Silisyum yarı iletkeninden yapılan ve p+ pp+ ve MPP+ yapılarında akım iletimine sıcaklığın etkisi
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 1424
- Danışmanlar: DOÇ.DR. NECATİ YALÇIN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1987
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, sıcaklığı 90-273 K aralığında değiştirebilecek bir sıcaklık kontrol sistemi düzenlenerek, oda sıcaklığında 1150 n-cm özdirençli,[lll] doğ rultusuna dik olarak kesilmiş p-tipı silisyum kristalleri kullanılarak hazırlan- t t t mış p pp ve Sn-pp şeklindeki yapıların çeşitli sıcaklıklarda akım-gerılım (I-V) ölçümleri yapıldı. ? + 4. p pp yapılarında alınan ölçümlerde küçük gerilimlerde omik akımlar, büyük gerilimlerde ise uzay-yükü ile sınırlı (SCL) akımlar elde edildi. Omik akımla rın sıcaklıkla arttığı, SCL akımlarının sıcaklıkla azaldığı gözlendi. Omik böl gedeki akım-gerilim ölçümlerinden lineer regrasyon yöntemi ile elde edilen I-V bağıntılarından numune direncinin sıcaklık artışıyla azaldığı ortaya çıkarıldı. Oda sıcaklığındaki direnç değerinden akım iletimini sağlayan taşıyıcı yoğunlu ğu hesaplandı. Burada kristale ait taşıyıcıların tamamının akım iletimine kat kıda bulunamadıkları ortaya çıkarıldı. SCL akımı bölgesinde /f~-V bağıntılarından boşluk hareketliliğinin sıcak lık arttıkça azaldığı görüldü. Oda sıcaklığında boşluk hareketliliğinin hesap- 2 lanan u_=» 431 cm /V-s değeri diğer kaynaklarda verilen değerlerle iyi uyuşmakta- P 2 dır. Kaynaklarda genel olarak silisyumdaki boşluk hareketliliği 400-450 cm /V-s şeklinde verilmektedir. Bu ise yapılan ölçümlerin uygunluğunu doğrulamaktadır. + Sn-pp yapılarındaki I-V karakteristiklerinde de doğru beslem durumunda omik ve SCL akımları elde edildi. Burada da omik akımların sıcaklıkla arttığı, SCL akımlarının sıcaklıkla azaldığı gözlendi. Ters beslem durumunda, Schottky olayı nedeniyle, gerilime zayıfça bağlı akımlar gözlendi. Ters beslem I-V ölçüm lerinden faydalanılarak çizilen lnI-(VDtV) ' Schottky grafiklerinden e<J> boş luk engel yükseklikleri hesaplandı. Ayrıca p pp yapılarında alaşım sıcaklığında bekleme zamanının p-bölgesi- nin genişliğine etkisi araştırıldı. Alaşım sıcaklığında bekleme süresi arttıkça yapının etkin kalınlığının azaldığı bulundu.
Özet (Çeviri)
In this work, the temperature control system is designed which can vary temperature in the range of 90-273 K, and the current-voltege (I-V) measure- ments of p pp and Sn-pp devices fabricated from p-type silicon crystals grown on [ill] direction, having resistivity of 1150 ft-cm at the room temperature, a re made. t t From the measurements of p pp devices, ohmic currents in small voltages and space-charge-limited (SCL) currents in high voltages are obtained. From the expressions of I-V which are obtained by the lineer regration method from the current-voltage measurements in ohmic region, it is found that the resistance of sample decreases as increasing the temperature. The carrier concentration is calculated from the value of resistance at the room temperature. Thus it is found that all of cariers of crystal can not involve in the transportation of current. From the expressions of /T~-V in the region of SCL current, it is seen that hole mobility decreases as increasing the temperature. At the room temperature 2 the calculated value of the hole mobility (431 cm /V-s) is in agreement with va- 2 lues given in the literature which is generally given as 400-450 cm /V-s. This confirms the relaibility of our measurements. a. In the I-V characteristics of Sn-pp devices, ohmic and the SCL currents are obtained in the case of forward bias. It is also observed that the ohmic currents increase and SCL currents decrease as increasing the temperature. In the case of revers bias, since there is presence of Schottky effect, it is found that the current slightly depends on voltages. Here the barrier heights for holes are calculated from Schottky's lnI-(VDtV) ' plots which are drawn by revers bias I-V measurements. + + In addition, in the p pp devices the effect on width of p-region of wait ing time in eutectic temperature is investigated. It is found that, when waiting time in eutectic temperature is increased, the efective width of the device dec reases.
Benzer Tezler
- Amorf yarı iletken a-Si:H/a- SİNx:H çokkatlı filimlerin elektrik ve optik özellikleri
Electrical and optical properties of amorphous semiconducting a-Si i H/a-SİNx:H multilayer films
ESİN ÜLGEN GÜNDEM
Yüksek Lisans
Türkçe
2001
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HÜSEYİN TOLUNAY
- Hidrojenlenmiş amorf silisyum güneş pillerinde fotoiletkenlik çalışmaları
Photoconductivity studies of hydrogenated amorphous silicon solar cells
MEHMET ŞAHİN
Yüksek Lisans
Türkçe
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. RUHİ KAPLAN
- Silisyumun yönlü aşındırılması ve mikroalgılayıcılar
Anisotropic etching of silicon and microsensors
F.ALİ ALDEMİR
Yüksek Lisans
Türkçe
1991
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. DURAN LEBLEBİCİ
- P- tipi silisyum yarıiletkeni ile yapılan bipolar ve simetrik kontak yapıların I-V ve C-V karakteristikleri incelenerek çeşitli parametrelerin hesaplanması
The Study of I-V and C-V characteristic of bipolar and symmetric contact structures by using the semiconductor of p-type
ABDULKADİR DARTICI
Yüksek Lisans
Türkçe
1992
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NECATİ YALÇIN