Hidrojenlendirilmiş amorf silisyum filmlerde uzay yükü ile sınırlı akım tekniği ile durum yoğunluğunun belirlenmesi
Determination of density of states in a-Si:H using space charge limited current measurements
- Tez No: 105591
- Danışmanlar: DOÇ. DR. AYNUR ERAY
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Uzay yükü ile sınırlı akım, durum yoğunluğu, Den Boer tekniği, bilgisayar kontrollü deney düzeneği, sıcaklık kontrolü, Amorf silisyum, Film, Sınırlı akım yöntemi, Uzay yükü, Space charge limited current, density of states, Den Boer method, computer - controlled experimental set-up, heat control. Advisor Dr. Aynur Eray, Hacettepe University, Department of Physics Engineering, Amorphous silicon, State density, Film, Limited current method, Space charge
- Yıl: 2001
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Hacettepe Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
HİDROJENLENDİRİLMİŞ AMORF SİLİSYUM FİLİMLERDE UZAY YÜKÜ İLE SINIRLI AKIM TEKNİĞİ İLE DURUM YOĞUNLUĞUNUN BELİRLENMESİ Tolga Okat Hacettepe Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü ÖZ Uzay yükü ile sınırlı akım yöntemi, hidrojenlendirilmiş amorf silisyum (a - Si:H) filimlerde, mobilite aralığındaki yerelleşmiş enerji düzeyleri hakkında bilgi veren ve yaygın olarak kullanılan bir yöntemdir. Bu yöntemde, diyot yapısındaki deneğe uygun elektrotlar kullanılarak, bir elektrottan deneğe sürülen taşıyıcıların diğer elektrotta toplanmasının sağlanarak, J - V karakteristikleri elde edilmektedir. J - V karakteristikleri Fermi enerji düzeyinin üzerindeki durum yoğunluğunun belirlenmesinde kullanılmaktadır. Bu tez çalışması kapsamında, a - Si:H Alimlerin uzay yükü bölgesinde J - V karakteristikleri, sıcaklığa bağlı ve bilgisayar kontrollü olarak elde edilmesi için gerekli ara birimler - ısıl çift ön yükselteç birimi, AD - DA giriş / çıkış ve ısıtıcı akım kaynağı birimi, deneğe gerilim uygulama birimi, I - V ölçüm birimi, güç kaynağı birimi - tasarımlanmış ve bilgisayar kontrollü olarak sıcaklık kontrolünün yapılabilmesi, verilerin toplanması ve toplanan verilerin değerlendirilmesinin yapılabilmesi amacı ile çeşitli yazılımlar geliştirilmiştir. Geliştirilen deney düzeneği yardımı ile, 276 K ile 363 K sıcaklık aralığında, a - Si:H Alimlerin J - V karakteristikleri elde edilerek mobilite aralığındaki durum yoğunluğu belirlenmiştir.
Özet (Çeviri)
DETERMINATION OF DENSITY OF STATES IN a - Si:H USING SPACE CHARGE LIMITED CURRENT MEASUREMENTS Tolga Okat Hacettepe University, Department of Physics Engineering ABSTRACT The space charge limited current method is a commonly used method that provides information about the localized energy levels in mobility gap, in hydrogenated amorphous silicon (a - Si:H) films. In this method, J - V characteristics are obtained by using electrodes appropriate for the subject in the diode structure and by ensuring the accumulation of the carriers injected into the subject from electrode, in the other electrode. J - V characteristics are used for determining the density of states above the Fermi level. In the scope of the present thesis work, the J - V characteristics in the space charge region of the a - Si:H films, the interface units required to obtain them in a temperature - dependent and computer - controlled manner - thermo couple pre - amplifier unit, AD - DA input / output and current source unit for heater, voltage applying unit for samples, I - V measurement unit, power supply unit - have been designed and various softwares have been developed to perform computer - controlled heat control, to collect data and to evaluate the collected data. By the assistance of the developed experimental set-up, the J - V characteristics of a - Si:H films in the temperature range between 276 K and 363 K are obtained and the density of states in the mobility gap has been determined.
Benzer Tezler
- Hidrojenlendirilmiş amorf silisyum filmlerin optik katsayılarını belirlemede kullanılan deneysel yöntemlerin karşılaştırılması
Comparison of experimental methods used for determination of optical constants of hydrogenated amorphous silicon
GÜNGÖR TAYYAR
- Amorf yarı iletken a-Si:H/a- SİNx:H çokkatlı filimlerin elektrik ve optik özellikleri
Electrical and optical properties of amorphous semiconducting a-Si i H/a-SİNx:H multilayer films
ESİN ÜLGEN GÜNDEM
Yüksek Lisans
Türkçe
2001
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HÜSEYİN TOLUNAY
- Hidrojenlendirilmiş amorf silisyum-azot (a-SiNx:H) alaşımı ince filmlerin optik ve elektrik özellikleri
Optical and electrical properties of hydrogenated amorphous silicon nitrogen (a-SiNx:H) alloy thin films
İLKER AY
Yüksek Lisans
Türkçe
2000
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HÜSEYİN TOLUNAY
- A-Si1-xCx: H filmlerin TSC (thermally stimulated conductivity) ve fotoiletkenlik ölçümleri ile incelenmesi
Thermally stimulated conductivity (TSC) and photoconductivity measurements in a-Si1-xCx:H
ALİ OSMAN KOPOLBAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
1993
Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HÜSEYİN TOLUNAY
- Hidrojenlendirilmiş silisyum-azot (a-Sinx : H) alaşımlarında kararlı ve geçici fotoiletkenlik ölçümleri
Başlık çevirisi yok
TAYYAR GÜNGÖR