Internal photoemission and electrical transport in a silicide/silicon junction
Bir silisid/silisyum eklemde dahili fotoemisyon ve elektrik transport
- Tez No: 68754
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. RAŞİT TURAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Silisitler, akım transportu, dahili fotoemisyon, Schottky engeli, kızılötesi dedektörler, bilgisayar arayüzü. iv, Emisyon, Schottky diyodları, Silisyum, Emission, Schottky diodes, Silicon
- Yıl: 1997
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZ BİRSİLİSİD/SİLİSYUM EKLEMDE DAHİLİ FOTOEMİSYON VE ELEKTRİK TRANSPORT Anıltürk, Önder S. Tez Yöneticisi: Doç. Dr. RAŞİT TURAN Haziran 1997, 130 sayfa Geniş sıcaklık ve uygulanan voltaj aralığında, n-tipi ve p-tipi CrSİ2/Si Schottky eklemlerinde dahili fotoemisyon ve elektrik transport araştırıldı. Isısal emisyon, tünelleme, rekombinasyon ve sızıntı gibi akım mekanizmalarını gerektiren elektrik transport, çoğunlukla kullanılan deneysel tekniklerin yanında, gözlemlerin bilgisayarda modellenmesiyle, detaylı bir şekilde çalışıldı. Diodların optiksel analizi için, dahili fotoemisyon spektroskopisi kullanıldı. Arayüzün elektronik yapısının daha derin kavranması için, optik ve elektrik ölçümlerin karşılaştırılması böylece mümkün olmuştur. Ölçümlerin ve data analizinin doğruluğu için; her iki optik ve elektrik ölçüm teknikleri, bilgisayar arayüzü ve çeşitli programlarla geliştirildi.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT INTERNAL PHOTOEMISSION AND ELECTRICAL TRANSPORT İN A SIIICIDE/SIIICON JUNCTION Anıltürk, Önder S. M.S., Department of Physics Supervisor: Assoc. Prof. Dr. Raşit Turan June 1997,130 pages Internal photoemission and electrical transport have been investigated in both n-type and p-type CrSİ2/Si Schottky junctions in a wide temperature and bias range. The electrical transport involving several current mechanisms such as thermionic emission, tunneling, recombination and leakage, were studied in details by most commonly used electrical techniques as well as computer modeling of the observations. Internal photoemission spectroscopy has been used for optical analysis of the diodes. Comparison of optical and electrical results has made it possible to obtain a more clear picture of the electronic structure of the interface. Electrical and optical phenomena occurring at the interface have been discussed. For both electrical and optical measurements, the measurement techniques have been improved by both computer interfacing and various software in order to increase the accuracy of the measurements and data analysis. Keyvvords: Silicides, current transport, internal photoemission, Schottky barrier, infrared detectors, computer interfacing.
Benzer Tezler
- Internal photoemission spectroscopy for PtSi/si and Pt/SiGe schottky type infrared detectors
PtSi/Si ve Pt/SiGe schottky tipi kızılötesi algılayıcılar için dahili fotoemisyon spektroskopisi
BÜLENT ASLAN
Yüksek Lisans
İngilizce
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. RAŞİT TURAN
- Long wavelength GaAs based hot electron photoemission detectors
GaAs temelli uzun dalgaboylarında çalışan sıcak elektron fotoemisyon detektörü
İBRAHİM KİMUKİN
Yüksek Lisans
İngilizce
1999
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. EKMEL ÖZBAY
- Internal mammary lenfosintigrafi
Başlık çevirisi yok
ŞÜKRÜ BOZLUOLÇAY
Tıpta Uzmanlık
Türkçe
1990
Radyoloji ve Nükleer Tıpİstanbul ÜniversitesiNükleer Tıp Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İRFAN URGANCIOĞLU