Hidrojenlendirilmiş amorf silisyum yapılarda kapasite gerilim yöntemiyle durum dağılımının belirtilmesi
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 76719
- Danışmanlar: DOÇ. DR. TÜLAY SERİN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Schottky diyodu, amorf silisyum, durum yoğunluğu, kaygan düzey apasite yöntemi, omik kontak, doğrultucu kontak, Amorphous silicon
- Yıl: 1998
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Ankara Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
I ÖZET Yüksek Lisans Tezi HİDROJENLENDİRİLMİŞ AMORF SİLİSYUM YAPILARDA KAPASİTE-GERİLİM YÖNTEMİYLE DURUM DAĞILIMININ BELİRTİLMESİ Orhan DURAN Ankara Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Mühendisliği Anabilim Dalı Danışman : Doç. Dr. Tülay SERİN 1998, Sayfa: 31 Jüri: Doç.Dr. Tülay SERİN Prof.Dr. Basri ÜNAL Prof.Dr. Selahattin ÖZDEMİR Bu çalışmada, Au/a-Si:H/a-Si:H(n-tipi)/ Cr Schottky yapılarında durum yoğunluğu dağılımı raştırılmıştır. Aralık durum yoğunlukları 0.35 - 0.50 eV enerji aralığında Michelson'un kaygan üzey kapasite yöntemiyle bulunmuştur. Tavlamanın durum yoğunluğu üzerindeki etkisini araştırmak için aynı diyotlar 100-175°C ıcaklık aralığında 2 volt ters beslem altında tavlanmışlardır. Her bir tavlama işleminden sonra durum oğunluğu bulunmuştur. Tavlamayla durum yoğunluklarında değişiklik gözlenmiştir. Bu değişiklikler opingin kusur giderici özelliği modeliyle açıklanmaya çalışılmıştır.
Özet (Çeviri)
II ABSTRACT Master Thesis DETERMINATION OF DISTRIBUTION OF STATES IN HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON STRUCTURES FROM CAPACITANCE - VOLTAGE CHARACTERISTICS Orhan DURAN Ankara University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics Engineering Supervisor: Assc. Prof. Tülay SERİN 1998, Pages: 31 Jury: Assc.Prof. Tülay SERİN Prof.Dr. Basri ÜNAL Prof.Dr. Selahattin ÖZDEMİR In this study, the distribution of density of state was investigated in a Schottky structure of iu/a-Si:H/a-Si:H(n-type)/ Cr. The gap state density in the energy range of 0.35 - 0.50 eV was bund by Michelson' s drive level capacitance method. In order to determine the effect of thermal annealing on the distribution of density of state he same diodes were annealed in the temperature range, 100 - 175 °C while a 2 volts reverse bias voltage was applied to their terminals. The density of state was found after the each annealing processes. The changes occurred in the density of state due to the annealing were interpreted by the defect compensation model of doping. CEY WORDS: Schottky diode, amorphous silicon, density of state, drive -level capacitance method, ohmic contact, rectifier contact.
Benzer Tezler
- Hidrojenlendirilmiş amorf silisyum ve silisyum-karbon alaşımlarında ışık ile yaratılan yarı-kararlı kusurların incelenmesi
Light-induced metastable defect studies in hydrogenated amorphous silicon and silicon-carbon alloys
ALP OSMAN KODOLBAŞ
Doktora
Türkçe
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ÖZCAN ÖKTÜ
- Hidrojenlendirilmiş amorf silisyum-azot (a-SiNx:H) alaşımı ince filmlerin optik ve elektrik özellikleri
Optical and electrical properties of hydrogenated amorphous silicon nitrogen (a-SiNx:H) alloy thin films
İLKER AY
Yüksek Lisans
Türkçe
2000
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HÜSEYİN TOLUNAY
- Hidrojenlendirilmiş amorf silisyum filmlerin optik katsayılarını belirlemede kullanılan deneysel yöntemlerin karşılaştırılması
Comparison of experimental methods used for determination of optical constants of hydrogenated amorphous silicon
GÜNGÖR TAYYAR
- Hidrojenlendirilmiş amorf silisyum filmlerde uzay yükü ile sınırlı akım tekniği ile durum yoğunluğunun belirlenmesi
Determination of density of states in a-Si:H using space charge limited current measurements
TOLGA OKAT
Yüksek Lisans
Türkçe
2001
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AYNUR ERAY
- Hidrojenlendirilmiş silisyum-azot (a-Sinx : H) alaşımlarında kararlı ve geçici fotoiletkenlik ölçümleri
Başlık çevirisi yok
TAYYAR GÜNGÖR