Determination of sensity of states of n-type hygrogenated amorphous silicon by phase shift analysis of modulated photocurrent method
Modüle edilmiş fotoakım yöntemi ile hidrojenlendirilmiş amorf silisyumda durum yoğunluğunun belirlenmesi
- Tez No: 47501
- Danışmanlar: PROF. DR. GÜLEN AKTAŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Amorf silisyum, Amorphous silicon
- Yıl: 1995
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Boğaziçi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
KISA ÖZET Amorf yan iletkenlerin mobilite aralığında gelişi güzel ağ örgüsünden ve yapısal bozuklardan ileri gelen yerleşik durumların enerjiye göre dağılışlarının saptanması bu malzemelerin taşıma mekanizmalarının anlaşılması açısından çok önemlidir. Yapısal bir düzen olmadığından bu yerleşik durumlar deney yoluyla belirlenmelidir. Bu çalışmada, n- tipi hidrojenlendirilmiş amorf silisyum ince filimin enerji bant aralığındaki durum yoğunluğu araştınlmştır. Bu amaçla module edilmiş foto-akım faz analizi metodundan yararlanılmış ve teoremin geçerliliği tartışılmıştır. Teoremin bu tip yan-iletkenler için uygun olduğu gözlemlenmiş ve yerleşik durum yoğunluğu 400 meV lik bir bölgede belirlenmiştir.
Özet (Çeviri)
IV ABSTRACT Determination of the energetic distribution of localized states due to random network and structural defects within the mobility gap of amorphous semi conductors is of great importance for understanding the transport properties of these materials. Since there is no structural order, the band states can be only determined experimentally. In this thesis, the density of states (DOS) distribution in the energy gap of Hydrogenated n-type amorphous silicon is determined. For this purpose a The Phase shift analysis of modulated photocurrent (PSAMP) method is studied. The validity of the PSAMP theorem for the doped a-H:Si is discussed. The theorem is verified for this type of semiconductors and the distribution of the states is determined for a range of 400 meV.
Benzer Tezler
- Bir jeodezik ağın farklı bölgelerindeki uyuşumsuz ölçülerin değişik yöntemlerle saptanması ve dengeleme sonuçlarına etkilerinin araştırılması
On the detection of outliers in the different parts of a geodetic network by different methods and the analysis of their inflence on the adjustment results
GÜLSÜM HALE KARASU
- Oral glukoz tolerans testine bir alternatif olarak 1,5-anhidroglusitolün değerlendirilmesi
The Evaluation 1,5-anhydroglucitol as an alternative to the oral glucose tolerance test
CANAN HALICI
Tıpta Uzmanlık
Türkçe
1999
BiyokimyaErciyes ÜniversitesiBiyokimya Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SABAHATTİN MUHTAROĞLU
- Thermoluminescence of colourles geological quartz
Renksiz jeolojik kuvarsın termoluminesansı
VAROL YILMAZ
Yüksek Lisans
İngilizce
1994
Bilim ve TeknolojiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiEğitim Bilimleri Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SELAHATTİN ÖZDEMİR
- Sayısal yükseklik modeli ve multikuadrik enterpolasyon yöntemi
Başlık çevirisi yok
ÇETİN CÖMERT
Yüksek Lisans
Türkçe
1988
Jeodezi ve FotogrametriKaradeniz Teknik ÜniversitesiHarita Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ERDAL KOÇAK
- Pik demiri ve karbon çeliğinin sulu çözeltiler içindeki korozyon hızının tayini
Determination of the rate of corrosion of the cast iran and carbon steel in the aqueous solutions
EMİNE NAZAN ÜNAL
Yüksek Lisans
Türkçe
1985
Kimya MühendisliğiGazi ÜniversitesiKimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HAYRİ YALÇIN