Işığa duyarlı yarı iletken gaz boşalma yapısının karakteristik özellikleri
Characteristic properties of the photosensitive semiconductor gas discharge structure
- Tez No: 155720
- Danışmanlar: PROF.DR. BAHTİYAR SALAMOV
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Negatif diferansiyel direnç, kararsızlık, kırılma, gaz boşalma, GaAs fotodedektör, Negative differantial resistance, instabilitiy, breakdown, discharge emission, GaAs dedector Page Number : 145 Adviser : Prof. Dr. Bahtiyar SALAMOV
- Yıl: 2004
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
IŞIĞA DUYARLI YARIİLETKEN GAZ BOŞALMA YAPISININ KARAKTERİSTİK ÖZELLİKLERİ (Doktora Tezi) Hatice Hilal YÜCEL KURT GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Haziran 2004 ÖZET Bu çalışmada hava ortamında düzlemsel bir boşalma hücresindeki gaz kırılması, yarıiletken elektrodun farklı R elektrot alan çapları ve farklı L elektrotlar arası mesafeleri için belirlendi. Büyük çaplı GaAs yarıiletken katottu gaz boşalma sistemin akım voltaj karakteristikleri geniş bir gaz basıncı p (28*550 Torr) bölgesinde deneysel olarak incelendi. İlk defa L/R parametresinin sistem karakteristikleri üzerindeki etkisi yarıiletken katotlu gaz boşalma hücresi için araştırıldı ve bu parametrenin optimal şartların sağlanması için yeni bir parametre olarak önemli olduğu tespit edildi. Ayrıca gaz boşalma ışımasının davranışı da ilk defa gaz boşalma aralığının farklı R çap değerleri için incelendi. Yarıiletken gaz boşalma yapısı oldukça karmaşık lineer olmayan sistemlerdir. Fiziksel özelliliği nedeniyle kararlı duruma ulaşılmadan önce sistem çok karmaşık bir geçiş davranışı gösterebilir. Yine yüksek elektrik alanlarda GaAs elektrodun aktif özelliklerinin, akım ositasyonlannı meydana getirdiği deneysel çalışmalar esnasında tespit edildi. Sunulan osilasyonlar düzlemsel yapının yarıiletken bileşeninin negatif diferansiyel direncinin (NDD) varlığını kanıtlar. Bilim Kodu : 404.05.01
Özet (Çeviri)
ii CHARACTERISTIC PROPERTIES OF THE PHOTOSENSITIVE SEMICONDUCTOR GAS DISCHARGE STRUCTURE (Ph. D. Thesis) Hatice Hilal YÜCEL KURT GAZI UNIVERSITY INSTUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY June 2004 ABSTRACT In this study, gas breakdown in air in a planar gas discharge system is studied experimentally at various interelectrode distances L and different inner diameters R of the electrode areas of the semiconductor cathode. The current voltage characteristics of the gas discharge system with a large-diameter GaAs semiconductor cathode have been studied in a wide range of the gas pressure p (28-Î-550 Torr). For the first time, the effects of L/R parameter on the system characteristics have been determined for a gas discharge cell with semiconductor cathode and it is found out that this new parameter is vital for the importance of providing the optimal conditions. Moreover, the behaviour of gas discharge emission has also been identified for different values of diameters J? as a new outcome of gas discharge structure. Due to physical properties, the system can display a very complicated transient behavior before a stationary state is established. In addition, it has been observed that the active properties of the GaAs electrode cause a kind of current oscillations at high electric fields. Observed oscillations is the evidence of occurrence of negative differential resistance (NDR) of the planar semiconductor component. Science Code : 404.05.01.
Benzer Tezler
- Yarıiletken fotodedektörlü kızılötesi görüntü çeviricinin incelenmesi
Investigation of an infrared image converter with a semiconductor photodetector
GÜLŞEHRİ ERDEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BAHTİYAR SALAMOV
- CCD teknolojisine dayalı olan yarıiletken foto-dedektörlü kızılötesi görüntü çeviricinin incelenmesi
Başlık çevirisi yok
MURAT AKPINAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2001
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BAHTİYAR SALAMOV
- Metal oksitlerin elektriksel ve optiksel özelliklerinin incelenmesi
The Investigation of electrical and optical properties of metal oxides
NİHAL ADSIZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiFırat ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AYŞE AYDOĞDU
- Yarıiletken güneş pillerinde azınlık taşıyıcıların yarıömür tayin yöntemleri
The determining methods of minority carrier lifetime in semiconductor solar cells
HAZİRET DURMUŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
1991
Fizik ve Fizik MühendisliğiSelçuk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. HALDUN KARABIYIK
- Darbeli elektromanyetik alanlar ile osteojenik indüksiyon (teorik, deneysel ve klinik çalışma)
Başlık çevirisi yok
ARSLAN BORA
Tıpta Uzmanlık
Türkçe
1982
Ortopedi ve TravmatolojiEge ÜniversitesiOrtopedi ve Travmatoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MERİH EROĞLU