Silisyum tabanlı fotodiyotların nükleer rasyasyon duyarlılıkları
The nuclear radiation sensitivity of silicon based photodiodes
- Tez No: 96364
- Danışmanlar: DOÇ.DR. MAHMUT DOĞRU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Radyasyon, Si tabanlı PIN fotodiyotlar, Fotodetektörler, Nükleer spektroskopi, Fotodedektörler, Fotodiyot, Radiation, Si-based PIN Photodiodes, Photodetectors, Nuclear Spectroscopy, Photodiode
- Yıl: 2000
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Fırat Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Ill ÖZET YÜKSEK LİSANS TEZİ SİLİSYUM TABANLI FOTODİYOTLARIN NÜKLEER RADYASYON DUYARLILIKLARI Oktay BAYKARA Fırat Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı 2000, Sayfa: xıv + 102 Bu çalışmada, silisyum tabanlı P-I-N fotodiyotlann radyasyon detektörü olarak kullanılabilirliği araştırılmıştır. Farklı sayılarda fotodiyotun birbiriyle paralel bağlanmasıyla oluşturulan detektörler, çeşitli radyoaktif kaynaklardan yayınlanan a, P ve y radyasyonlarına maruz bırakılarak, detektörlerin bu radyasyonlara karşı duyarlılıkları saptanmıştır. Fotodiyotlardan oluşturulan bu detektörlerin radyasyon sayıcı olarak kullanılmaları durumunda, P radyasyonuna karşı sayım verimlerinin %3,5 - 6 arasında, y radyasyonlarına karşı sayım verimlerinin ise %25-60 arasında olduğu saptanmış, fotodiyotlann aktif alanları üzerindeki koruyucu tabakadan dolayı a radyasyonuna karşı duyarlılıklarının olmadığı görülmüştür. Fotodiyotlann, radyasyon enerjisinin belirlenmesinde kullanılması durumunda, özellikle gama radyasyonuna karşı silisyum radyasyon detektörleri gibi davrandığı saptanmış, oluşturulan fotodetektörlerden elde edilen gama radyasyon spektrumunun sadece Compton saçılması bölgesiyle sınırlı kaldığı, fotodetektörlerin GaAs, CdTe ve Ge gibi diğer radyasyon detektörleriyle karşılaştınlmasıyla anlaşılmıştır. Si tabanlı fotodiyotlardan elde edilen radyasyon detektörlerinin sızıntı akımlan oda sıcaklığında ve uygulama voltajında nA mertebesinde ölçülmüştür.
Özet (Çeviri)
IV SUMMARY Master Thesis THE NUCLEAR RADIATION SENSITIVITY OF SILICON BASED PHOTODIODES Oktay BAYKARA Fırat University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics 2000, Page: xiv + 102 In this study, Si-based photodiodes are investigated to be used them as nuclear radiation photodetectors. Different number photodiodes are parallel connected to form the radiation photodetectors. To investigate the photodetectors sensitivity to different radiations, they are all irradiated by a, P and y radiation sources in different energies. P and y counting efficiencies of the detectors are (3.5- 6.0)% and (25-60)%, respectively. Since a particles are absorbed in the protection material covers the photodiodes active area, the photodetectors have no response to a radiation. If the photodetectors are used in the nuclear spectroscopy for determination the radiation energy, they have all shown similar response to P and y radiations as the silicon radiation detectors shown. On the other hand, if their response to y radiation are compared to the other y radiation detectors (e.g. GaAs, CdTe and Ge) response, since their spectra are limited by Compton Scattering and the photo peaks are not occurred, the all examined photodetectors are not as good spectrum detectors as the others. Since the examined photodetectors leakage current is so low (in order nA) at their operating bias voltages, they can all be operated at room temperature.
Benzer Tezler
- Effects of illumination on hydrogenated amorphous silican based junctions
Hidrojenleşmiş amorf silisyum tabanlı eklemler üzerinde aydınlatmanın etkisi
HÜLYA ATMACAN
Yüksek Lisans
İngilizce
1998
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. İSMAİL ATILGAN
- Determination of optical constants of silicon based amorphous films by UV- visible transmittance and reflectance measurement
Mor ötesi görünür bölge optik geçirme/yansıma ölçümleri ile silisyum tabanlı amorf filmlerin optik sabitlerinin belirlenmesi
BARIŞ AKAOĞLU
Yüksek Lisans
İngilizce
1998
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU
- Analyset of silicon based thin films by fourier transfer infrared spectroscopy
Silikon tabanlı yarı iletken filmlerin kızılötesi spectrometre ile analizi
ÖZCAN BAZKIR
Yüksek Lisans
İngilizce
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU
- A Fully integrated sampled-analog fuzzy controller
Tümleştirilmiş örneklemeli-analog puslu denetleyici
BANU PAMİR
Doktora
İngilizce
1999
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. UĞUR ÇİLİNGİROĞLU
