizi

    Başlık çevirisi yok

    MUSTAFA KILIÇ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1994

    ZiraatGaziosmanpaşa Üniversitesi

    Tarım Ekonomisi Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ADNAN ÇİÇEK

  3. Modified rock mass rating (M-RMR) system and roof behavior model

    Düzeltilmiş RMR sınıflama sistemi (M-RMR) ve tavan tabakası davranış modeli

    İHSAN ÖZKAN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    1995

    Maden Mühendisliği ve MadencilikOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. ERDAL ÜNAL

  4. Şanlıurfa (Akçakale) tarımsal üretim planlaması

    Agricultural production planning in Akçakale district of Şanlıurfa

    HÜSEYİN AVNİ CİNEMRE

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1990

    ZiraatAnkara Üniversitesi

    PROF.DR. MEHMET BÜLBÜL