Yüksek özdirençli n-tipi Si da sıcaklığa bağlı galvanomagnetik özellikler
Temperature depenence of galvanomagnetic properties fo n-type Si whic has high resistivity
- Tez No: 58476
- Danışmanlar: DOÇ. DR. MUHAMMET YILDIRIM
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Galvanomanyetik özellikler, Silisyum, Sıcaklık, Galvanomagnetic properties, Silicon, Temperature
- Yıl: 1997
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET Oda sıcaklığındaki özdirenci 1400 0,-cra. olan <001> ve <110> tipi n-Si numunelerinde 210-320 K sıcaklık aralığında magnetorezistans ve Hail ölçümleri yapıldı. Bu ölçümler kullanılarak enine ve boyuna magnetorezistans katsayıları, Hail mobilitesi, anizotropi parametreleri, taşıyıcı konsantrasyonu ve elektriksel iletkenlik değerleri hesaplandı. <flûl> ve <110> tipi numunelerde enine ve boyuna magnetorezistans etkisinin benzer eğilim gösterdiği gözlendi. <001> tipi numunede hem enine hem de boyuna magnetorezistans etkisi <1 1 0> tipi numunesindekinden daha büyük olduğu tesbit edildi. <001> ve <lT0> tipi numunelerde 210-240 K aralığında artan sıcaklıkla birlikte hem enine hem de boyuna magnetorezistans etkisi artmakta, 240-320 K sıcaklık aralığında ise artan sıcaklıkla enine ve boyuna manetorezistans etkisi azalmaktadır. Her iki numunede magnetorezistans etkisinin sıcaklıkla değişimi, anizotropi parametrelerinin sıcaklıkla değişimiyle uyum içerisindedir. <001> ve <110> tipi numunelerde taşıyıcı konsantrasyonunun ve elektriksel iletkenliğin artan sıcaklıkla arttığı, Hail mobilitesinin 260 K' e kadar arttığı ve 260 K' den sonra azaldığı gözlendi.
Özet (Çeviri)
11 SUMMARY Hall and magnetorezistance measurements are made at the temperature range 210-320 K in <001> and <110> n-Si having the resistivity 1400 CI cm at the room temperature. The transverse and longitidunal magnetorezistance coefficients and Hall mobility, anisotropy parameters, carrier concentration and electrical conductivity are calculated by using Hall and magnetorezistance measurements. The transverse magnetorezistance variation is similar to the longitidunal magnetorezistance variation in <001> and <110> n-Si samples. It is observed that, in <001> sample, the transverse and logitidunal magnetorezistance coefficients are bigger than that <1 1 0> sample. In both sampels the variation of magnetorezistance with temperature is similar to the variation of anizotropy parameters with temperature. In <001> and <1 10> samples, the transverse and longitidunal magnetorezistance coefficents increase with increasing temparature at the temperature range 210-240 K and decrease with increasing temparature at the temperature range 240-320 K. The carrier concentration and electrical conductivity increase with increasing temparature and Hall mobility increase up to 260 K and decrease with increasing temparature after 260 K.
Benzer Tezler
- AI/Anodik SİO2/Sİ (MOS) yapıların elektriksel özellikleri üzerine ısısal tavlama, akım yoğunluğu ve elektrolit pH'ının etkileri
Başlık çevirisi yok
MUSTAFA SAĞLAM
Doktora
Türkçe
1994
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. ABDÜLMECİT TÜRÜT
- Arayüz oksit tabakası ve seri dirence sahip ruln-Si schottky diyod parametrelerinin doğru beslem I-V ve C-V karakteristiklerinden hesaplanması
Başlık çevirisi yok
ÖZKAN VURAL
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Gözenekli silisyum'da optik olayların incelenmesi
Başlık çevirisi yok
ADEM SOYLAMIŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
1997
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. M. ÇETİN ARIKAN
- Epitaksiyel-silisyum'dan yapılan Au/n-Si Schottky diyotlarına havaya maruz bırakılma süresinin ve yaşlanmanın etkileri
Başlık çevirisi yok
HACI ALİ ÇETİNKARA
Yüksek Lisans
Türkçe
1996
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. NECATİ YALÇIN
- Schottky diyotlarında akım iletim olayı ve seri direnç etkisi
Başlık çevirisi yok
AHMET GÜMÜŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
1992
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NECATİ YALÇIN