Geri Dön

Long wavelength GaAs based hot electron photoemission detectors

GaAs temelli uzun dalgaboylarında çalışan sıcak elektron fotoemisyon detektörü

  1. Tez No: 83732
  2. Yazar: İBRAHİM KİMUKİN
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. EKMEL ÖZBAY
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Resonant Çınlaç, Resonant Çınlaç Arttırımı, Schottky Fotodetektör, İç Fotoemisyon, Yüksek Hız, Yüksek Kuvantum Verimi, Hız-verim Çarpımı, Dalgaboyu, Fotodedektörler, Fotoemisyonlu detektör, Karakterizasyon, Üretim, Resonant Cavity, Resonant Cavity Enhancement, Schottky pho- todetector, Internal Photoemission, High Speed, High Quantum Efficiency, Bandwidth-Efficiency Product, Wavelength, Photodetectors, Photoemissive detector, Characterization, Production
  7. Yıl: 1999
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
  10. Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Özet GAAS TEMELLİ UZUN DALGABOYLARINDA ÇALIŞAN SICAK ELEKTRON FOTOEMİSYON DETEKTÖRÜ ibrahim Kimukin Fizik Yüksek Lisans Tez Yöneticisi: Doç. Dr. Ekmel Özbay Temmuz 1999 İletişim alanındaki hızlı gelişme bilim ve teknolojiyi etkilemekte, ve yüksek per formanslı aygıtlara ihtiyaç duymaktadır. Fotodetektörler optoelektronik tümleşik devre ve optiklif iletişim sistemlerinin vazgeçilmez elemanlarıdır. Resonans çınlaç arttırımlı (RCE) fotodetektörler yüksek performansla beraber daigaboyu seçimini sunmaktadır. Bu tezde GaAs/AlGaAs temelli, birinci (850 nm) ve ikinci (1300 nm) optiklif iletişim penceresinde çalışan Schottky fotodetektörlerin tasarım, üretim, ve karak- terizasyonunu sunmaktayız. Diyot yapılarının tasarımı transfer matris yöntemine dayalı simulasyon ile yapıldı ve moleküler ışın büyütme tekniğiyle büyütüldü. 840 nm de çalışan fotodedektörde kuvantum verimini arttırmak için Schottky tabakası indiyum kalay oksit (İTO) ile büyütüldü. İkinci detektör gelişmiş GaAs prosesine uygun, iç fotoemisyon kullanarak tasarlandı. Bu tasarımki amacımız yüksek hız ve ikinci optiklif iletişim penceresinde çalışmak idi. Ölçümlerimizde 840 nm de çalışan dedektörde 20 GHz 3-dB bantgenişliği ve % 60 kuvantum verimi elde ettik. 1310 nm de çalışan dedektörde 50 GHz bantgenişliği ve % 0.05 kuvantum verimi beklemekteyiz.

Özet (Çeviri)

Abstract LONG WAVELENGTH GAAS BASED HOT ELECTRON PHOTOEMISSION DETECTORS * Ibrahim Kimukin M. S. in Physics Supervisor: Assoc. Prof. Ekmel Ozbay July 1999 The increasing rate of telecommunication alters both science and technology, and demands high performance components. Photodetectors are essential components of optoelectronic integrated circuits and fiber optic communication systems. A new family of photodetectors offer high performance along with wavelength selectivity: resonant cavity enhanced (RCE) photodetectors. In this thesis, we present our efforts for design, fabrication and characterization of GaAs/AlGaAs based Schottky photodetectors operating within the first (850 nm) and second (1300 nm) optical communication windows. Epitaxial wafers are designed using transfer matrix method based simulation and are grown with molecular beam epitaxy. The photodetector operating at 840 nm was designed with indium tin oxide (ITO) Schottky layer for high quantum efficiency. The second photodetector is based on internal photoemission, and is compatible with advanced GaAs process technology. Our aim with this design is high speed operation at the second optical communication window. We measured 20 GHz 3-dB bandwidth with 60% quantum efficiency at 840 nm. We expect 50 GHz 3-dB bandwidth with 0.05% quantum efficiency at 1310 nm.

Benzer Tezler

  1. II-VI elektrolüminesans cihazları

    II-VI electroluminescent devices

    MEHMET DOMAÇ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1994

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. SAMİ GEZCİ

  2. Design and synthesis of squarine-based long wavelength chemosensors for ions

    Uzun dalga boyunda çalışan“squaraine”tabanlı moleküler algılayıcılarının iyonlar için tasarımı ve sentezi

    UMUT OĞUZ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1998

    KimyaOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ENGİN UMUT AKKAYA

  3. Tetrasiklinin bir yükseltgen varlığındaki polarografik ve spektroskopik davranışının irdelenmesi

    Başlık çevirisi yok

    NİL ERSOY

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1988

    KimyaEge Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. BERRİN YENİGÜL

  4. Magsat uydu verilerinden kabuk alanını ayırma işlemleri

    The Discrimination processes of the crust field from magsat satellite data

    CENGİZ ÇELİK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1995

    Jeofizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    DOÇ.DR. NİYAZİ BOYDEMİR

  5. X-ışını floresans analiz tekniğinde 99Tc ve 51Cr'in uyarıcı kaynak olarak kullanımı

    Başlık çevirisi yok

    ASİYE BAŞSARI

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1997

    Nükleer Mühendislikİstanbul Teknik Üniversitesi

    Nükleer Mühendislik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞARMAN GENÇAY