Geri Dön

Silisyum S-dope edilmiş galyum arsenid (GaAs) epitaksiyel yapıların fotoiletkenlik özelliklerinin incelenmsi

Başlık çevirisi mevcut değil.

  1. Tez No: 34495
  2. Yazar: YENER ÖZKAN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. M. ÇETİN ARIKAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Arsenik, Fotoiletkenlik, Galyum, Silisyum, Arsenic, Photoconductivity, Gallium, Silicon
  7. Yıl: 1994
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: İstanbul Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Genel Fizik Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

V. ÖZET SİLİSYUM 5-DOPE EDİLMİŞ GALYUM ARSENID (GaAs) EPITAKSİYEL YAPILARIN FOTOİLETKENLİK ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ Yanyalıtkan GaAs kristali üzerine“Molecular Beam Epitaxy”(MBE) yöntemi ile, iki GaAs tabakası arasında 20Â kalınlığında Si tabakası oluşturulması sonucunda elde edilen, Si 5-dope edilmiş GaAs yapılarda fotoiletkenliğin spektral bağımlılığı; sıcaklığın, foton akısının, uygulanan elektrik alanın ve ışıkla uyarılma süresinin fonksiyonları olarak incelendi. Elde edilen sonuçlarda katkılı fotoiletkenlik bölgesi içerisinde gözlenen 8-dope edilmiş yapının literatürde verilen modelle uyumlu olduğu ve yapının gözlenmesinde deneysel parametrelerin uygun seçiminin önemli bir rol oynadığı gösterildi. İkincil bir ışık kaynağı ile sürekli uyarma sonucu oluşturulan yeni denge durumu altında elde edilen spektrumlardan yapıdaki bozukluk ve/veya yabancı katkıların neden olabileceği bazı yapılar incelendi. Sonuçlar literatürde değişik yöntemlerle elde edilen verilerle karşılaştırıldı. -49-

Özet (Çeviri)

SUMMARY THE INVESTIGATION OF THE PHOTOCONDUCTIVITY PROPERTIES IN EPITAXIAL STRUCTURES OF SILICON 8-DOPED GALLIUM ARSENIDE (GaAs) Si 8-doped structure grown using the method of“Molecular Beam Epitaxy (MBE)”have been investigated. The sample comprise a 20 Â layer of silicon sandwiched between two Gallium Arsenide layers deposited onto a semi-insulator GaAs substrate. The ac spectral dependence of the photoconductivity has been studied as a function of temperature, photon flux, applied electric field and chopping frequency. It is shown that careful selection of experimental conditions is necessary to observe the photoconductivity arising from the 8-doped region, and when this is done the result are in general agreement with those found in the literature. Using the secondary continous light source to change the steady state condition, impurities and defect states have been investigated. The results are compared with the results of other techniques discussed in the literature. -50-

Benzer Tezler

  1. Tez No

    98453

    Düşük basınçta kimyasal buhardan depolama yöntemi ile katkılı ve katkısız silisyum dioksit tabakalarının depolanması

    Deposition of undoped and doped silicondioxide films by low pressure chemical vapor deposition

    MEHMET ÖNDER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1999

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. DURAN LEBLEBİCİ

  2. Tez No

    28597

    Plazma yardımlı kimyasal buhar depolama yöntemiyle üretilen hidrojenli amorf silisyum ince filmlerde karbon ve bor atomlarının elektriksel ve optik özelliklere etkileri

    Başlık çevirisi yok

    IŞIK KARABAY (OFLAZER)

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1993

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞEVKET ERK

  3. Tez No

    68754

    Internal photoemission and electrical transport in a silicide/silicon junction

    Bir silisid/silisyum eklemde dahili fotoemisyon ve elektrik transport

    ÖNDER S. ANILTÜRK

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1997

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. RAŞİT TURAN

  4. Tez No

    35710

    Hot filament assisted chemical vapor deposition of diamont coatings

    Sıcak filaman yardımlı kimyasal buhar biriktirme yöntemiyle elmas kaplama

    AYKAN AKBAŞ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1994

    Metalurji MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Metalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. A. MACİT ÖZENBAŞ

  5. Tez No

    96190

    A Theoretical model for the epitaxiol growth of Si(100) surface

    Si(100) yüzeyi üzerinde epikatman büyüme modeli

    SEFA DAĞ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2000

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SALİM ÇIRACI

Geri Dön