Yarı iletkenlerde fazlalık taşıyıcılar ve yaşam sürelerinin incelenmesi
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 45023
- Danışmanlar: PROF.DR. SELAMİ KILIÇKAYA
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Fazlalık taşıyıcılar, Fotoiletkenlik, Fazlalık Taşıyıcı Yaşam Süresi, Oluşum ve Birleşim, Optik özellikler, Yarı iletkenler, Excess Carrier, Photoconductivity, Excess Carrier Lifetime, Generation and Recombination, Optical properties, Semiconductors
- Yıl: 1995
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Dumlupınar Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Ill ÖZET YSRltLETKENLERDE FftZT.ftT.TK T&ŞIYICZLAR VB YAŞ2M İSÜRKTiKR t N J'Vf İHGELEHMESİ Sedat ZEYREK Yüksek Lisans Tezi, Fizik Bölümü Danışman: Prof. M.Selaml KiLiçKftYA Eylül, 1995 Bu çalışıaada elektronik aygıtların en önemli unsuru olan yarıiletkenlerin; yapısı, optik özellikleri incelenmiştir. Ayrıca pek çok yarıiletken aletin karakteristiğini belirlemede kullanılan, yarıiletkenlerin temel fiziksel parametrelerinden biri olan fazlalık taşıyıcılar ve yaşam süreleri incelenmiştir. Bilindiği gibi yarıiletkenler, dışarıdan başka bir etki olmadığı müddetçe sabit bir sıcaklıkta ısıl dengededirler. Bu durumu; elektron, ısı, elektrik, yüksek enerjili radyasyon veya ışık yoluyla bozarak fazlalık taşıyıcıları oluşturmak mümkündür. Bu dengesizlik durumları, fazlalık taşıyıcılar yönünden incelenmiştir. Oluşan fazlalık taşıyıcıların birleşmeleri, Shockley-Read birleşme teorisiyle beraber çok geniş bir şekilde araştırılmıştır. Kristal momentum ve tuzak merkezlerinin yarıiletken numunelerde, fazlalık taşıyıcı yaşam süresine etkisi vurgulanmıştır. Son olarak fazlalık taşıyıcıların yaşam sürelerinin ölçümü için direkt metod olarak kullanılan birkaç teknikden bahsedilmiştir.
Özet (Çeviri)
summary excess carreers ıh semiconductors and THE STUDY OF THEIR LIFETIME ZEYREK Sedat Master Thesis, Department of Physics Supervisor: Erof.M.Selami KILICKAYA September, 1995 In this study the structure and optic features of semiconductor which constitute one of the most Important part of electronic apparatus have been investigated. In addition, excess carriers and their lifetime which are used to determination of semiconductor device's characteristic and that is one of the basic physical parameter of semiconductors have been studied. As we know, unless there is any effect from outside semiconductors are in thermal balance at a stable temparature. It is possible to form excess carriers by destroying this situation by means of electron, temparature, electric, radiation with high energy. These unbalanced situation, has been investigated having regard to excess carriers. The combination of formed excess carriers has been researched by recombination theory of Shockley-Read. The crystal momentum and trapping center at semiconductor samples, the effect to the excess carriers lifetime has been emphasiyed. Finally, it is mentioned about a few techniques which are used as a direct method for the measurement of excess carriers lifetime.
Benzer Tezler
- III-V grubu bileşiklerin elektrik / elektronik özelliklerine dislokasyonların elastik zorlanma enerjisinin etkisinin incelenmesi
The examination of effects of the elastic strain energy of dislocations on electri-city / electronic properties of III-V group compounds
YILDIRIM AYDOĞDU
Doktora
Türkçe
1994
Fizik ve Fizik MühendisliğiFırat ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET CEYLAN
- Bazı III-V ve II-VI bileşik yarı iletkenlerde elektriksel ve optik karakterizasyon
Başlık çevirisi yok
SEYDİ DOĞAN
Doktora
Türkçe
2001
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEBAHATTİN TÜZEMEN
- Sıfır akım anahtarlamalı rezonans anahtar konvertörler
Zero current switching rezonant switch converters
İBRAHİM YÜCEL
Yüksek Lisans
Türkçe
1997
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiNiğde ÜniversitesiElektrik-Elektronik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. MUSTAFA ALKAN
- Katılarda perkolasyon mekanizmasının incelenmesi
Başlık çevirisi yok
SEMA BİLGE
Yüksek Lisans
Türkçe
1995
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. D. MEHMET ZENGİN
- Thermally stimulated current in layered semiconductor thallium indium sulphide
Tabakalı yarı iletken talyum indiyum sülfürde ısıl uyarılmış akım
ERSİN CİVAN
Yüksek Lisans
İngilizce
1996
Eğitim ve ÖğretimOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFen Bilimleri Eğitimi Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SELAHATTİN ÖZDEMİR