Effects of illumination on hydrogenated amorphous silican based junctions
Hidrojenleşmiş amorf silisyum tabanlı eklemler üzerinde aydınlatmanın etkisi
- Tez No: 75696
- Danışmanlar: DOÇ. DR. İSMAİL ATILGAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Amorf silisyum, Aydınlatma, Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition, Hydrogenated amorphous silicon thin film, Schottky barrier, P-I-N junction, Amorphous silicon, Lighting
- Yıl: 1998
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Plasma Yardımcılı Kimyasal Buhar Biriktirme tekniği kullanılarak katkılı ve katkısız hidrojenlenmiş amorf silisyum ince filimleri başarıyla üretildi. Bu mimlerin oda sıcaklığındaki elektriksel iletkenlik ölçümleri ve uyarılma enerjisi analizleri yapıldı. Yukarıda sözedilen teknikle hazırlanan a-Si:H filimler kullanılarak Schottky engeli ve p-i-n eklemleri üretildi. Bu yapıların karanlıkta ve ışık altındaki akım-voltaj karakterizasyonlan incelendi. Ayrıca, bu yapıların ışık şiddeti ve dalga boyu değişimleri altındaki elektrik özellikleri oda sıcaklığında analiz edildi. A-Si:H p-i-n yapısı yardımıyla a-Si:H ince filimlerin optiksel soğurma spekturumu elde edildi.
Özet (Çeviri)
Doped and undoped hydrogenated amorphous silicon thin films were successfully produced by Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition Technique. The measurements of their electrical conductivity at room temperature and analysis of activation energy were performed. Schottky barrier and p-i-n structures of a-Si:H films were fabricated by using the same technique, mentioned above. The current-voltage characteristics of Schottky and p-i-n structures in the dark and under illumination were examined. The electrical response of these structures to radiation were also analysed in terms of intensity and spectral dependence at room temperature. Optical absorption spectrum of a-Si:H thin films was determined by the help of a-Si:H p-i-n structure.
Benzer Tezler
- Amorf silisyumda staebler wronski etkisinin fotoiletkenlik parametresi üzerindeki rolü
The Role of staebler-wronski effect on the prameter of photocondictivity in amorphus silicon
SEVİLAY UĞUR
- Hidrojenlendirilmiş amorf silisyum ve silisyum-karbon alaşımlarında ışık ile yaratılan yarı-kararlı kusurların incelenmesi
Light-induced metastable defect studies in hydrogenated amorphous silicon and silicon-carbon alloys
ALP OSMAN KODOLBAŞ
Doktora
Türkçe
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÖZCAN ÖKTÜ
- İnsan performansı açısından iş yerinde fiziksel çevre koşulları ve döküm sanayinde bir uygulama
Başlık çevirisi yok
AYLA YÜĞRÜK
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Endüstri ve Endüstri MühendisliğiGazi ÜniversitesiEndüstri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ORHAN TÜRKBEY
- Yapay aydınlatma kaynaklarının iç mekan bitkileri üzerine etkileri
The Effects of artificial illumination resources to the indoor plants
EBRU ÇALIK