Density of states distribution of hydrogenated amorphous silicon pin diode through optoelectronic measurements
Optoelektronik ölçümlerle hidrojenlenmiş amorf silisyum pin diyodların durum yoğunluğu dağılımı
- Tez No: 116421
- Danışmanlar: DOÇ. DR. İSMAİL ATILGAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: a-Si:H ince film, PECVD, FTIR, CPM, DOS, ayrıştırma iv, Aydınlatma, Dekonvolüsyon, Optoelektronik, İnce filmler, a-Si:H thin film, PECVD, FTIR, CPM, DOS, deconvolution 111, Lighting, Deconvolution, Optoelectronic, Thin films
- Yıl: 2001
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
oz OPTOELEKTRONİK ÖLÇÜMLERLE HİDROJENLENMİŞ AMORF SİLİSYUM PİN Dİ YODLARIN DURUM YOĞUNLUĞU DAĞILIMI Sezer, Oben Yüksek Lisans, Fizik Bölümü Tez Yöneticisi: Doç. Dr. İsmail Atılgan Ocak 2001, 97 sayfa Çok tabakalı p-i-n yapı üretilebilmesi için katkısız ve n,p tipi katkılı a-Si:H ince filmler PECVD tekniği ile büyütüldü. Bu yapının çeşitli aydınlanma koşullarında akım- voltaj özellikleri incelendi. Her tabakadaki hidrojenin konumlan ve yoğunluğu kızılötesi (FTIR) spektroskopisi ile çözümlendi. Labview programlama diliyle tümden bilgisayar denetimli sabit fotoakım (CPM) tekniği gerçekleştirildi. Veri çözümlemeye dönük ilgili yazılımlar geliştirildi. Sonuç olarak yerelleşmiş durum yoğunlukları (DOS) değişik ayrıştırma yöntemleriyle elde edildi. Somut uygulama olarak da katkısız a-Sı:H ince filmlerin derin elektronik durumlarının rahatlaması (yokedilmesi veya oluşturulması) araştırıldı.
Özet (Çeviri)
ABSTRACT DENSITY OF STATES DISTRIBUTION OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON PIN DIODE THROUGH OPTOELECTRONIC MEASUREMENTS Sezer, Oben M.S., Department of Physics Supervisor: Assoc.Prof. Dr. Ismail Atılgan January 2001, 97 pages N, p and intrinsic type a-Si:H thin films were deposited by PECVD for fabricating a multilayered p-i-n structures. I-V behavior of the structure was carried out under various illumination conditions. Hydrogen content and configurations of each layer was analyzed by FTIR spectroscopy. A fully computerized CPM was built up by Labview programming language. Relevant software(s) were developed for data analyses. As a final result, the localized DOS (density of states) was obtained by different deconvolution approaches. As an example, the relaxation (removal or creation) of deep states of the intrinsic a-Si:H layer was studied.
Benzer Tezler
- Determination of sensity of states of n-type hygrogenated amorphous silicon by phase shift analysis of modulated photocurrent method
Modüle edilmiş fotoakım yöntemi ile hidrojenlendirilmiş amorf silisyumda durum yoğunluğunun belirlenmesi
FERHAT KOCABIYIK
Yüksek Lisans
İngilizce
1995
Fizik ve Fizik MühendisliğiBoğaziçi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. GÜLEN AKTAŞ
- Hidrojenlendirilmiş amorf silisyum yapılarda kapasite gerilim yöntemiyle durum dağılımının belirtilmesi
Başlık çevirisi yok
ORHAN DURAN
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. TÜLAY SERİN
- Hidrojenlendirilmiş amorf silisyum deneklerde modüle edilmiş fotoiletkenlik ölçümleri
Modulated photoconductivity measurements on the hydrogenated amorphous silicon samples
EVRİM UMUT
Yüksek Lisans
Türkçe
2006
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF.DR. AYNUR ERAY
- Amorf silisyumda staebler wronski etkisinin fotoiletkenlik parametresi üzerindeki rolü
The Role of staebler-wronski effect on the prameter of photocondictivity in amorphus silicon
SEVİLAY UĞUR
- Modüle edilmiş fotoakım yöntemi ile amorf silisyum filmlerde yerleşik durum yoğunluğunun belirlenmesi
Başlık çevirisi yok
GÜLEN AKTAŞ