In katkılanmış GaN yarıiletken bileşiğinin fiziksel özelliklerinin iteratif yöntemle belirlenmesi
Determination od physical properties of In doped GaN semiconductor compound by iterative method
- Tez No: 168093
- Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. ÖMER ÖZBAŞ
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2005
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Eskişehir Osmangazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET GaN ve InN bileşiklerinin ve InxGaı_xN alaşımının elektron taşınım özellikleri iteratif yöntem ile incelendi. Bu yarıiletken bileşiklerinde akustik deformasyon potansiyel saçılması, akustik fonon piezoelektrik saçılması, iyonize safsızlık saçılması, polar optik fonon saçılması ve alaşım saçılmasının meydana geldiği kabul edildi. Bandm parabolik olmayışı, elektron perdelenmesi ve s - p dalga karışımı da iterasyon hesaplamalarına dahil edildi. GaN ve InN bileşiklerinin materyal parametreleri deneysel çalışmalardan alındı. înxGaı_xN alaşımının materyal parametreleri ise Vegard yasasından elde edildi. InxGaı_xN alaşımının enerji bant aralığının, b eğrilme parametresine bağlılığı incelendi. GaN ve InN yarıiletken bileşiklerinin, sürüklenme ve Hail mobiliteleri ile taşıyıcı konsantrasyonları sıcaklığın fonksiyonu olarak incelendi. Bu yarıiletken bileşiklerin, 300K sıcaklığında taşıyıcı konsantrasyonuyla mobilite değişimleri belirlendi. Ayrıca, !0'6 cm“J, I017 cm-3 ve Î0!8 cm”"3 elektron konsantrasyonları için Hail mobilitelerinin sıcaklığa bağlılığı incelendi. InxGaı_xN alaşımı için x = 0 - 1 aralığında, sürüklenme ve Hail mobilitelerinin sıcaklıkla değişimi incelendi. 77K ve 300K sıcaklıkları için, bu mobüiteîerin İn moî kesrine bağlılığı belirlendi. Bu hesaplamalarda, alaşım potansiyelinin değeri, Phillip elektronegatiftik teoreminden elde edildi. Alaşım saçılmasının olmadığı durum ile karşılaştırıldı. Ayrıca, 30ÖK'de 0.6 - 1.4 eV aralığindaki alaşım potansiyel değerleri için Hali mobilitesinin în mol kesriyle değişimi incelendi. İki bileşik ve bir alaşım için mobüitenin, sıcaklığın değişmesiyle düşük sıcaklıklarda arttığı, yüksek sıcaklıklarda ise yaklaşık T -L5 ile azaldığı ve baskın saçılma mekanizmasının ise polar optik fonon saçılması olduğu görüldü. InxGaı-xN alaşımının sürüklenme ve Hail mobilitesinin in katkılanması ile giderek arttığı görüldü. înxGaı_xN alaşımında alaşım saçılmasının önemli olduğu gözlendi.
Özet (Çeviri)
SUMMARY Electron transport in GaN and InN compounds and InsGai_sN alloy were examined by iterative method. We assumed that acoustic phonon deformation potential, acoutic phonon piezoelectric, ionized impurity and polar optic phonon scatterings are taken place in these compounds. Due to the nonparabolictty of the bands, electron screening and s - p wave admixture were retained throughtout iterative calculations. Material parameters of GaN and InN compounds were taken from literatures. The material parameters of InxGai_xN alloys were obtained by using Vegard's law. The dependence of the energy band gap variations InxGai_xN alloy on bowing parameter, b, in examined. Drift and Hall mobilities and carrier concentrations of GaN and InN semiconductor compounds were investigated as a function of temperature. The changes in the mobilities with carrier concentrations of these compounds were determined at 300K. We also examined the temperature dependence of Hall mobilities for these compounds with their electron concentrations of 10“ cm,10 cm”ve 10 cm'. For InxGas_xN alloy, temperature dependence of drift and Hall mobilities for the In mole fraction interval was examined between x = 0 - 1. We investigated these mobilities dependence of x mole fraction at 77K and 300K. In these calculations the values of alloy potential were obtained from Phillip's electronegativity theorem. These results were compared with the results obtained in the absence of alloy scattering. Furthermore, at 300K In mole fraction dependence of Hall mobility was examined for the values of alloy potential interval 0,6 -1,4 eV. For two compounds and alloy, it was deduced that mobilities increase at lower temperatures and decrease with ~ T ~L5 at higher temperatures and the dominant scattering mechanism is observed to be the polar optic phonon scattering. Also, it was found that the drift and Hall mobilities of InxGai_xN alloy increase with In doping. It was found that the alloy scattering is important in InxGai_x.N alloy.
Benzer Tezler
- Mn2+ katkılanmış eksenel simetrili bazı kristal sistemlerinin ESR spektrum parametrelerinin belirlenmesi
Başlık çevirisi yok
ZUHAL PAYZE
Yüksek Lisans
Türkçe
1987
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA KORKMAZ
- Hg katkılanmış CdTe yarıiletken bileşiğinde taşınım özelliklerinin Monte Carlo Yöntemiyle belirlenmesi
Determination of transport properties in Hg doped CdTe semiconductor compound by Monte Carlo simulation
MUSTAFA AKARSU
Doktora
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ÖMER ÖZBAŞ
- Katkılanmış yüksek sıcaklık üstüniletkenlerinde yük taşıyıcıların incelenmesi
Investigation on the charge carriers in the doped high-Tc superconductors
OSMAN KAYMAK
Yüksek Lisans
Türkçe
1994
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. TEZER FIRAT
- Sb katkılı Bİ2-x Pbx Sr2 Ca2 Cu3 O10+x üstüniletken kalın filmlerin elektriksel özellikleri
Electrical properties of Sb doped Bi2-x Pbx Sr2 Ca2 Cu3 O10+x superconducting thick films
MEHMET ZEKİ İNCE
Yüksek Lisans
Türkçe
1994
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. NECDET BAŞTÜRK
- Fe katkılanmış yarıyalıtkan InP kristallerinin optik ve elektriksel bakımdan tetkiki
Characterization of Fe-doped, semiinsulating InP crystals by optical and electrical techniques
SEYDİ DOĞAN
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEBAHATTİN TÜZEMEN