Geri Dön

TlInS2 tek kristallerinin fotoiletkenlik özellikleri

On the photoconductive properties of TlInS2 single crystals

PDF İndir

  1. Tez No: 34544
  2. Yazar: NEVİN KALKAN
  3. Danışmanlar: PROF.DR. EMİNE RIZAOĞLU
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Fotoiletkenlik, Kristaller, Photoconductivity, Crystals
  7. Yıl: 1994
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: İstanbul Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Genel Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

- V oz TllnS tek kristallerinin f otoi 1 etkenlik özellikleri" 2 Bu çalışmada 300 K ve 90 K sıcaklıklarında uygulanan voltajın fonksiyonu olarak TllnS kristalinin karanlıkta ve aydınlatma altındaki elektrik iletkenliği ve serbest taşıyıcı yoğunluğu p, gelen ışığın farklı dalgaboyları için incelen miştir. Ayrıca G oluşma hızının, p yoğunluğuna bağlılığı araştırılmıştır. Diğer taraftan TllnS kristalinin valans bandı üzerinde O. 028 ve 0.050 eV da hol tuzakları olarak aktif olan ve iki alt aralık şeklindeki iki enerji seviyesi, modüle edilmiş ışık şiddetinin neden olduğu modüle edilmiş fotoakımların analizi ile tayin edilmiştir. 300 K sıcaklı- -13 -13 3 -i ğındaki yakalama katsayıları sırasıyla İO ve İO cm sn mertebesi ndedi r. ABSTRACT On the photoconducti ve properties of TllnS single crystals In this work, electrical conductivity both in dark and under illuminating of TllnS was investigated as a function of the applied voltage and the free carriers concentration p was studied for different wavelengths of the incident light at 300 and 90 K. Further, the dependence of the concentration p on the generation rate G was investigated. On the other hand, two energy levels forming two subbands and acting as hole traps at 0.028 and O. 050 eV above the valance band edge of TllnS were determined by an analysis of modulated photo- currents induced by an intensity modulated light beam. Their capture coefficients were of the order of magnitude İO and - İ.5 3 - jl İO cm sn at 300 K, resp«ctivoly.

Özet (Çeviri)

- V oz TllnS tek kristallerinin f otoi 1 etkenlik özellikleri" 2 Bu çalışmada 300 K ve 90 K sıcaklıklarında uygulanan voltajın fonksiyonu olarak TllnS kristalinin karanlıkta ve aydınlatma altındaki elektrik iletkenliği ve serbest taşıyıcı yoğunluğu p, gelen ışığın farklı dalgaboyları için incelen miştir. Ayrıca G oluşma hızının, p yoğunluğuna bağlılığı araştırılmıştır. Diğer taraftan TllnS kristalinin valans bandı üzerinde O. 028 ve 0.050 eV da hol tuzakları olarak aktif olan ve iki alt aralık şeklindeki iki enerji seviyesi, modüle edilmiş ışık şiddetinin neden olduğu modüle edilmiş fotoakımların analizi ile tayin edilmiştir. 300 K sıcaklı- -13 -13 3 -i ğındaki yakalama katsayıları sırasıyla İO ve İO cm sn mertebesi ndedi r. ABSTRACT On the photoconducti ve properties of TllnS single crystals In this work, electrical conductivity both in dark and under illuminating of TllnS was investigated as a function of the applied voltage and the free carriers concentration p was studied for different wavelengths of the incident light at 300 and 90 K. Further, the dependence of the concentration p on the generation rate G was investigated. On the other hand, two energy levels forming two subbands and acting as hole traps at 0.028 and O. 050 eV above the valance band edge of TllnS were determined by an analysis of modulated photo- currents induced by an intensity modulated light beam. Their capture coefficients were of the order of magnitude İO and - İ.5 3 - jl İO cm sn at 300 K, resp«ctivoly.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    35103

    TILn Se2 ve TIGaSe2 (Ternary) yarıiletken bileşiklerinin büyütülmesi ve bazı elektrik ve optik özelliklerinin incelenmesi

    Başlık çevirisi yok

    BAHATTİN ABAY

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1994

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. Y. KEMAL YOĞURTÇU

  2. Tez No

    76005

    Photoconductivity and thermally stimulated conductivity in thallium sulphide crystal

    Talyum indiyum sülfit kristalinde fotoiletkenlik ve ısı ile uyarılmış iletkenlik

    MAHMUT BUCURGAT

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1998

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SELAHATTİN ÖZDEMİR

  3. Tez No

    56766

    Thermally stimulated current in layered semiconductor thallium indium sulphide

    Tabakalı yarı iletken talyum indiyum sülfürde ısıl uyarılmış akım

    ERSİN CİVAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1996

    Eğitim ve ÖğretimOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fen Bilimleri Eğitimi Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SELAHATTİN ÖZDEMİR

Geri Dön