Geri Dön

A Theoretical model for the epitaxiol growth of Si(100) surface

Si(100) yüzeyi üzerinde epikatman büyüme modeli

  1. Tez No: 96190
  2. Yazar: SEFA DAĞ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. SALİM ÇIRACI
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Silisyum, dimer bağlar, sıcaklık, epikatman büyüme, ab-initio elektronik yapi. MkOmmcusvon mXMMMÜ, Epitaksiyal büyüme, Silicon, dimer bonds, temperature, epitaxial growth, ab-initio electronic structure
  7. Yıl: 2000
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi
  10. Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Özet SI(IOO) yüzeyi üzerinde epikatman buyume MODELİ Sefa Dağ Fizik Yüksek Lisans Tez Yöneticisi: Prof. Salim Çıracı Ocak 2000 Bu çalışma, genel olarak Si(100) yüzeyinde atomik skaladaki büyüme mekanizmalarını ele almaktadır. Yüzeyin yapısal özelliklerinin ve sıcaklığa göre davranışının irdelenmesinde“ Ab-Initio-K\ıva,ntum Moleküler Dinamik”hesapları kullanılmaktadır. Bu hesaplarda“Yoğunluk Fonksiyonel”yaklaşımına dayalı kendi içinde tutarlı elektronik yapı hesapları ve iyonik durulma hesapları aynı anda yapılmaktadır. Bu yöntemi kullanarak, ilk etapta OK sıcaklığında üzerinde tek atom bulunan ve daha sonra sadece dimer bulunan yüzeyler için yeni atomların en uygun bağ konfigürasyonlarmm ve konumlarının bulunması ile ilgili çalışmayı ele aldık, ikinci etapta sonlu sıcaklıktaki yüzeyde ayrı iki atomun yüzey üzerinde değişik konfigürasyonlarda dimer oluşumları, üçüncü etapta ise oluşan dimerlerin sıcaklığa bağlı davranışları ve bunun sonucunda öteleme ve dönü hareketleri, son etapta da tek boyutta“epikatman”büyümenin oluşumu ve modellenmesi incelenmiştir.

Özet (Çeviri)

Abstract A THEORETICAL MODEL FOR THE EPITAXIAL GROWTH OF SI(IOO) SURFACE Sefa Dağ M. S. in Physics Supervisor: Prof. Salim Çıracı January 2000 In this thesis, we investigated atomic scale mechanisms of growth on the Si(100) surface. First principles quantum molecular dynamics calculations are performed, where self- consistent field electronic structure calculations within the density functional theory, and ionic relaxations carried out concomitantly. By using this method, we first determined the binding energy and binding sites of ad- atoms and ad-dimers. In the second stage, we simulated different configuration of dimer construction. In the third stage, we analyzed temperature dependent behaviour of dimers and we investigated translational and rotational motion of dimers. Finally, we presented a new theoretical model for ID epitaxial growth.

Benzer Tezler

  1. A model for the response capability of Turkish armed forces in natural disaster

    Türk Silahlı Kuvvetleri'nin doğal afetlere müdahale kabiliyeti üzerine bir model

    UFUK TÜREN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2000

    Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve KontrolYeditepe Üniversitesi

    Sistem Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. HALUK KORKMAZYÜREK

  2. Akışkan yataklı kömür yakıcısı modeli ve ikinci kanun analizi

    A Comprehensive model and the second law analysis of a fluidized bed coal compustor

    NURDİL ESKİN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1990

    Makine Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Y.DOÇ.DR. ABDURAHMAN KILIÇ

  3. Theoretical model of the model-locked hybrid soliton pulse source

    Mod kilitlemeli melez soliton darbe kaynağının kuramsal modeli

    MUHİTTİN SAYIN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    1999

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiGaziantep Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. M. SADETTİN ÖZYAZICI

  4. Yakıt demetlerinin matematiksel modellenmesi

    Mathematical modelling of fuel sprays

    CEM SORUŞBAY

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1985

    Makine Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF. DR. HİKMET BİNARK

  5. Poroz ortamlarda ısı geçişi

    Heat transfer in porous media

    A.SERDAR İĞCİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1990

    Makine Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    DOÇ.DR. FERİDUN ÖZGÜÇ