Düşük boyutlu yarıiletken yapılarda optik dalgalar
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 66233
- Danışmanlar: PROF.DR. M. ÇETİN ARIKAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Elipsometri, Yarı iletkenler, Ellipsometry, Semiconductors
- Yıl: 1997
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
rv öz“Düşük Boyutlu Yarıiletken Yapılarda Optik Olaylar”Bu çalışmada, düşük boyutlu yarıiletken yapıların bazı özellikleri elipsometri yöntemi ile incelenmiştir. Elipsometri, genel olarak polarize olmuş elektromanyetik dalgaların polarizasyon durumlarının ölçülmesi olarak tarif edilebilmektedir. Elipsometri, bu yapıların optik özellikleri ve tabaka kalınlıklarının belirlenmesinde duyarlı ve hasarsız bir yöntemdir. Deneylerde,“Moleculer Beam Epitaxy (MBE)”yöntemi ile büyütülmüş olan GaAs/Gaı.xAlxAs düşük boyutlu yarıiletken yapılar kullanıldı. Elipsometrik ölçümler, 1.55eV - 1.9eV foton enerji bölgesinde yapılmıştır. Elipsometrik ölçümlerden elde edilen sonuçlar, elipsometrinin kuantum kuyularında meydana gelen geçişleri belirleyebildiğini göstermiştir. Tabaka kalınlıklarının ve Al konsantrasyonunun değişken parametreler olarak alınmasıyla, bu eksitonik geçişlere karşılık gelen enerji değerleri bulunmuştur. Elipsometrik parametrelerden yararlanarak, bu yapıların etkin kırılma indisi ve söndürme katsayıları da hesaplanabilmektedir. Aynı enerji bölgesinde, bu optik sabitlerin de değişimleri incelendi. Elde edilen bu sonuçlar, bu sabitlerdeki değişimlerde de eksitonik geçişlerin gözlenebildiğini göstermiştir.
Özet (Çeviri)
V ABSTRACT“ Optical Processes in Low Dimensional Semiconductor Structures”In this study, some optical properties of low dimensional semiconductor structures have been investigated by ellipsometry. Ellipsometry can generally be as a measurement of the state of polarization of electromagnetic waves. Ellipsometry is a sensitive and non-destructive method for determining optical properties and layer thicknesses of these structures. In the investigations, GaAs/Gai.xAlxAs low dimensional semiconductor structures grown by“Moleculer Beam Epitaxy (MBE)”have been used. Ellipsometric measurements have been done between 1.5eV and 1.9eV photon energy range. The results obtained from ellipsometric measurements showed that ellipsometry can be used to determine excitonic transitions that occur in the quantum wells of low dimensional semiconductor structures. By taking the layer thicknesses and Al concentration as adjustable parameters, the energy levels corresponding to these excitonic transitions have been calculated. The effective refraction index and extinction coefficient can also be calculated using the ellipsometric parameters. The variations at these optical parameters have been investigated in the range of interest and the results indicate that excitonic transitions exist.
Benzer Tezler
- Düşük boyutlu yarı iletken heteroyapılarda elektronik ve optik özelliklerin alan altındaki değişimi
The Field dependence of the electronic and optical properties in the low dimensional semiconductor heterostructure
ESİN KASAPOĞLU
Doktora
Türkçe
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İSMAİL SÖKMEN
- Electronic structure of low dimensional semiconductor system
Düşük boyutlu yarıiletken sistemlerin elektronik yapısı
OĞUZ GÜLSEREN
Doktora
İngilizce
1992
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiPROF. DR. SALİM ÇIRACI
- Hot electron interactions in nanostructures
Nanoyapılarda sıcak elektron etkileşimleri
İSMET İNÖNÜ KAYA
Doktora
İngilizce
1997
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiDOÇ. DR. RECAİ ELLİALTIOĞLU
- The Electronic structure of delta-doped semiconductors
&-katkılanmış yarıiletkenlerin elektronik yapıları
SHAHLE HONARKHAH
Yüksek Lisans
İngilizce
1994
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET TOKMAK
- Electronik properties of semiconductor heterojunctions
Yarıiletken heteroyapılarının elektronik özellikleri
MARWAN İZZAT EL KAWİNİ