Modüle edilmiş fotoakım yöntemi ile amorf silisyum filmlerde yerleşik durum yoğunluğunun belirlenmesi
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 1722
- Danışmanlar: PROF. DR. HAYATİ BUDAK
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Amorf silisyum, Buharlaştırma yöntemi, Film, Amorphous silicon, Vaporization method, Film
- Yıl: 1983
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET Amorf yarıiletkenlerin mobilite aralığında sürekli geli şigüzel ağ örgüsünden ve yapısal bozukluklardan ileri gelen yerleşik durumların enerjiye göre dağılışlarının saptanması bu malzemelerin taşıma mekanizmalarının anlaşılması açısın dan çok önemlidir. Yüksek alan:.ya da kapasitans-volta j (C-V) yöntemleri gibi bazı deneysel yöntemler hidro jenlenmiş amorf silisyum filmlerin yerleşik durumlarının dağılımının belirlen mesi için kullanılmıştır. Ancak bu yöntemleri yerleşik durum yoğunluğunun oldukça büyük olduğu buharlaştırılmış amorf film lere uygulamak mümkün değildir. Bu çalışmada buharlaştırma yoluyla hazırlanan filmlerin yerleşik durum yoğunlunluklar mın enerjiye göre dağılımları nın saptanması için yeni bir yöntem uygulanmıştır. Bu yöntem film üzerine gönderilen modüle edilmiş uyarı ışığı ile bu uyarı ışığı tarafından indüklenen fotoakım arasındaki faz kay masının incelenmesine dayanmaktadır. Faz kayması yerleşik du rum yoğunluğu ile doğrudan ilişkilidir. Öncelikle yöntemin geçerliliği kanıtlandıktan sonra iletkenlik bandı ile Fermi seviyesi arasında yaklaşık 300 meV. 'luk bir bölgede yerleşik durum yoğunluğunun enerjiye göre dağılımı belirlenmiştir.
Özet (Çeviri)
SUMMARY Determination of the energetic distribution of localized states due to random network and structural defects within the mobility gap of amorphous semiconductors is of great im portance for understanding the transport properties of these materials. Some experimental techniques like the field effect and capacitance-voltage (C-V) methods have been used for de termining the form of these gap states in hydrogenated amorp hous silicon. However, it is quite impossible to apply these methods to evaporated amorphous silicon films, in which the density of localized gap states is quite high. In the present work a new method is applied on evapora ted amorphous silicon films to determine the distribution of their localized states. This method involves an analysis of the phase shift between the modulated exciting light and the photocurrent induced by it. The phase shift is directly re lated to the density of localized states. The validity of the method is confirmed and the distribution of the localized states is determined for a range of 300 meV. f
Benzer Tezler
- Hidrojenlendirilmiş amorf silisyum filmlerin optik katsayılarını belirlemede kullanılan deneysel yöntemlerin karşılaştırılması
Comparison of experimental methods used for determination of optical constants of hydrogenated amorphous silicon
GÜNGÖR TAYYAR
- Determination of sensity of states of n-type hygrogenated amorphous silicon by phase shift analysis of modulated photocurrent method
Modüle edilmiş fotoakım yöntemi ile hidrojenlendirilmiş amorf silisyumda durum yoğunluğunun belirlenmesi
FERHAT KOCABIYIK
Yüksek Lisans
İngilizce
1995
Fizik ve Fizik MühendisliğiBoğaziçi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. GÜLEN AKTAŞ
- Analysis and simülation of conventional asymmetric and multiple trellis coded modülation in various types of channels
Geleneksel asimetrik ve çoklu kafes kodlu modüle edilmiş sistemlerin çeşitli kanallardaki analizi ve benzetimi
SERDAR ÇETİNGÜL
Yüksek Lisans
İngilizce
1998
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MELEK D. YÜCEL
- Tümdevrelerle modem sentezi
Başlık çevirisi yok
ERDEM ÖZÜTÜRK
Yüksek Lisans
Türkçe
1987
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiUludağ ÜniversitesiElektronik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ERGÜR TÜTÜNCÜOĞLU
- TlInS2 tek kristallerinin fotoiletkenlik özellikleri
On the photoconductive properties of TlInS2 single crystals
NEVİN KALKAN
Doktora
Türkçe
1994
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiGenel Fizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. EMİNE RIZAOĞLU