Geri Dön

Hidrojenlenmiş amorf silisyum güneş pillerinde fotoiletkenlik çalışmaları

Photoconductivity studies of hydrogenated amorphous silicon solar cells

PDF İndir

  1. Tez No: 83894
  2. Yazar: MEHMET ŞAHİN
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. RUHİ KAPLAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Amorf yarı iletkenler, Fotoiletkenlik, Güneş pilleri, Yarı iletken güneş pili, Yarı iletkenler, Amorphous semiconductors, Photoconductivity, Solar cells, Semiconductor solar cell, Semiconductors
  7. Yıl: 1999
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Erciyes Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

ÖZET Bu tezde, hidroj enlenmiş amorf silisyum (a-Si:H) p-i-n (Casio ve Sanyo tipleri) ve Schottky güneş pillerinde, fotoakımın uygulanan gerilimin, uyarıcı ışık şiddetinin ve dalga boyunun ve sıcaklığın fonksiyonu olarak ölçülmüştür. Karşılaştırma amacı için aynı zamanda karanlık akım-gerilim (I-V) ölçümleri de yapıldı. Uyarıcı ışığın farklı dalga boyu ve şiddetlerinde, ve değişik sıcaklıklarda ölçülen I-V karakteristiklerinden dolum (fiil) faktörleri belirlendi. Hesaplanan tüm dolum faktörü değerleri kullanılan ışık şiddetine, dalga boyuna ve sıcaklığa bağlı olarak 0,29 ve 0,53 arasında bulunmuştur. Spektral foto tepki ölçümleri, Casio ve Sanyo güneş pillerinde 590 nm civarında, Schottky güneş pilinde ise 670 nm'de maksimum değerler vermektedir. Casio ve Sanyo güneş pilleri, Schottky güneş pilinden daha geniş bir spektruma sahiptir. Fotoakımın, uyarıcı ışık şiddetine bağlı ölçümlerinden, IocGv güç-yasasındaki v üstel terim değerleri farklı besleme (ileri ve ters) gerilimlerinde ve sıcaklıklarda hesaplandı. Üstel terim v değerlerinin uygulanan gerilime ve sıcaklığa bağlı olduğu bulunmuştur. Ancak v nün hesaplanan tüm değerleri 0,21 ile 0,96 arasında değişmektedir. Fotoakımın sıcaklığa bağlı ölçümlerinden Schottky güneş pilinin aktivasyon enerji değerleri ileri ve ters beslemin değişik değerleri için belirlendi. Elde edilen sonuçlar ayrıntılı bir şekilde analiz edildi ve literatürde önerilen fotoakım modelleriyle karşılaştırıldı.

Özet (Çeviri)

VI SUMMARY In this thesis, we have measured photocurrents of hydrogenated amorphous silicon (a- Si:H) p-i-n (Casio and Sanyo types) and Schottky solar cells as a function of bias voltage, excitation light intensity and wavelength, and temperature. The dark current was also measured for comparison purposes. From the current-voltage (I-V) characteristics, the fill factors were determined for various illumination intensities and wavelengths, and temperature. All values of fill factors were found to be between 0.29 and 0.53 depending on illumination, wavelength and temperature. Spectral photoresponse measurements give maximum currents at around 590 nm for Casio and Sanyo, and at 670 nm for Schottky type solar cells. Casio and Sanyo type solar cells have a broad spectra than that of Schottky solar cell. From the intensity dependence of photocurrent, the exponent v values in the power-law relationship IoGv, were calculated for different bias voltages (forward and reverse) and temperatures. The v values are found to be dependent on bias voltage and temperature. All its calculated values are between 0.2 and 0.96. Activation energy values of Schottky cell were determined from the temperature-dependent photocurrent measurements for various values of applied forward and reverse voltages. All results were analysed in detail and compared with the proposed photocurrent models in the literature.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    75696

    Effects of illumination on hydrogenated amorphous silican based junctions

    Hidrojenleşmiş amorf silisyum tabanlı eklemler üzerinde aydınlatmanın etkisi

    HÜLYA ATMACAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1998

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. İSMAİL ATILGAN

  2. Tez No

    75931

    Determination of optical constants of silicon based amorphous films by UV- visible transmittance and reflectance measurement

    Mor ötesi görünür bölge optik geçirme/yansıma ölçümleri ile silisyum tabanlı amorf filmlerin optik sabitlerinin belirlenmesi

    BARIŞ AKAOĞLU

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1998

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU

  3. Tez No

    28624

    Preparation and characterization of silicon thin films

    Silisyum ince filmlerinin hazırlanması ve karakterizasyonu

    İSMAİL ATILGAN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    1993

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU

  4. Tez No

    28571

    A Study of the staeblerwronski effects in hydrogenated amorphous silicon films

    Başlık çevirisi yok

    AYDIN AKKAYA

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1993

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBoğaziçi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. GÜLEN AKTAŞ

  5. Tez No

    95568

    Gediz kömüründen doğrudan katalitik hidrojenasyon ile jet yakıtı eldesi

    Jet fuel production via direct catalytichydroliquefaction of Gediz coal

    PERVANE GAFAROVA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2000

    KimyaÇukurova Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. OKTAY ERBATUR

    PROF. DR. SEMİH ESER

Geri Dön