Hidrojenlenmiş amorf silisyum güneş pillerinde frekans bağımlı foto-akım ölçümleri
Frequency dependent photo-current measurements on hydrogenated amorphous silicon solar cells
- Tez No: 153735
- Danışmanlar: Y.DOÇ. HAZİRET DURMUŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: (a-Si:H), verim parametreleri, v üstel terimi, yaşam süresi, (a-Si:H), productive parameters, the exponent v values, lifetime
- Yıl: 2004
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Selçuk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
ÖZET Yüksek Lisans Tezi HİDROJENLENMİŞ AMORF SİLİSYUM GÜNEŞ PİLLERİNDE FREKANS BAĞIMLI FOTOAKIM ÖLÇÜMLERİ Mehmet YANAR Selçuk Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı Danışman : Yrd.Doç.Dr. Haziret DURMUŞ 2004, 55 Sayfa Jüri : Doç.Dr.Haluk ŞAFAK Yrd.Doç.Dr. Mehmet TAŞER Yrd.Doç.Dr.Haziret DURMUŞ Bu çalışmada, ilk olarak hidrojenlenmiş amorf silisyum (a-Si:H) Schottky güneş pillerinde, fotoakım uygulanan gerilime ve uyarıcı ışık şiddetine bağlı olarak ölçülmüştür. Karşılaştırma amacı için aynı zamanda karanlık akım-gerilim (I-V) ölçümleri alınmıştır. Uyarıcı ışık altında farklı potansiyel değerlerinde ölçülen I-V karakteristiklerinden güneş pilinin iç parametreleri ve dolum faktörleri belirlenmiştir. Fotoakımın, uyarıcı ışık şiddetine bağlı ölçümlerinden, I<Gv güç-yasasındaki v üstel terim değerleri farklı besleme (ileri ve ters) gerilimlerinde hesaplanmıştır. Üstel terim v değerlerinin yaklaşıkça sabit, uygulanan gerilime bağlı olmadığı bulunmuştur. Daha sonra güneş pilinin verimliliğini artırmak için yapım aşamasında yapılacak çalışmalara yardımcı olması amacıyla hidrojenlenmiş amorf silisyum (a- Si:H) p-i-n Schottky güneş pillerinde Lock-in tekniği kullanılarak taşıyıcıların yaşam süresi frekansa bağlı olarak hesaplanmıştır.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT MS Thesis FREQUENCY DEPENDENT PHOTOCURRENT MEASUREMENTS ON HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON SOLAR CELLS Mehmet YANAR Selçuk University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics Supervisor : Assoc. Prof.Dr. Haziret DURMUŞ 2004, 55 Page Jury : Assoc.Prof.Dr. Haluk ŞAFAK Assoc.Prof.Dr. Mehmet TAŞER Assoc.Prof.Dr. Haziret DURMUŞ Firstly in this study we have measured photocurrents of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) Schottky solar cells as a function of bias voltage, excitation light intensity. The dark current was also measured for comparison purposes. From the current-voltage (I-V) characteristics, the interior parameters of solar cell and fill factors were determined From the intensity dependence of photocurrent, the exponent v values in the power-law relationship I<xGv. were calculated for different bias voltages (forward and reverse). The v values are found to be independent on bias voltage and approximately equal. After that; we have measured carrier's lifetime as a function of frequency of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) p-i-n Schottky solar cells by using Lock-in technique in order to help to study of making productive solar cells during the making position.
Benzer Tezler
- Hidrojenlenmiş amorf silisyum güneş pillerinde fotoiletkenlik çalışmaları
Photoconductivity studies of hydrogenated amorphous silicon solar cells
MEHMET ŞAHİN
Yüksek Lisans
Türkçe
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. RUHİ KAPLAN
- Production of light emitting pin diodes based on the plasma deposited amorphous silicon carbide films
Plazma ile büyütülmüş amorf silisyum karbür film tabanlı ışık yayınlayan pin diyotların üretilmesi
KIVANÇ SEL
Yüksek Lisans
İngilizce
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. İSMAİL ATILGAN
- Hidrojenlenmiş amorf silisyum filimlerinin elde edilmesi ve karakterizasyonu
Başlık çevirisi yok
BİRSEN TURGU
Yüksek Lisans
Türkçe
1986
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. ÖZCAN ÖKTÜ
- Effects of illumination on hydrogenated amorphous silican based junctions
Hidrojenleşmiş amorf silisyum tabanlı eklemler üzerinde aydınlatmanın etkisi
HÜLYA ATMACAN
Yüksek Lisans
İngilizce
1998
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. İSMAİL ATILGAN
- Density of states distribution of hydrogenated amorphous silicon pin diode through optoelectronic measurements
Optoelektronik ölçümlerle hidrojenlenmiş amorf silisyum pin diyodların durum yoğunluğu dağılımı
OBEN SEZER
Yüksek Lisans
İngilizce
2001
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. İSMAİL ATILGAN