GaN yarıiletken ince filmlerin optik özelliklerinin fotolüminesans tekniğiyle incelenmesi
Optical properties of GaN thin films semiconductor investigated by photoluminescence technique
- Tez No: 155721
- Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. MAHİR BÜLBÜL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2004
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
GaN YARIİLETKEN İNCE FİLMLERİN OPTİK ÖZELLİKLERİNİN FOTOLÜMİNESANS TEKNİĞİYLE İNCELENMESİ (Yüksek Lisans Tezi) Sancar CEBE GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Nisan 2004 ÖZET Bu tez çalışmasında GaAs alttaş üzerine MBE yöntemiyle büyütülmüş katkılı ve katkısız altıgen (wurtzite) yapıdaki GaN yarıiletken numuneler ile katkılı ve katkısız kübik çinko sülfit (zinc blende) yapıdaki GaN yarıiletken numunelerin fotolüminesans spektrumları oda sıcaklığında 337.1 nm dalga boyu ve 7mW güç çıkışlı N2 lazeri ile ölçüldü. Altıgen ve kübik çinko sülfit yapıların oda sıcaklığındaki bant enerji aralığı tayin edildi. Ölçülen sonuçların literatürdeki değerlerle uyum içinde olduğu görüldü. Bilim Kodu Anahtar Kelimeler Sayfa Adedi Tez Yöneticisi 404.05.01 GaN, Fotolüminesans 62 Yrd. Doç. Dr. M. Mahir BÜLBÜL
Özet (Çeviri)
11 OPTICAL PROPERTIES OF GaN THIN FILMS SEMICONDUCTOR INVESTIGATED BY PHOTOLUMINESCENCE TECHNIQUE (M.Sc. Thesis) Sancar CEBE GAZI UNIVERSITY INSTUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY April 2004 ABSTRACT In this study, the photoluminescence spectram of both undoped and doped GaN semiconductor samples in the both wurtzite structure and zinc blende structure are measured by using 337.1 nm laser line and 7 mW output power of N2 laser at room temperature. The energy band values of the wurtzite and zinc blende structures are determined. It is found that measured values are in good agreement with the literature. Science Code Key Words Page Number Adviser 404.05.01 GaN, Photoluminescence 62 Asst. Prof. M. Mahir BÜLBÜL
Benzer Tezler
- Altıgen ve kübik galyum nitrür ince tabakalarının raman özellikleri
The Raman properties of wurtzite and zinc-blende gallium nitride thin epilayers
YEŞİM TAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. M. MAHİR BÜLBÜL
- A theoretical analysis of GaInNAs/GaAs quantum vells for long wavelength emission
GaInNAs/GaAs uzun dalgaboylu kuantum kuyu lazerlerin teorik olarak incelemmesi
MURAT ODUNCUOĞLU
Doktora
İngilizce
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. BEŞİRE GÖNÜL
- GaN yarıiletken kristalinde elektron iletimi
Electron transport in GaN
ABDULLAH YILDIZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. MEHMET KASAP
- In katkılanmış GaN yarıiletken bileşiğinin fiziksel özelliklerinin iteratif yöntemle belirlenmesi
Determination od physical properties of In doped GaN semiconductor compound by iterative method
HURİYE SENEM AYDOĞDU
- GaN, AIN ve BN yapısal, elektronik ve dinamik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of the structural, electronic and dynamical properties of GaN, AIN and BN
ALPER TUNGA ALBUDAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiSakarya ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. HÜSEYİN MURAT TÜTÜNCÜ