Altıgen ve kübik galyum nitrür ince tabakalarının raman özellikleri
The Raman properties of wurtzite and zinc-blende gallium nitride thin epilayers
- Tez No: 133388
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. M. MAHİR BÜLBÜL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Raman spektroskopisi, Stokes ve anti-Stokes saçılımı, yarıiletken, altıgen GaN, kübik GaN, Brillouin bölgesi, Galyum nitrür, İnce tabaka, Raman spectroscopy, Stokes and anti-Stokes scattering, semiconductor, wurtzite GaN, zinc- blende GaN, Brillouin zone Page Number : 76 Adviser : Asis. Prof. Dr. M. Mahir BÜLBÜL, Gallium nitride, Thin layer
- Yıl: 2003
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ALTIGEN VE KÜBİK GALYUM NİTRÜR İNCE TABAKALARININ RAMAN ÖZELLİKLERİ (Yüksek Lisans Tezi) Yeşim TAN GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Aralık 2003 ÖZET Bu çalışmada, lll-V yarıiletkenlerden olan GaN üst tabakasının birinci mertebe Raman saçılımı için, altıgen ve kübik politipleri karakterize edilmiş ve karşılaştırmıştır. Oda sıcaklığında, farklı geometrilerde GaAs alt tabakaları üzerindeki katkısız ve p-tipi katkılı a-GaN ile katkısız (3-GaN üst tabakalarının titreşimsel özellikleri Raman spektroskopisi ile incelenmiştir. GaAs(001), GaAs(111)A ve GaAs(111)B alt tabakaları üzerine büyültülmüş altıgen ve kübik yapılı GaN üst tabakalarının spektrumlarında, tüm izinli Raman aktif fonon frekansları gözlenmiştir. Farklı örneklerde, kübik GaN' in T2 enine optik (TO) ve boyuna optik (LO) frekansları, altıgen GaN' in E2(düşük), Aı(TO), E^TO), E2(yüksek), Aı(LO), Eı(LO) frekansları kadar iyi belirlenmiştir. Fonon frekanslarının ölçülen değerleri, yapılan diğer çalışmalarla karşılaştırılmıştır. Bilim Kodu : 223. 23
Özet (Çeviri)
THE RAMAN PROPERTIES OF WURTZITE AND ZINC-BLENDE GALLIUM NITRIDE THİN EPILAYERS (M. Sc. Thesis) Yeşim TAN GAZI UNIVERSITY INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY December 2003 ABSTRACT In this work, the wurtzite and zinc-blende polytypes of lll-V semiconductor GaN epilayers have characterised and compared for first-order Raman scattering. The vibrational properties of undoped, p- doped a-Gan and undoped P-GaN epilayers on GaAs substrates have been investigated at room temperature in different geometries by Raman spectroscopy. All of the allowed Raman active phonon frequencies have observed in spectra of wurtzite and zinc-blende structures GaN epilayers grown on GaAs(001), GaAs(111)A and GaAs(111)B substrates. The T2 transverse optical (TO) and longitudinal optical (LO) frequencies of zinc-blende GaN are determined, as well as the E2(iow), AifTO), E^TO), E2(high), A^LO), E^LO) frequencies of wurtzite GaN in different samples. The measured values of the phonon frequencies are compared with other studies. Science Code : 223. 23
Benzer Tezler
- Investigation compression mechanical behaviour of aluminum foam filled metal tubes
Alüminyum köpük dolu metal tüplerin basma mekanik davranışlarının araştırılması
HALİT KAVİ
Yüksek Lisans
İngilizce
2004
Makine Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA GÜDEN
- GaN yarıiletken ince filmlerin optik özelliklerinin fotolüminesans tekniğiyle incelenmesi
Optical properties of GaN thin films semiconductor investigated by photoluminescence technique
SANCAR CEBE
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. MAHİR BÜLBÜL
- Turbostratik bor nitrüt'ün kritalizasyon davranışı ve karakterizasyonu
Başlık çevirisi yok
SEDAT ALKOY
- Ürgüp ve çevresindeki Türk-İslam devri yapıları (2 cilt)
Başlık çevirisi yok
OSMAN ERAVŞAR
Yüksek Lisans
Türkçe
1993
Sanat TarihiSelçuk ÜniversitesiSanat Tarihi Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HAŞİM KARPUZ
- Amonyum halojenler, amonyak buz ve sodyum nitrit'te faz geçişlerinin incelenmesi
Phase transitions in ammonium halides, ammonia, ice and sodium nitrite
ÖZLEM TARI
Yüksek Lisans
Türkçe
2000
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiPROF.DR. HAMİT YURTSEVEN