Geri Dön

The Electronic structure of delta-doped semiconductors

&-katkılanmış yarıiletkenlerin elektronik yapıları

  1. Tez No: 35526
  2. Yazar: SHAHLE HONARKHAH
  3. Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET TOKMAK
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Düşük-boyutlu yarıiletkenler, 8-Katkılama, Kendisiyle-uyumlu hesap, Parametreler, Yarı iletkenler, Low-dimensional semiconductors, Delta-doping, Electronic structure, Self-consistent calculations, Parameters, Semiconductors
  7. Yıl: 1994
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

oz 8-KATKILANMIŞ YARIİLETKENLERİN ELEKTRONİK YAPILARI HONARKHAH, Shahla Yüksek Lisans Tezi, Fizik Anabilim Dalı Tez Yöneticisi: Prof.Dr. Mehmet TOMAK Temmuz 1994, 64 Sayfa Delta-katkılanmış (SD) yarıiletken yapıların büyütülmesi ve özelliklerini belirleyen bazı parametreleri tartışılmaktadır. Bu tez çalışmasının üzerinde durduğu ana nokta delta-katkılanmış yarı iletkenlerin elektronik alt bant yapılarının hesaplanmasıdır. Elektronlardan arındırılmış 8D-GaAs için tam varyusyonel hesap sonuçlan verilmektedir. Elektron içeren 5D-GaAs alt-bantları kendisiyle-uyumlu varyasyonel metodla hesaplanmıştır. Çok-cisimcik etkilen yerel-yoğunluk yaklaştırması çerçevesinde dikkate alınmıştır. Nisbeten basit kendisiyle-uyumlu-varyasyonel metodun deneyle uyumlu, kabul edilebilir sonuçlar verdiği gösterilmektedir.

Özet (Çeviri)

ABSTRACT THE ELECTRONIC STRUCTURE OF DELTA DOPED SEMICONDUCTORS HONARKHAH, Shahla M.S. in Physics Supervisor: Prof.Dr. Mehmet TOMAK July, 1994, 64 pages The growth of delta-doped (6D) semiconductor structures and some important parameters determining their properties are discussed. The main emphasis of this thesis work is the calculation of the electronic subband structure of 5D semiconductors. The results of the exact and variational calculations for depleted öD-GaAs are presented. The undepleted SD-GaAs subbands are calculated using the variational self-consistent method. The many-body effect are included within the local-density approximation. It is shown that the relatively simple variational self- consistent method is capable of producing acceptable results in agreement with experiment.

Benzer Tezler

  1. Performance assesment of pseudomorphicMODFETs through Monte Carlo simulations

    Örgü uyumsuz MODFET'lerin Monte Carlo simülasyonları yoluyla performanslarının belirlenmesi

    SELÇUK ÖZER

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2000

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. CENGİZ BEŞİKÇİ

  2. Depreme dayanıklı yapılarda yarar-fiyat ilişkisi

    Başlık çevirisi yok

    ELİF SAĞLAM

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1996

    İnşaat Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. HASAN BODUROĞLU

  3. Akustik yüzey dalga esasına dayanan filtrlerin analizi, tasarımı ve GSM sistemindeki uygulamaları

    Analysis and design of saw filter and saw filter applications in GSM

    H.CEMİL KARAGÜZEL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1997

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ERGÜL AKÇAKAYA

  4. Diktörtgen mikroşerit antenlerin yapay sinir ağları ile analizi ve tasarımı

    Analysis and design of rectangular microstrip antennas with the use of artificial neural networks

    MEHMET ERLER

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1999

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiErciyes Üniversitesi

    Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. KERİM GÜNEY

    YRD. DOÇ. DR. ŞEREF SAĞIROĞLU