Geri Dön

Silisyum karbür ince filmlerin reaktif doğru akım manyetik alanda sıçratma yöntemiyle üretimi ve karakterizasyonu

Synthesis and characterization of silicon carbide thin films by reactive DC magnetron sputtering

  1. Tez No: 292228
  2. Yazar: ERDEM BAŞKURT
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ONURALP YÜCEL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Metalurji Mühendisliği, Metallurgical Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Kaplama, Silisyum karbür, İnce filmler, Coating, Silicon carbide, Thin films
  7. Yıl: 2010
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: İstanbul Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Malzeme Bilimi ve Mühendisliği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu çalışmada, SiC ince filmler, yüksek saflıktaki (% 99,999) Si hedef malzeme kullanılarak reaktif doğru akım manyetik alanda sıçratma yöntemiyle AISI M2 yüksek hız çeliği, mikroskop camı ve Si (100) plaka olmak üzere 3 tip altlık malzeme üzerinde biriktirilmiştir. Farklı kompozisyonlarda kaplama oluşturmak amacıyla ortama, değişen CH4/Ar gaz akış oranlarında (% 0?50) reaktif gaz verilmiştir. Deneylerdeki bu kompozisyon değişimini öncelikle harici ısıtıcı kullanmadan yaklaşık 50 °C sıcaklıkta, daha sonra aynı parametrelere sahip deneyleri harici ısıtıcı kullanarak 250 °C altında gerçekleştirerek numunelerin faz yapılarında, sertliklerinde, kompozisyonlarında ve aşınma dirençlerinde meydana gelen değişimler gözlemlenmiştir.

Özet (Çeviri)

In this study, SiC thin films were deposited on AISI M2 high-speed steel, microscope glass and Si (100) wafer substrares by the reactive DC magnetron sputtering of high purity (%99,999) Si target material. In order to create deposition at different compositions, reactive gas was introduced into the environment at a flow rate of CH4/Ar between % 0?50. Phase formations, hardness, compositions and wear resistance were first examined on the coatings deposited without using the external heater at 50 oC and then on the coatings deposited by using the heater at 250 oC.

Benzer Tezler

  1. Tungsten karbonitrür (WCN) ince filmlerin reaktif doğru akım manyetik alanda sıçratma yöntemiyle üretimi ve karakterizasyonu

    Synthesis and characterization of tungsten carbonitride (WCN) thin films by reactive DC magnetron sputtering

    ERŞAT ÇAYAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ONURALP YÜCEL

  2. Foto-iletkenlik ölçüleri için uygun silisyum numunelerin hazırlanması

    Başlık çevirisi yok

    AYTEKİN ERDEM

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1987

    Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    Y.DOÇ.DR. HASAN AKBAŞ

  3. Silisyum yarı iletkeninden yapılan ve p+ pp+ ve MPP+ yapılarında akım iletimine sıcaklığın etkisi

    Başlık çevirisi yok

    SEBAHATTİN TÜZEMEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1987

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. NECATİ YALÇIN