Gözenekli silisyum'da optik olayların incelenmesi
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 66245
- Danışmanlar: PROF.DR. M. ÇETİN ARIKAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Işık, Radyasyon, Silisyum, Light, Radiation, Silicon
- Yıl: 1997
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
öz“ Gözenekli Silisyum'da Optik Olayların İncelenmesi”Yaniletken silisyum kristal üzerinde 2.5 mA / cm2 ve 5 mA / cm2 sabit akım yoğunluğunda 1:1 oranında % 38.5 HF (Mere) ve % 99.9 Etanol (Mere) çözeltisinde (100) düzleminde 5-10 Q.cm özdirençli Bor dop edilmiş p-tipi silisyum kristalinin arka yüzeyine ohmik kontak yapılarak, 15 dakika anodizasyonla, gün ışığında, g-Si tabakaları oluşturularak, tabaka kalınlığı ve oluşturulan g-Si numunelerinin hazırlandıktan hemen ve 1 ay sonra ölçülen fotolüminesans şiddetinin (keyfi birim) dalga boyuna bağlılığı incelendi. Oda sıcaklığında mor ötesi ışıkla uyarılan g-Si tabakalarında, çıplak gözle kırmızı- turuncu arasında bir ışıma gözlendi. Fotolüminesans spektral bağımlılığından bu ışımanın band aralığı (1.86 eV), silisyumun band aralığından (1.1 eV) büyük olduğu bulundu ve bu sonuçların literatürdeki sonuçlarla uygun olduğu gösterildi.
Özet (Çeviri)
VI ABSTRACT An investigation of Optic Phenomenon in Porous Silicon This study involves preparation and investigation of photoluminescense properties of porous silicon. We have used p-type (100) oriented crystalline Si wafer doped with B and has the resistivity (p) in the range of 5-10 O.cm. The porous silicon was formed at room temperature in a solution of (% 38HF“Merc”: % 99.9 Ethanol“Merc”) in the ratio of 1:1. Formation of porous silicon was also investigated at different anodization current densities between 2.5 mA/cm2 and 5 mA/cm2. Photoluminescence in porous silicon was obtained by an excitation with UV light. Relative intensity and spectral dependece of photoluminescence were studied depending on the surface structure and thickness of porous silicon layer. The photoluminescence was observable at 300 K (room temperature) with the naked eye and its color was orange-red corresponding to energy (1.86 eV) which is greater then the band gap of crystalline Si (l.leV). Investigations were also carried out on fresh and unfresh samples.
Benzer Tezler
- Gözenekli silisyumun elektriksel ve optik özellikleri
Electrical and optical properties of porous silicon
BİRSEL CAN ÖMÜR
Doktora
Türkçe
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YANİ SKARLATOS
- Gözenekli silisyum'da elektriksel olayların incelenmesi
Başlık çevirisi yok
GÖKHAN ALGÜN
Yüksek Lisans
Türkçe
1996
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. M. ÇETİN ARIKAN
- Gözenekli silisyumda He-Ne lazerinin yapısal etkileri
Structural effects of He-Ne laser on porous silicon
AHMET OGEDAY OLCAYTO
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EMEL ÇINGI
- Metal-gözenekli silisyum eklemlerin elektriksel özellikleri
The Electrical properties of metal-prous silicon junctions
SUNA ÖZTEMEL
Yüksek Lisans
Türkçe
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TAYYAR CAFEROV
- Gözenekli silisyumun yapısal ve optiksel incelenmesi
Optical and structural investigation of porous silicon
ERSİN KAYAHAN
Yüksek Lisans
Türkçe
1997
Fizik ve Fizik MühendisliğiKocaeli ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YÜKSEL BEKTÖRE